美光

AI芯片,掩盖了很多问题

这种繁荣是值得欢迎的,因为它为未来几代工艺技术的开发提供了资金。2nm、18A 和 16A 工艺节点的设计将降低功耗并提高性能,这两者都是 AI 数据中心应用的先决条件,但设计和制造此类芯片的成本(从掩模组到高 NA 光刻)高得惊人。

芯片 美光 marvell 2024-12-22 12:00  2

美光HBM,为时未晚

本周,美光 发布了其 HBM4 和 HBM4E 计划的最新进展 。下一代 HBM4 内存具有 2048 位接口,有望在 2026 年实现量产,HBM4E 将在随后几年推出。除了提供比 HBM4 更高的数据传输速率外,HBM4E 还将引入定制其基础芯片的选项,标

美光 hbm 美光hbm 2024-12-22 17:02  2

美光HBM4,2026年量产!

美光(Micron)公布了下一代 HBM4 和 HBM4E 工艺的最新进展,该公司预计将于 2026 年开始量产。HBM4 有望带来最先进的性能和效率数据,而这正是提升人工智能计算能力的途径。美光与SK海力士和三星等公司一样,也在争夺 HBM4 的主导地位,在

美光 hbm4 美光hbm4 2024-12-22 11:55  2

DRAM,面临艰难时刻?

被誉为内存半导体晴雨表的美光公司公布了令人失望的明年盈利前景,对三星电子和SK海力士的前景产生了负面影响。由于DRAM平均售价(ASP)呈现弱于预期的趋势,中国企业的“DRAM销售”正在加速,通用内存市场预计将受到影响。高带宽内存(HBM)呈现稳定趋势,但有预

海力士 dram 美光 2024-12-20 09:12  2

美光拿下61.4亿美元补贴!美国加码本土芯片厂建设

白宫周二在一份声明中表示,美国商务部已与美国存储芯片巨头美光科技敲定迄今为止最大规模的芯片制造补贴之一,加速推动“芯片制造回流美国”。这家总部位于爱达荷州博伊西的芯片巨头早在4月就宣布与商务部签署初步条款备忘录,最终根据《芯片法案》获得高达61.4亿美元的直接

芯片 美光 芯片法案 2024-12-11 07:38  1

NV145美光闪存MT29F16T08EWLEHD6-RES:E

在深入探讨NV145美光闪存MT29F16T08EWLEHD6-RES:E这一产品之前,我们首先需要了解闪存技术的基本概念及其在现代电子设备中的重要地位。闪存,作为一种非易失性存储器,能够在断电后保留存储的数据,是智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数据中心以及众

美光 nv145 nv145美光 2024-12-05 22:06  2

长江存储专利战告捷,美光无效挑战遭PTAB驳回

美国存储巨头美光公司针对中国长江存储的一件美国专利发起的无效挑战(多方复审)IPR,经美国专利商标局专利审判和上诉委员会PTAB的初步审理后认为,美光的无效理由未能说服PTAB存在长江存储的至少一项权利要求可以被无效掉,因此驳回了美光的挑战。这也是双方在过去两

美光 长江存储 ptab 2024-12-05 09:15  2