重庆芯联申请 LDMOS 器件及其制造方法专利，优化 SAB 工艺窗口 金融界 2025 年 5 月 12 日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种 LDMOS 器件及其制造方法”的专利，公开号 CN119967838A，申请日期为 2025 年 1 月。 器件 专利 ldmos ldmos器件 sab工艺 2025-05-12 21:00 2
