摘要：人类眨眼的时间约为0.4秒，而上海科研团队最新研发的“破晓”闪存器件，仅需400皮秒（0.4纳秒）就能完成一次数据擦写——这相当于每秒执行25亿次操作，比现有最快的存储芯片还要快上千倍。北京时间4月16日，《自然》杂志以封面级研究刊登了这项成果，标志着中国首次

人类眨眼的时间约为0.4秒，而上海科研团队最新研发的“破晓”闪存器件，仅需400皮秒（0.4纳秒）就能完成一次数据擦写——这相当于每秒执行25亿次操作，比现有最快的存储芯片还要快上千倍。北京时间4月16日，《自然》杂志以封面级研究刊登了这项成果，标志着中国首次在半导体存储底层技术领域实现全球引领。

尽管当前主流3D NAND闪存的擦写速度仍停留在微秒级（1微秒=1000纳秒），但“破晓”技术的突破绝非纸上谈兵。研究团队独创的准二维泊松模型，成功预测了电子在半导体材料中的超注入现象，这使得存储单元的电荷控制精度提升至原子级。

更值得关注的是，该技术采用与现有CMOS工艺兼容的设计架构。业内消息显示，长江存储、长鑫存储等龙头企业已启动技术对接，若能在3年内实现量产，中国存储芯片在全球市场的份额有望从目前的8%跃升至25%。

在ChatGPT掀起的大模型军备竞赛中，算力瓶颈的实质是存储与计算的速度失衡。当前最先进的HBM3存储带宽为819GB/s，但面对GPT-5所需的每秒PB级数据吞吐仍显乏力。“破晓”技术将存储延迟压缩至亚纳秒级别，相当于在数据高速公路上拆除所有红绿灯，这或将成为存算一体技术的终极解决方案。

更深远的影响在于产业标准制定权。此前美光、三星等巨头把控着JEDEC（固态技术协会）的存储协议话语权，而中国技术的突破可能催生新一代存储标准，就像5G时代华为推动Polar码成为国际标准一样。

资本市场的三重逻辑链

1. 设备先行者：超高速存储需要更高精度的刻蚀与沉积设备，中微公司的5nm刻蚀机、拓荆科技的原子层沉积技术已进入验证阶段。

2. 材料革新者：存储单元密度提升对硅片缺陷率提出近乎苛刻的要求，沪硅产业12英寸晶圆良品率突破90%，安集科技的钨基抛光液填补国内空白。

3. 生态重构者：兆易创新正在研发的存算一体芯片，或将与华为昇腾处理器形成国产AI算力闭环。

技术突破的另一面是残酷的商业竞争。存储芯片行业存在“双雄定律”——全球前两名企业占据80%以上市场份额。当前三星、美光正在研发基于铪基氧化物的新型存储，其专利壁垒可能形成新的封锁线。

值得注意的是，国家大基金三期已将智能存储控制器芯片列为重点投资方向。从历史经验看，被大基金选中的企业往往能获得3-5倍估值提升，但投资者需警惕技术转化周期风险——即便是当年颠覆行业的3D NAND技术，从实验室到量产也用了整整7年。

当我们为400皮秒的“中国速度”欢呼时，也需要清醒认知：全球存储芯片市场正经历十年来最严重的下行周期。2023年三季度NAND价格跌幅达35%，行业库存周转天数攀升至200天。但历史总是惊人相似——2016年存储寒冬中，长江存储逆势建成国内首条3D NAND产线，最终在2021年行业爆发期斩获千亿订单。

来源：乐叔炒股录