一文搞懂GaNHEMT缓冲层，到底是掺C还是掺Fe？
相信关注GaN（氮化镓）技术的朋友们都知道，GaN作为第三代半导体材料，拥有高禁带宽度、高电子饱和速度、高击穿电场等得天独厚优势，被誉为未来功率电子和射频应用的“颠覆者”。然而，大部分GaN器件，尤其是目前主流的GaN-on-Si（硅基氮化镓）器件，都需要在G
rf 缓冲层 导通电阻 ganhemt ganhemt缓冲层 2025-06-08 16:33 6
ganhemt
首个基于GaN HEMT的后处理金刚石
美国斯坦福大学与加州大学圣巴巴拉分校（UCSB）宣称，首次在射频（RF）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）上集成了后处理金刚石 [Rohith Soman et al, Appl. Phys. Express, v18, p046503, 2025
GaN HEMT在2.45GHz下创下85.2%的PAE纪录
据日本富士通株式会社（Fujitsu Ltd）报告，基于自支撑GaN衬底的GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）在工业、科学和医疗（ISM，2.4-2.5GHz）保留频段2.45GHz下工作时，实现了85.2%的功率附加效率（PAE）和89.0%的漏极效率（DE
一篇带你了解GaN HEMT最全产品情况
本文对2024年底的在售GaN HEMT器件的各类指标进行分析，同时结合过去几年对GaN HEMT产品的指标进行对比，跟踪近年来的GaN HEMT的技术指标进展、价格变化及主要企业的产品情况。