推动GaN器件向更高功率密度迈进，东科发布All in One半桥GaN
近期，东科半导体与2025（春季）亚洲充电大会带来DK87xxAD系列半桥GaN产品，该系列产品针对传统硅基器件调试难度大、占板空间大、损耗高等痛点逐一击破，是目前业界唯一的All in One全合封不对称半桥GaN方案，外围极简，能够满足市场对高效率、高功率
gan器件
致能GaN器件获知名网关企业采用
Tenda腾达推出一款自主设计的全千兆非网管PoE交换机套装，其支持AF/AT标准PoE供电方式，并可智能识别受电设备。此外支持单口最大30W以及整机120W输出，可为8个PoE高清网络摄像头、千兆AP等提供数据传输和供电。
致能GaN器件助力腾达替换传统硅MOS，实现更优能效比
Tenda腾达推出一款自主设计的全千兆非网管PoE交换机套装，其支持AF/AT标准PoE供电方式，并可智能识别受电设备。此外支持单口最大30W以及整机120W输出，可为8个PoE高清网络摄像头、千兆AP等提供数据传输和供电。
北京大学团队成功研制无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件
氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借低导通损耗、高开关频率等优势，已成为下一代功率开关应用的有力竞争者。目前肖特基型p-GaN栅HEMT已经实现商业化应用，在消费类电子中获得广泛应用。然而，目前主流的肖特基型p-GaN栅HEMT面临高压开关过程阈
改进GaN器件架构
GaN 在个人电子设备充电器等低功耗应用中尤其成熟，而硅和 SiC 在高功率应用中则具有优势。最近的 IEEE 电子设备会议就此主题进行了多种变体讨论。例如，Cambridge GaN Devices 联合创始人兼首席技术官 Florin Udrea 将“集成
Na-flux法提高了GaN器件的性能
丰田合成展示了与市售衬底相比，一项增强GaN衬底的技术如何在功率调节能力和良率上提高器件性能。研究成果发表在Physica Status Solidi (RRL) – Rapid Research Letters上。