带你了解什么是透射电镜?
透射电镜是基于电子束与超薄样品相互作用。它利用电子加速枪产生高能电子束,经过电磁透镜聚焦和准直后照射到超薄样品上。样品中不同区域的原子对电子的散射和吸收程度不同,导致透过样品后的电子束强度分布发生变化。这些变化的电子束投射到荧光屏或探测器上,形成具有不同明暗对
透射电镜是基于电子束与超薄样品相互作用。它利用电子加速枪产生高能电子束,经过电磁透镜聚焦和准直后照射到超薄样品上。样品中不同区域的原子对电子的散射和吸收程度不同,导致透过样品后的电子束强度分布发生变化。这些变化的电子束投射到荧光屏或探测器上,形成具有不同明暗对
据博主@i冰宇宙 独家爆料,三星的旗舰机开始往轻薄化方向发力,会从电池轻薄化入手,让机身继续减薄,其成果将在今年7月的三星Galaxy Z Fold7上有所展现。
在半导体制造流程中,晶圆在前端工艺阶段需保持一定厚度,以确保其在流片过程中的结构稳定性,避免弯曲变形,并为芯片制造工艺提供操作便利。不同规格晶圆的原始厚度存在差异:4 英寸晶圆厚度约为 520 微米,6 英寸晶圆厚度约为 670 微米,8 英寸晶圆厚度约为 7
它有望带来显著的PPA改进,包括更快的开关速度、更低的电压降和更低的电源噪声。尽管晶圆极度减薄、晶圆键合以及前端多层工艺堆叠导致的光刻图案变形对前端工艺造成了重大干扰,但它仍有望在2纳米节点以下实现这些优势。
不过您先别急着夸公安部门的便民措施,我这人有个毛病,看见热闹总想扒拉扒拉门道儿。您猜怎么着?这一扒拉可扒拉出个惊天大秘密:原来我们天天揣着的身份证,居然藏着这么多"坑"!
随着半导体器件不断缩小,在性能和功耗之间取得平衡变得越来越具有挑战性。当晶体管尺寸缩小到2纳米及更小时,Nanosheet技术已经逐渐取代鳍式场效应晶体管(FinFET)架构。本文探讨了通过选择性层减薄技术实现多阈值电压解决方案的创新方法[1]。
纳米 阈值 减薄 nanosheet nanosheet技术 2025-04-03 21:24 7
对超薄晶圆的需求正在增长。包含 12 个 DRAM 芯片和基础逻辑芯片的 HBM 模块的总厚度仍小于优质硅晶圆的厚度。薄晶圆在组装扇出晶圆级封装和用于 AI 应用的先进 2.5D 和 3D 封装方面也发挥着关键作用,这些封装的增长速度远快于主流 IC。再加上业
对超薄晶圆的需求正在增长。包含 12 个 DRAM 芯片和基础逻辑芯片的 HBM 模块的总厚度仍小于优质硅晶圆的厚度。薄晶圆在组装扇出晶圆级封装和用于 AI 应用的先进 2.5D 和 3D 封装方面也发挥着关键作用,这些封装的增长速度远快于主流 IC。再加上业
晶圆减薄砂轮,指通过高速旋转并沿轴向进给来实现晶圆减薄工艺的工具。晶圆减薄砂轮需具备加工精度高、对晶圆损伤小、耐磨性好、硬度高等特性,在晶圆制造领域拥有广阔应用前景。