免费资料下载:SiCMOSFET短路特性以及短路保护方法
在光伏逆变器、车载充电器及牵引逆变器等应用领域中,由第三代半导体材料碳化硅(SiC)制成的SiC MOSFET正逐步替代由传统硅基(Si)制成的Si IGBT。这是因为碳化硅(SiC)材料相比传统硅(Si)材料具有更优越的物理特性,使得SiC MOSFET在高
sic 短路保护 sicmosfet短路 分流电阻 sicm 2025-03-11 18:17 2
在光伏逆变器、车载充电器及牵引逆变器等应用领域中,由第三代半导体材料碳化硅(SiC)制成的SiC MOSFET正逐步替代由传统硅基(Si)制成的Si IGBT。这是因为碳化硅(SiC)材料相比传统硅(Si)材料具有更优越的物理特性,使得SiC MOSFET在高
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