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MRAM，三项新进展

IEDM是全球最大的半导体器件技术与工艺技术国际学术会议，于2024年12月11日闭幕。这次也有不少值得关注的讲座（研究论文）。在本文中，我们将介绍与磁存储器（MRAM）相关的三项研究成果。

由于通过堆叠200多层实现了单片三维加工工艺，闪存的容量取得了令人惊叹的进步，未来几代产品有望达到1000层。但同样重要的动态随机存取存储器（DRAM）也已经实现了类似可量产的三维架构。然而，要找到一种足够大的电荷存储方式（比如电容器）却一直颇具难度。

中国粉体网讯中国科学技术大学中国科学院微观磁共振重点实验室杜江峰、王亚、夏慷蔚等人在光学信息存储领域取得重要进展，提出并发展基于金刚石发光点缺陷的四维信息存储技术，具备面向实际应用所需高密度、超长免维护寿命、快速读写等关键特性，有望为“数据大爆炸”信息时代所亟

金融界 2024 年 12 月 4 日消息，国家知识产权局信息显示，格科微电子（上海）有限公司取得一项名为“ADC 动态逻辑翻转电路、字线电压选择电路及存储单元电路”的专利，授权公告号 CN 106657834 B，申请日期为 2016 年 12 月。

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