GaN HEMT在2.45GHz下创下85.2%的PAE纪录
据日本富士通株式会社（Fujitsu Ltd）报告，基于自支撑GaN衬底的GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）在工业、科学和医疗（ISM，2.4-2.5GHz）保留频段2.45GHz下工作时，实现了85.2%的功率附加效率（PAE）和89.0%的漏极效率（DE
ganhemt
一篇带你了解GaN HEMT最全产品情况
本文对2024年底的在售GaN HEMT器件的各类指标进行分析，同时结合过去几年对GaN HEMT产品的指标进行对比，跟踪近年来的GaN HEMT的技术指标进展、价格变化及主要企业的产品情况。