外延基座

西安奕斯伟材料科技申请将硅片在外延基座上对中的专利，提高生产效率并提高偏移位置调整准确性

国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“将硅片在外延基座上对中的方法、系统及设备”的专利，公开号CN 119041024 A，申请日期为2024年8月。