长江存储申请一种半导体器件及其制备方法、存储系统专利，有效减少沟道层和铁电层之间氧化层的形成
国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN 119110593 A，申请日期为2023年6月。
半导体器件
高压电源在半导体测试中的应用
在半导体产业蓬勃发展的今天，高压电源在半导体测试环节扮演着不可或缺的关键角色。半导体器件的性能评估与质量把控高度依赖于精准且可靠的测试过程，而高压电源为这一过程提供了必要的能量基础与测试条件。