DDR5，涨势放缓
根据TrendForce最新的内存现货价格趋势报告，DRAM方面，DDR5价格已出现放缓迹象，预计2025年第三季度DRAM整体价格涨幅将有所减缓。NAND闪存方面，现货价格自2月下旬以来上涨，目前已达到相对高位，购买动能正在降温。具体情况如下：
nand闪存
联和存储取得NAND闪存存储装置及电子设备专利
国家知识产权局信息显示，联和存储科技（江苏）有限公司取得一项名为“NAND闪存存储装置及电子设备”的专利，授权公告号CN119173038B，申请日期为2024年11月。
铠侠携企业与消费级存储亮相COMPUTEX 2025：新颗粒让AI如鱼得水
在AI时代，除了GPU以及CPU厂商大显风头之外，存储厂商也迎来春天，各种超大容量的AI模型需要存储在超大容量的SSD之中，同时更低的延时以及功耗也让新一代SSD成为数据中心的香饽饽。存储厂商们也乐意加速研发新一代的存储设备，来为客户提供兼顾高性能以及低能耗的
嘉德半导体取得NAND闪存芯片TSOP封装设备专利 有效提高闪存芯片TSOP封装速度
国家知识产权局信息显示，深圳市嘉德半导体技术有限公司取得一项名为“NAND闪存芯片TSOP封装设备”的专利，授权公告号CN222883505U，申请日期为2024年08月。
消息称三星等5大闪存原厂集体减产10至15%，NAND 闪存合约价 2025Q2 预估回升 3~8%
【消息称#三星等5大闪存原厂集体减产10至15%#，NAND 闪存合约价 2025Q2 预估回升 3~8%】5 月 20 日消息，工商时报今天（5 月 20 日）发布博文，报道称三星、SK 海力士、美光、铠侠和西部数据全球五大 NAND 闪存原厂计划 2025
三星芯片业务真要完蛋了？利润腰斩背后的三重危机
这个数字是什么概念？相当于卖100块的内存条，只能赚到4块3毛8毛利，比路边摊卖手机壳的利润还薄。难怪有网友吐槽："三星现在卖的不是芯片，是建筑工地上的砖头。"
英韧科技申请耐用性预知的 NAND 闪存管理专利，提高存储系统性能
金融界 2025 年 5 月 10 日消息，国家知识产权局信息显示，英韧科技股份有限公司申请一项名为“耐用性预知的 NAND 闪存管理”的专利，公开号 CN119943117A，申请日期为 2021 年 12 月。
内存、闪存全面涨价！三星也动手了
无论是DRAM内存还是NAND闪存，降价的势头已经终结，接下来又是一轮涨价潮，所有厂商无一例外，包括领头羊三星。
从数据焦虑到安心存储：闪迪引领移动固态硬盘革新之路
在全民皆可创作的时代，数据焦虑正演化成新型社会现象。从个人照片、视频到工作文档、创意设计，每一天我们都在与海量的信息进行交互，数据的存储与管理已成为数字生活中不可以或缺的一环。随着 NAND 技术的飞速发展，移动固态硬盘以其卓越的性能、便携性和耐用性，正逐步成
SK海力士已汇出最后一笔款项，完成收购英特尔NAND闪存业务
英特尔在2020年10月19日，以90亿美元的价格向SK海力士出售了其NAND闪存以及存储业务。其中包括英特尔的固态硬盘业务、NAND配件和晶圆业务，以及在英特尔在大连的NAND闪存芯片制造厂，但英特尔仍将保留傲腾业务。该笔交易分为两个阶段：2021年12月2
存储巨头集体提价！这波闪存涨价幅度超预期
多家NAND闪存原厂已提前布局，计划在4月上调产品报价，随着多家存储巨头的集体行动，NAND闪存的价格涨幅超过先前的市场预期。
受市场需求疲软等因素影响，预计2025Q1 DRAM和NAND闪存合约价格都将下滑
近日TrendForce发布了新的市场调查报告，表示DRAM市场2025年第一季进入淡季循环，因智能手机等消费性产品需求持续萎缩，加上笔记本电脑等产品因担心美国可能拉高进口关税的疑虑，已提前备货，造成DRAM均价下跌，预计合约价格降幅为0%至5%（不计入HBM
联和存储申请 NAND 闪存存储装置及电子设备专利，能够在既定的面积内提升电容器的静电容量
金融界 2024 年 12 月 25 日消息，国家知识产权局信息显示，联和存储科技（江苏）有限公司申请一项名为“NAND 闪存存储装置及电子设备”的专利，公开号 CN 119173038 A，申请日期为 2024 年 11 月。
联和存储科技取得在NAND闪存中烧录文件系统的专利
国家知识产权局信息显示，联和存储科技（江苏）有限公司取得一项名为“在NAND闪存中烧录文件系统的方法及电子设备、存储介质”的专利，授权公告号 CN 118069167 B，申请日期为 2024年2月。
三星400层NAND闪存技术领先！2025年或实现大规模量产
近期，科技巨头三星公司在NAND Flash闪存技术领域取得了重大进展，成功研发出400层堆叠的NAND Flash技术，并已着手进行大规模生产。这一消息标志着三星在存储技术领域的又一次飞跃，也预示着NAND Flash市场的竞争格局将迎来新的变化。
三星4XX层NAND闪存技术已开发完成，量产在即？
近期，韩国媒体SEDaily发布了一则关于三星电子的最新研发进展。据悉，三星在其内部研发机构已经成功完成了4XX层第10代3D V-NAND闪存的开发工作。这一技术的研发成果，标志着三星在闪存技术领域又迈出了重要的一步。
SK海力士正在NAND闪存领域获得技术优势 觊觎三星的主导地位
根据BusinessKorea的报道，SK海力士在NAND技术方面的优势已经超越了三星，特别是在"单元堆叠"技术方面取得了优势，并且正在向三星在 NAND 闪存市场的宝座发起冲击。SK Hynix 最新的"321 层"NAND 闪存芯片将大幅提升性能，这要归功