CO₂RR!高研院/南京理工大学,最新Nature子刊!
晶界位点已被认为是C2+产物形成的有效位点。然而,在常规纳米颗粒(NPs)基催化剂层中,较小的颗粒尺寸促进了晶界位点的形成,并改善了活性位点暴露,而较大的颗粒间隙由于较大的颗粒尺寸而促进了质量传递。
晶界位点已被认为是C2+产物形成的有效位点。然而,在常规纳米颗粒(NPs)基催化剂层中,较小的颗粒尺寸促进了晶界位点的形成,并改善了活性位点暴露,而较大的颗粒间隙由于较大的颗粒尺寸而促进了质量传递。
在航空航天领域,材料的轻量化与高性能始终是核心追求。Al-Li(铝锂)合金凭借其低密度、高比强度等优势,成为替代传统铝合金的明星材料。然而,塑韧性差、各向异性等问题长期制约其广泛应用。最新研究通过成分优化与工艺创新,为这一难题提供了突破性解决方案。本文将带您深
镍(Ni):30-35%,作为基体元素提供奥氏体结构稳定性,使合金在高温下仍保持优良的机械性能。镍含量超过30%时,可显著提升抗氯化物应力腐蚀开裂能力。
化学成分 ti cu ni inconel800 2025-05-08 16:16 3
Cu基材料已经被开发成为一类CO2RR催化剂,通过对C-C偶联的真实活性位点进行化学境控制来产生多碳产物。最近,一些工作证明了通过工程化其电子结构来激活Cu基催化剂用于尿素电合成的C-N偶联能力的可能性。这激发了人们通过工程化Cu基催化剂探索更高效的C-N偶联
通过激光定向能量沉积成功制备了铜 - 钽(Cu-Ta)和铜 - 钽 - 钛(Cu-Ta-Ti)沉积合金。在存在氧杂质和高冷却速率的条件下,证实了铜 - 钽合金中发生了偏晶反应。在铜 - 钽 - 钛合金中加入钛元素,促进了从非共格的铜 / 钽(Cu/Ta)界面向
在微观的生物世界里,一场看不见的战争时刻都在进行着,主角便是极具破坏力的羟自由基,以及与之对抗的抗氧化“卫士”们。其中,金属硫蛋白(MT)和超氧化物歧化酶(SOD)是我们关注的焦点。为何有人说MT消除羟自由基的能力是SOD的10000倍?这背后有着怎样神奇的原
成果简介由于多硫化钠的高溶解度和由此产生的穿梭效应,钠-硫(Na-S)电池面临着巨大的挑战,这会损害循环的稳定性和效率。基于此,
有机硼化合物因其在合成化学、材料科学和生物医学等领域的重要应用价值,其合成方法学研究一直备受关注。在众多碳−硼键构筑策略中,过渡金属催化以其高效性和选择性发挥着关键作用。现有过渡金属(TM)催化的硼化反应大多依赖于三配位硼金属中间体TM−B(sp2)。而四配位
电化学NO3RR涉及多个质子偶联电子转移步骤,因此在整个还原过程中出现了许多含氮中间体(*NO2、*NO、*NH2和*NH2OH等)。其中,*NO2被认为是一个关键的中间体,容易被电解质解吸附并转化为NO2-,导致NH3的选择性降低。
单层二维(2D)过渡金属硫属化合物(TMDCs)及其异质结构最近成为量子材料研究领域的焦点,其界面相互作用可导致新颖的电子关联行为,例如超导、Mott绝缘态和电荷密度波(CDW)。CDW是一种导电材料中的周期性电子态模式。CDW对材料的电子特性例如超导性和绝缘
具有高强度和导电性的三维(3D)复杂铜(Cu)器件,对于包括电信、电子和热管理等在内的广泛应用领域而言至关重要。激光增材制造(AM),也被称为3D打印技术,近年来取得的进展已能够实现具有复杂几何形状的铜部件的净成形。然而,铜的激光增材制造面临的一个重大挑战在于
氨(NH3)作为一种多功能的工业原料,广泛用于氮基肥料、化学品、制药和聚合物的生产。工业NH3的生产依赖于高温高压(即350-450°C和150-200 bar)的Haber-Bosch工艺。这种碳密集型和高耗能的工艺消耗了世界年能源产出的约1%,并产生了全球
多层多元复合微球具有硬度高、导电导热性好、可靠性高等优异性能,是解决三维高密度微电子产品在长期服役条件下互连可靠性问题的一类关键电子材料,其制备技术主要包括合金偏析(气体雾化技术、均匀液滴喷射技术、落管技术)和化学电镀。复合微球通常为多层多元核壳结构,核的主要
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芯片制造是一个复杂而精密的过程,可以大致分为前段(FEOL, Front-End of line)和后段(BEOL, Back-End of Line)两个主要阶段。前段工艺是指对芯片有源部分的制造工序,即在硅片上光刻出的晶体管区域,这是芯片的核心所在;而后段
安徽大学李士阔教授、中国科学技术大学高敏锐教授等人报道了一种铈单原子(Ce-SAs)修饰结晶-非晶双相铜(Cu)催化剂,其中Ce-SAs降低了双相铜的电子密度,降低了界面K+离子水合水(K·H2O)的比例,从而降低了催化剂表面的H*覆盖率。同时,双相Cu向Ce
安徽大学李士阔教授、中国科学技术大学高敏锐教授等人报道了一种铈单原子(Ce-SAs)修饰结晶-非晶双相铜(Cu)催化剂,其中Ce-SAs降低了双相铜的电子密度,降低了界面K+离子水合水(K·H2O)的比例,从而降低了催化剂表面的H*覆盖率。同时,双相Cu向Ce
由可再生电力驱动的乙腈(AN)电催化氢化(ARR)在过去几年中引起了广泛关注。在阴极上AN转化为乙胺(EA)涉及四质子和电子转移过程,相比之下,HER经历了双质子和电子转移机制,与ARR显著竞争。
威刚发布了 LANCER CUDIMM RGB DDR5 高端系列内存,支持动态加速技术,最高拥有 9200MHz ,是该家族目前已知最高表现。
ddr5 cu 威刚 lancer lancercudimm 2025-03-29 19:40 8
On March 28th, the Zhengzhou Youth Palace witnessed the unveiling of Zhengzhou Youth Art Education Achievement Exhibition: River M
黄帝 cu emperor 河泥 yellowemperor 2025-03-28 21:31 8