摘要：韩国科学技术院（KAIST）6日宣布，已开发出采用下一代铁电半导体材料的高性能、高集成度存储器件，该器件克服了现有 DRAM 和 NAND 闪存使用铁电材料的局限性。

据韩联社1月6日报道，韩国科学技术院（KAIST）6日宣布，已开发出采用下一代铁电半导体材料的高性能、高集成度存储器件，该器件克服了现有 DRAM 和 NAND 闪存使用铁电材料的局限性。

Sang-Hoon Jeon 教授的研究团队成功地利用氧化铪铁电体在超薄膜材料中实现了高存储容量，实现在更低的电压下工作比现有材料存储更多数据。该材料具有非挥发性和优异的耐久性，其厚度达到 2.4Å（angstrong：1Å 是百万分之一毫米），是迄今为止报道的 DRAM 电容器中最薄的。同时，该研究团队还开发了基于哈夫尼亚铁电体的下一代存储技术，该技术将克服 NAND 闪存的局限性，可以垂直堆叠1000层以上，数据可以保持稳定10年以上。

Sang-Hoon Jeon 教授表示：“我希望这一成果能够成为存储半导体技术发展的一个突破，它将有助于推动人工智能计算和边缘计算的商业化进程。”

（编译：天容）

来源：邮电设计技术