先进封装设备,国产进程加速
在半导体行业步入“后摩尔时代” 的当下,芯片制程工艺的物理极限倒逼技术创新转向封装领域。先进封装技术凭借其突破传统封装的高密度集成、高性能优化及成本优势,成为推动 AI、HPC、5G 等前沿领域发展的核心引擎。特别是随着国产 AI 芯片在大模型训练推理与终端应
在半导体行业步入“后摩尔时代” 的当下,芯片制程工艺的物理极限倒逼技术创新转向封装领域。先进封装技术凭借其突破传统封装的高密度集成、高性能优化及成本优势,成为推动 AI、HPC、5G 等前沿领域发展的核心引擎。特别是随着国产 AI 芯片在大模型训练推理与终端应
随着AI大模型和高性能计算的狂飙突进,英伟达等巨头对HBM的需求水涨船高,内存厂的HBM订单早已售卖一空,尤其是SK海力士,其在HBM市场占有率高达70%,更是赚得盆满钵满。
HANMI Semiconductor 董事长 Kwak Dong-shin 表示:“英伟达将在今年下半年使用 HANMI Semiconductor 的 TC Bonder 生产其下一代产品 Blackwell Ultra。因此,我们的 HBM TC Bon
销往美国的无线电设备需要遵守当地的法规要求。美国联邦通信委员会(Federal Communications Commission,以下简称“FCC”)负责监管可以发射无线射频(Radio Frequency)的装置(以下简称“射频设备”),其要求美国市场上的
TCB Jeans(Two Cats Brand,双猫品牌)诞生于日本丹宁圣地——冈山县儿岛,由主理人井上肇(Hajime Inoue)于2012年创立。井上的丹宁之路始于少年时代对美国文化的痴迷,尤其是对复古牛仔裤的热爱。90年代,他通过日本兴起的复刻丹宁品
作为热压键合关键设备,其需求因 HBM 和 DDR5 推出而激增。韩国 HANMI Semiconductor 主导市场,供应 90% 的 HBM3E 12 级产品。TCB 技术优势显著,尽管有新技术探索,但实现国产迫在眉睫。
FCC(Federal Communications Commission,美国联邦通信委员会)认证是美国对电子、电信和无线设备的强制性合规认证,主要针对产品的电磁兼容性(EMC)和射频(RF)安全进行监管。所有进入美国市场的电子产品(尤其是无线和通讯类设备)
当前,AI芯片领域的蓬勃发展正持续带动先进封装代工业务的扩张。这一趋势对半导体设备技术性能与工艺精度提出了更为严苛的要求。在先进封装设备领域库力索法提出高性价比解决方案备受关注。
当前,AI芯片领域的蓬勃发展正持续带动先进封装代工业务的扩张。这一趋势对半导体设备技术性能与工艺精度提出了更为严苛的要求。在先进封装设备领域库力索法提出高性价比解决方案备受关注。
在SEMICON China 2025期间,库力索法(Kulicke & Soffa,简称K&S)展示了其在半导体封装领域的最新技术成果与市场战略。 作为全球领先的半导体封装和电子装配解决方案提供商,K&S正在通过垂直线焊、超声波针焊、无助焊剂热压焊接(Flu
TCB系列差分面源黑体由上海明策电子供应一类超高精度的差分面积黑体,专为模拟冷目标和中等温暖目标的红外辐射特性而设计。其核心优势在于卓越的温度分辨率、时间稳定性、温度均匀性及低不确定性,使其成为热像仪测试系统、国家标准实验室温度标定的理想选择。
路由器作为无线射频发射设备(支持Wi-Fi、蓝牙等功能),需申请FCC-ID认证,适用标准包括FCC Part 15.247(射频性能)和Part 15.209(电磁兼容性)。若产品仅含有线功能且无无线模块,则需申请FCC SDoC认证,但路由器通常属于前者。
FCC(Federal Communications Commission)认证是美国联邦通信委员会对无线电设备及电子电气产品的强制性合规认证,旨在确保产品在电磁兼容性(EMC)和无线电频谱使用上的安全性。其核心作用包括:
高带宽存储器(HBM)是一项先进的高性能技术,它通过使用硅通孔(TSV)垂直堆叠多个DRAM,可显著提升数据处理速度。这一突破性存储器解决方案采用了先进的封装方法,得益于这一封装工艺,HBM产品实现了更高容量,更大的存储带宽和更低的延迟,被广泛应用于高性能计算
2025年,以 ChatGPT 为起点,生成式 AI 掀起了全球技术革命,将人工智能的发展推向了新的高潮。而今年春节中国科技企业 DeepSeek 推出的千亿参数大模型横空出世,迅速在全球范围内获得了广泛关注和应用,其 APP 上线一个月下载量便破 1 亿,展
DeepSeek的突破性进展,让中国在AI产业领域似乎迅速缩小了和美国的差距,然而整个国产大模型的运行仍高度依赖英伟达的芯片支持。尽管国产GPU设计能力迅速提升,但随着台积电对中国大陆的供应限制,高端GPU的国产化制造成为中国AI产业发展的关键挑战,尤其是Co
尤其是在内存标准的竞争上,目前 HBM3E 使用的是基于 DRAM 的 2.5D/3D 堆叠芯片,而下一代 HBM4 采用 3D 堆叠逻辑芯片架构,允许客户集成专有 IP 以增强性能和定制,行业人士指出,3D 芯片堆叠和定制是 HBM4 时代成功的关键。
TCB晶种合金细化剂在增材制造中的应用具有多个创新点,包括抗“中毒”效果显著、显著细化晶粒、提升力学性能、工艺简单高效、经济高效以及广泛的应用前景。这些创新点为高性能铝合金零件的制备提供了新的技术途径,对高端制造领域的轻量化设计和提质增效具有重要意义。”
文章利用山东大学刘相法教授团队研发的Al-TCB晶种合金细化剂,用于Al-Si系合金的PBF-LB加工,在组织性能同步提升方面取得了显著成效:仅通过简单的机械混合工艺,成功实现了AlSi10Mg合金的晶粒的显著细化,形成了熔池边界细小等轴晶与熔池内部较大等轴晶
摩根士丹利表示,英伟达下一代Rubin GPU已提前半年开始准备,预计推出时间将从2026年上半年提前至2025年下半年。由于用上3nm技术、CPO(共同封装光学元件)和HBM4(第六代高频宽内存),新一代GPU的芯片面积将是上一代Blackwell的两倍,预