存储器件

韩国科学技术院开发出下一代铁电高性能存储器件

韩国科学技术院（KAIST）6日宣布，已开发出采用下一代铁电半导体材料的高性能、高集成度存储器件，该器件克服了现有 DRAM 和 NAND 闪存使用铁电材料的局限性。