摘要：金融界 2025 年 4 月 23 日消息，国家知识产权局信息显示，山东华芯半导体有限公司申请一项名为“一种分析 SSD 内因 NAND Flash 特性导致的读出错误数高的方法、装置及介质”的专利，公开号 CN119851741A，申请日期为 2024 年

金融界 2025 年 4 月 23 日消息，国家知识产权局信息显示，山东华芯半导体有限公司申请一项名为“一种分析 SSD 内因 NAND Flash 特性导致的读出错误数高的方法、装置及介质”的专利，公开号 CN119851741A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本发明涉及存储领域，具体是一种分析 SSD 内因 NAND Flash 特性导致的读出错误数高的方法、装置及介质。首先查看 SSD 内读出错误数高的 block 的 PE、TB、DB 信息，使用 normal read 读取该 block，画出错误数变化趋势图 a。按照读出错误数高的 block 的信息重新正常擦写多个未使用过的 block，然后读取 Block，画出每个 block 的错误数变化趋势图，并取不同 Block 的平均错误数，画出错误数变化趋势图 b。对比图 a 和图 b，分析导致读出错误数高的原因。本发明全面考虑 NAND Flash 的各种特性，通过精确的数据采集和分析，识别出导致读出错误数高的关键因素。

天眼查资料显示，山东华芯半导体有限公司，成立于2008年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本7000万人民币。通过天眼查大数据分析，山东华芯半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息405条，此外企业还拥有行政许可3个。

来源：金融界