β-Ga2O3作为一种超宽禁带半导体材料，因优异的物理特性（如禁带宽度4.2~4.9 eV、高击穿电场强度8 MV/cm）在功率器件、日盲紫外探测等领域展现出巨大潜力。然而，高质量、大厚度、高迁移率的Ga2O3薄膜生长工艺仍面临挑战。金属有机化学气相沉积（MO

薄膜 mocvd 晶面 同质外延 mocvd同质 2025-05-07 09:18  5

如何同质外延生长出具有原子级平整的氧化镓(Ga2O3）单晶薄膜，是制备高性能Ga2O3基功率电子器件或紫外光电器件的基础。由于通用衬底存在非理想整数指数表面，二维“台阶流”生长被广泛认为是实现上述高质量单晶薄膜的理想方法，并适用于大功率电子器件的制造。然而，受

论文 氧化镓 同质外延 氧化镓同质 张海忠 2025-04-07 09:23  5

西湖大学未来产业研究中心、西湖大学工学院孔玮研究员开发出一种新方法，首次实现了β-Ga₂O₃ (100)面无斜切衬底上的单晶同质外延，展示了在β-Ga₂O₃基功率器件中的巨大应用潜力。相关工作以“

孪晶 单晶 同质外延 单晶同质 rheed 2025-03-25 11:31  9

西湖大学未来产业研究中心、西湖大学工学院孔玮研究员开发出一种新方法，首次实现了β-Ga₂O₃ (100)面无斜切衬底上的单晶同质外延，展示了在β-Ga₂O₃基功率器件中的巨大应用潜力。相关工作以“Single-Crystalline β-Ga₂O₃ Homoe

西湖 单晶 同质外延 单晶同质 孔玮团队 2025-03-13 08:46  8