改进GaN器件架构
GaN 在个人电子设备充电器等低功耗应用中尤其成熟，而硅和 SiC 在高功率应用中则具有优势。最近的 IEEE 电子设备会议就此主题进行了多种变体讨论。例如，Cambridge GaN Devices 联合创始人兼首席技术官 Florin Udrea 将“集成
gan器件
Na-flux法提高了GaN器件的性能
丰田合成展示了与市售衬底相比，一项增强GaN衬底的技术如何在功率调节能力和良率上提高器件性能。研究成果发表在Physica Status Solidi (RRL) – Rapid Research Letters上。