旺宏电子申请存储器元件专利，存储器元件可以是具有高容量与高性能的 3D NAND 快闪存储器
金融界 2025 年 3 月 29 日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件”的专利，公开号 CN 119697994 A，申请日期为 2024 年 1 月。
存储器元件
旺宏电子申请三维存储器元件制造方法专利，实现高容量高性能3D NAND闪存元件制造
国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“三维存储器元件的制造方法”的专利，公开号CN 119677110 A，申请日期为2023年9月。
旺宏电子申请存储器元件的制造方法专利，提高存储器元件性能
国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件的制造方法”的专利，公开号CN 119677107 A，申请日期为2023年9月。
旺宏电子申请存储器元件专利，存储器元件具有高容量与高性能
国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件”的专利，公开号CN 119677113 A，申请日期为2023年9月。
旺宏电子申请存储器元件相关制造方法专利，可应用于具有高容量及高性能的三维NAND存储器元件
国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“ 存储器元件的制造方法及钨层的制造方法 ”的专利，公开号CN 119629998 A，申请日期为2023年9月。
旺宏电子申请存储器元件及其形成方法专利，可应用于制造高容量与高性能的 3DNAND 闪存工艺
金融界 2025 年 3 月 19 日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件及其形成方法”的专利，公开号 CN 119629997 A，申请日期为 2023 年 9 月。
旺宏电子申请存储器元件专利，可应用于3D AND闪存
国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件”的专利，公开号CN 119031719 A，申请日期为2023年6月。