科学界传来新突破，一项由Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校及美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）携手研发的新型蚀刻工艺近日曝光。这项创新技术运用氟化氢等离子体，成功将硅材料垂直通道的蚀刻效率翻倍，仅需短短一分钟，便能完成640纳米的蚀

等离子体 蚀刻 等离子体物理 2025-02-05 15:16  4