摘要：4月14日，美商务部宣布依据《贸易扩展法》第232条款，启动针对半导体制造设备进口调查，评估对国家安全的潜在影响。若调查结果认定存在威胁，美国或将调整现有关税政策。这样一来三星电子、SK海力士、美光科技等存储芯片行业巨头造成冲击。

4月14日，美商务部宣布依据《贸易扩展法》第232条款，启动针对半导体制造设备进口调查，评估对国家安全的潜在影响。若调查结果认定存在威胁，美国或将调整现有关税政策。这样一来三星电子、SK海力士、美光科技等存储芯片行业巨头造成冲击。

此次调查标志着美国政府有意将半导体关税范围扩展至整个供应链，包括芯片制造所需的零部件和设备。此前，台积电、三星电子、SK海力士等企业已在美国投资建厂，但此次“半导体全面关税牌”的打出，显然意在迫使更多相关企业赴美设厂并加大投资。

关税加征遭反噬 三星涨价向终端市场转嫁危机

韩媒《朝鲜日报》报道，三星的大部分DRAM产能均在韩国华城和平泽等地进行生产。但其最大的NAND Flash闪存生产基地——西安工厂，占总产能的40%以上。截至2024年，该厂晶圆年产量达57万片，占比44%。若关税政策调整，三星约四成的NAND Flash产能将直接受影响。

此外，美国持续的监管打击已推高半导体公司的合规成本与业务不确定性，可能影响其长期投资决策。为寻求突破，三星正考虑加码中国市场。2024年，中国市场销售额占三星总业绩的31%，这主要得益于部分中国公司在美国限制前囤积HBM芯片。

2024年，三星受益于拜登政府《芯片法案》，斥资170亿美元在德克萨斯州泰勒市建厂。然而，随着工厂接近完工，设备关税征收时间与进口时间可能重叠，导致投产时间从2024年年底推迟至2026年。这一2年的投产真空期，将进一步加剧三星的资金压力。

3月17日，三星电子会长李在镕发出警告，称公司“失去内生动力，正处于生死存亡关头”。AI芯片业务落后于英伟达和SK海力士，叠加关税冲击，三星的利润空间正被进一步压缩。

为应对危机，三星计划向全球客户提高内存芯片价格，涨幅约为3%-5%。三星声称，由于市场需求增长，DRAM、NAND闪存及HBM等产品价格将持续上涨，并预计在2025年和2026年保持这一趋势。然而，这一举措被视为三星在黔驴技穷下，向市场转嫁成本压力的无奈之举。

目前，三星已开始推进涨价后的新合同谈判。但这一策略可能引发市场连锁反应，不仅影响终端消费者购买成本，还可能扰乱产业链上下游的供需关系和价格体系。

面对复杂多变的国际贸易环境，三星正寻求突破口。据美国参议院披露的信息，三星美国分公司于3月17日与游说咨询企业Continental Strategy签订新协议，针对通信、半导体等关键领域展开游说。值得注意的是，Continental Strategy的合伙人凯蒂·威尔斯与白宫幕僚长苏西·威尔斯存在亲属关系。

此外，2024年三星在美政治游说投入高达698万美元，刷新韩国企业纪录。然而，2025年3月，美国总统川普宣布将废除《芯片法案》，取消对半导体企业的补贴。三星的前期投入和战略布局似乎并未取得预期效果，反而使其陷入更复杂的困境。

来源：数码先锋派