摘要：近期，东科半导体与2025（春季）亚洲充电大会带来DK87xxAD系列半桥GaN产品，该系列产品针对传统硅基器件调试难度大、占板空间大、损耗高等痛点逐一击破，是目前业界唯一的All in One全合封不对称半桥GaN方案，外围极简，能够满足市场对高效率、高功率

前言

近期，东科半导体与2025（春季）亚洲充电大会带来DK87xxAD系列半桥GaN产品，该系列产品针对传统硅基器件调试难度大、占板空间大、损耗高等痛点逐一击破，是目前业界唯一的All in One全合封不对称半桥GaN方案，外围极简，能够满足市场对高效率、高功率密度氮化镓PD适配器的需求。

东科半桥GaN产品优势

东科半导GaN系列产品创新性的将高压GaN上管、高压GaN下管、半桥控制、半桥驱动等模块整合封装进单颗芯片中，寄生参数更低，且外围非常精简，有效降低工程师调试的研发成本以及时间成本。

东科GaN产品具备专利的上管自适应关断技术，能够实现最小的负电流关断，同时实现主功率管的ZVS/ZCS，显著降低开关损耗，系统效率业界领先；内置自适应死区调整，可确保东科半桥GaN产品在任何场景均有最高效率，同时保证上下两管不会因为共通导致失效，以实现高频、高效转换，降低系统散热成本；另外，该系列产品具备全方位保护功能，采用负压采样技术和前沿消隐藏设计，以确保系统可靠性。

在实际应用上，东科半桥GaN相比传统反激结构，体积降低30%，占板空间更低，同时次级侧可采用单功率器件设计，能够进一步降低硬件成本；而在实际开发中，东科该方案与传统反激一样简单；相较于LLC机构，半桥AHB支持3.3~60V宽电压输出，直接满足电池包充电需求，无需外置充电电路；同时东科该系列产品与高压快充协议可以无缝结合，满足“智能终端”需求。

东科DK87xxAD系列半桥GaN

东科DK87xxAD系列是业界目前唯一All in One全合封不对称半桥解决方案，采用DFN 8×8封装，内置两颗700V GaN HEMT以及半桥驱动电路以及相关控制电路，支持最高800KHz开关频率，上管自适应关断，下管自适应死区时间，无需外围调节，外围精简，占板空间可以减少50%。改了器件待机功率小于50mW，自适应四种负载端模式，能够满足市场推广的七级能效需求。

东科DK87xxAD拥有四款量产型号，分别对应100-180W输出情况，适合PD快充、笔电适配器、LED电源、家电电源、电动自行车充电器等场景应用。另外，相较于友商半桥GaN方案，东科DK87xxAD方案，芯片数量最少，外围最精简，整体开发、制造成本远低于友商方案。

东科半导体DK87xxAD系列芯片通过调节Vcs、脉冲数量和工作频率，实现从空载到高负载下高效、稳定的电源管理，并具备过载保护功能，保障系统安全可靠运行。

东科提供一站式GaN电源解决方案，从功率因数校正到同步整流，东科均有对应芯片方案。该方案最高支持PD3.1 140W输出，功率密度达1.82W/cm³，高压环境下最高效率可达95.4%，90V低压环境下效率也可以达到93.5%。在半密闭环境下主芯片温度83.1℃，其他器件温度则保持比较一致。此外，该方案没有高频谐振干扰，因此在EMI方面同样拥有较好的表现，轻松满足EN55022B要求，便于开发调试。