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重大突破！源自北大本科生的一节课

2017年秋天，北京大学化学与分子工程学院的裴坚教授在给大二同学讲授《有机化学》时，讲到了一种在紫外光照射下会发生结构重排的分子。有一瞬间，那个已经困扰了他将近三年的问题突然从脑海闪过。

硅材料的高分辨率区域掺杂是现代电子器件的基础，有机半导体（OSCs）如果也能实现类似的精确掺杂，将有望推动有机集成电路中互连、电极、p–n结等关键结构的发展。特别是在有机场效应晶体管（FETs）中，局部掺杂可用于填补缺陷、调控电荷输运方式并形成理想的欧姆接触，

Silicon wafer 被注入高速、高能量的杂质时，硅晶体结构将会遭受破坏，形成非晶质化。非晶质化会降低电子和空穴的移动度，导致器件性能下降。此外，注入的杂质原子会跑到晶格的间隙里，无法正常发挥作用去改变硅的导电性（无法成为掺杂剂）。

在此，新加坡国立大学林彦玮课题组以及新加坡科学技术研究局高性能计算研究所Jia Zhang等研究人员在Science Advances期刊上发表了题为“Tuning catalyst-support interactions enable steering o

锗量子点（GeQD）因其尺寸依赖的带隙、高吸收系数和高空穴迁移率，在光电器件领域展现出巨大的应用潜力。目前，研究人员已通过多种方法实现了尺寸和形态可调的GeQD合成。固相合成法无需昂贵设施和自燃性前驱体即可实现克级产物制备，但需要精确控制溶胶-凝胶前驱体类型、