离子注入后退火对晶体结构影响
Silicon wafer 被注入高速、高能量的杂质时，硅晶体结构将会遭受破坏，形成非晶质化。非晶质化会降低电子和空穴的移动度，导致器件性能下降。此外，注入的杂质原子会跑到晶格的间隙里，无法正常发挥作用去改变硅的导电性（无法成为掺杂剂）。
掺杂剂
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在此，新加坡国立大学林彦玮课题组以及新加坡科学技术研究局高性能计算研究所Jia Zhang等研究人员在Science Advances期刊上发表了题为“Tuning catalyst-support interactions enable steering o
通过掺杂剂辅助结晶法提升锗量子点产率及光电性能
锗量子点（GeQD）因其尺寸依赖的带隙、高吸收系数和高空穴迁移率，在光电器件领域展现出巨大的应用潜力。目前，研究人员已通过多种方法实现了尺寸和形态可调的GeQD合成。固相合成法无需昂贵设施和自燃性前驱体即可实现克级产物制备，但需要精确控制溶胶-凝胶前驱体类型、