减薄

带你了解什么是透射电镜?

透射电镜是基于电子束与超薄样品相互作用。它利用电子加速枪产生高能电子束,经过电磁透镜聚焦和准直后照射到超薄样品上。样品中不同区域的原子对电子的散射和吸收程度不同,导致透过样品后的电子束强度分布发生变化。这些变化的电子束投射到荧光屏或探测器上,形成具有不同明暗对

电子束 碳纳米管 透射电镜 减薄 电子枪 2025-05-19 14:39  7

半导体晶圆减薄

在半导体制造流程中,晶圆在前端工艺阶段需保持一定厚度,以确保其在流片过程中的结构稳定性,避免弯曲变形,并为芯片制造工艺提供操作便利。不同规格晶圆的原始厚度存在差异:4 英寸晶圆厚度约为 520 微米,6 英寸晶圆厚度约为 670 微米,8 英寸晶圆厚度约为 7

半导体 晶圆 减薄 晶圆减薄 半导体晶圆 2025-05-05 09:09  5

背面供电,要来了

它有望带来显著的PPA改进,包括更快的开关速度、更低的电压降和更低的电源噪声。尽管晶圆极度减薄、晶圆键合以及前端多层工艺堆叠导致的光刻图案变形对前端工艺造成了重大干扰,但它仍有望在2纳米节点以下实现这些优势。

晶圆 tsv 晶体管 imec 减薄 2025-04-18 09:42  8

薄晶圆加工的兴起

对超薄晶圆的需求正在增长。包含 12 个 DRAM 芯片和基础逻辑芯片的 HBM 模块的总厚度仍小于优质硅晶圆的厚度。薄晶圆在组装扇出晶圆级封装和用于 AI 应用的先进 2.5D 和 3D 封装方面也发挥着关键作用,这些封装的增长速度远快于主流 IC。再加上业

晶圆 tsv 减薄 cmp 晶圆加工 2025-03-21 17:56  10

晶圆越做越薄背后

对超薄晶圆的需求正在增长。包含 12 个 DRAM 芯片和基础逻辑芯片的 HBM 模块的总厚度仍小于优质硅晶圆的厚度。薄晶圆在组装扇出晶圆级封装和用于 AI 应用的先进 2.5D 和 3D 封装方面也发挥着关键作用,这些封装的增长速度远快于主流 IC。再加上业

晶圆 tsv 减薄 cmp 旋涂 2025-03-21 10:03  9