摘要：存储厂华邦电股东会新年报出炉，董事长暨执行长焦佑钧在致股东报告书中指出，该公司全球领先的NOR Flash 45纳米制程正扩大贡献营收，且NAND Flash 24纳米已顺利投入量产。

存储厂华邦电股东会新年报出炉，董事长暨执行长焦佑钧在致股东报告书中指出，该公司全球领先的NOR Flash 45纳米制程正扩大贡献营收，且NAND Flash 24纳米已顺利投入量产。

焦佑钧表示，NOR Flash去年占华邦电营收比重约24%。

至于去年占营收比重约35%的DRAM，焦佑钧表示，最新制程20纳米将取代25S纳米成为主力制程，下一代16纳米的制程开发则按计划进行中。

在产品方面，焦佑钧说明，1.2V NOR Flash是第一个支持超低电压操作的闪存，以其低功耗特性获得客户认证并已大量出货，此产品预期将趋动低电压NOR Flash在各应用领域市场的发展。

此外，华邦电的NOR Flash 45纳米制程进一步缩小芯片尺寸，满足客户对小尺寸应用的需求。

上述这些产品皆积极扩展至穿戴型设备及物联网等应用。

来源：随性自由的溪流qJt一点号