IGZO技术奠基人细野秀雄教授签约TCL华星特聘技术顾问
5月29日，日本著名材料科学家、东京科学大学教授 兼 元 素 战 略 研 究 所 创始 主 任 细 野 秀 雄 教 授(Professor Hideo Hosono)签约TCL华星光电技术有限公司特聘技术顾问，双方在深圳举行隆重签约仪式。此次活动旨在推动TCL
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内存条也能“X3D”，这新技术让容量达到5120G
一家专注于存储芯片技术的美国公司公布了自家全新 3D X-DRAM 技术，号称有望将内存容量提高到现阶段的 10 倍。
DRAM，颠覆性方案
近日，初创公司NEO 半导体公司再次宣布一项有望彻底改变 DRAM 内存现状的新技：两种新的 3D X-DRAM 单元设计——1T1C 和 3T0C。据介绍，这两类设计将于 2026 年投入概念验证测试芯片，而基于公司现有的 3D X-DRAM 技术，能在新单
有望彻底改变内存现状！新一代3D X-DRAM技术亮相：容量提高10倍
NEO Semiconductor近日宣布推出两项新的3D X-DRAM单元设计——1T1C和3T0C，有望彻底改变DRAM内存的现状。
内存 neo semiconductor igzo 3t0c 2025-05-08 16:43 6
3D DRAM，新方向
自 20 纳米节点以来，DRAM 工艺技术的进步显著放缓。从 19 纳米到 11 纳米的开发跨越了从 1x 到即将到来的 1d 标记的多个节点，每次仅以 1 到 2 纳米的微小幅度推进。
3DDRAM，蓄势待发
去年12月，美国商务部工业和安全局（BIS）正式修订《出口管理条例》（EAR），对HBM及一系列半导体制造设备、软件工具施加更为严苛的出口管制，并将140家中国实体新增至出口管制清单。尤其是针对“memory bandwidth density”超过2GB/s
这将是未来的芯片？
基于纳米片的晶体管以及由纳米片构建的3D互补场效应晶体管 (CFET) 是延续摩尔定律微缩的关键，因为现有的FinFET架构正在达到其性能极限。纳米片是一种环栅 (GAA) 晶体管架构，其中硅堆叠的沟道完全被栅极包围。它们比FinFET具有更好的静电控制、相对
DRAM“危机”
在AI的狂飙猛进中，大模型规模呈指数级增长态势，从最初的 GPT-3的1750 亿参数，到如今前沿模型迈向万亿级参数的征程，每一次跨越都对计算资源提出了近乎苛刻的要求，尤其是存储带宽，给传统的内存技术带来了巨大挑战。
颠覆DRAM路线图
动态随机存取存储器 (DRAM)是传统计算架构中的主存储器，其位单元在概念上非常简单。它由一个电容器 (1C) 和一个硅基晶体管 (1T)组成。电容器的作用是存储电荷，而晶体管则用于访问电容器，以读取存储的电荷量或存储新电荷。
4月机潮，暗号“L”
在厂商们对手机屏幕的预热过程中，我们频频听到LTPS、LTPO、LIPO等技术名词，让人摸不清头脑。
蚂蚁电竞ANT253PQ：IGZO新技术引领电竞显示器新潮流？
随着国内电竞行业的蓬勃发展，电竞网游市场迎来了前所未有的繁荣景象，诸如《三角洲行动》、《漫威争锋》以及《界外狂潮》等采用尖端游戏开发技术的电竞游戏，对画面质量的要求愈发严苛。这些新一代射击游戏不仅追求超高的刷新率和极快的响应时间，更要求显示器具备高分辨率，以呈
夏普（Sharp）十大经典手机介绍
夏普（Sharp）作为日本知名的电子产品制造商，曾推出过多款经典手机，尤其在翻盖手机和全面屏手机领域有着独特的设计和技术创新。以下是夏普十大经典手机的图文介绍：
突破性创新：新型3D异质集成存储器件助力下一代微电子发展
图1. 单片三维集成存储阵列的演进及本工作亮点。我们研究了IGZO晶体管和MoS2忆阻器异质集成的器件-技术协同优化 (DTCO)，以实现器件缩小和存储密度提升，同时开展了基于3D流水线计算系统的1T1R和2T0C1R存储单元的系统-技术协同优化 (STCO)