摘要:上期我们提到,芯片封装发展的第三阶段(1990年代),代表类型是BGA(球形阵列)封装。早期的BGA封装,是WB(Wire Bonding,引线) BGA,属于传统封装。
之前讲了封装的基础知识,还有传统封装的工艺流程:
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今天开始,连续三篇,小枣君重点讲讲先进封装的工艺流程。
第1篇,先介绍一下倒装封装。
█ 倒装封装(Flip Chip)
业界普遍认为,倒装封装是传统封装和先进封装的分界点。
上期我们提到,芯片封装发展的第三阶段(1990年代),代表类型是BGA(球形阵列)封装。早期的BGA封装,是WB(Wire Bonding,引线) BGA,属于传统封装。
后来,芯片的体积越来越小,而单颗芯片内的焊盘数量越来越多(接近或超过1000个)。传统的引线封装,已经无法满足要求。
于是,采用倒装技术替换焊线的FC BGA封装,就出现了。
所谓“倒装”,就是在晶粒上创造一些由焊料制成的“凸点”或“球”。然后,把晶粒反转过来,让凸点对准基板上的焊盘,直接扣在基板上。
通过加热,让熔融的凸点与基板焊盘相结合,实现晶粒与基板的结合。
WB BGA与FC BGA
我们来看看具体的工艺流程。
以FC BGA为例。前面减薄、切割、清洗、光检,和WB BGA(传统封装)差不多。
要把晶粒与基板连在一起(后面会说,这叫“键合”),开始不一样了。
第一步,是凸点制作(Bumping)。
倒装封装包括热超声、回流焊和热压三种工艺,其凸点分别使用金球、锡球和铜柱。
热超声,是在超声和温度的共同作用下, 将金凸点“粘”在基板的焊盘上。这种方式,适用于I/O密度较小的芯片。
回流焊,是在锡凸点表面涂覆助焊剂,再通过热回流加热,进行焊接。这种方式也适合I/O密度较小(凸点间距40-50μm)的芯片。
热压(Thermal Compression Bonding,TCB),采用高深宽比、小尺寸的铜柱凸点,直接加热粘结。这种方式能够实现高密度互联,适用于I/O密度较大(凸点间距40-10μm)的芯片。
金凸点的成本高。相比之下,铜柱凸点的电性能、散热性能比较好,制备难度均衡,成本也比较低,所以用得比较多。
电子显微镜下的凸点
制作凸点的流程比较复杂。其实说白了,就是前面晶圆制造时的那套工艺,例如沉积、光刻、刻蚀等。
沉积包括UBM(Under Bump Metallization,凸点下金属化层)的沉积和凸点本身的沉积。UBM位于凸点与芯片焊盘(金属垫,Al pad铝垫层)之间,起到增强凸点附着力、提高电导率和热导率的作用。
UBM的沉积,通常采用溅射(Sputtering)、化学镀(Electroless)、电镀(Electroplating)的方式实现。
凸点本身的沉积,通常采用电镀、印刷、蒸镀、植球的方式实现(前两者比较常见)。
大致的流程,看下面的示例图应该能懂(不懂的话,可以回顾晶圆制造那一期的内容):
比较特别的是,最后多了一个步骤——“回流”,把锡帽变成了子弹头形状。
第二步,是对准和贴装。
简单来说,就是使用精密的贴装设备,将晶粒上的凸点与基板上的焊盘进行精确对准,然后通过回流焊等工艺,实现凸点与焊盘的连接。
回流焊的大致过程:
回流焊流程
先将晶粒(芯片)的凸点沾上助焊剂,或者在基板上加定量的助焊剂。助焊剂的作用,是去除金属表面氧化物并促进焊料流动。
然后,用贴片设备将晶粒精准地放到基板上。
接下来,将晶粒和基板整体加热(回流焊),实现凸点和焊盘之间的良好浸润结合(温度和时长需要严格控制)。
最后,清洗去除助焊剂,就OK了。
凸点数量较多、间距较小时,回流焊容易导致出现翘曲和精度问题。于是,这个时候就可以用热压(TCB)工艺。
热压流程
前文提到,热压(TCB)工艺非常适合更多凸点、更小凸点间距的芯片。它利用高精度相机完成芯片间的对准,并通过控制热压头的压力与位移接触基座,施加压力并加热,实现连接。(后续我们讲混合键合,会再提到热压。)
第三步,底部填充。
连接之后,大家会注意到,晶粒和基板之间的区域是空心结构。(芯片底部的焊球分布区,也叫C4区域,Controlled Collapse Chip Connection,“可控塌陷芯片连接”。)
为了避免后续出现偏移、冷焊、桥接短路等质量问题,需要对空心部分进行填充。
填充和传统封装的塑封有点像,使用的是填充胶(Underfill)。不仅能够固定晶粒,防止移动或脱落,还能够吸收热应力和机械应力,提高封装的可靠性。
底部填充工艺一般分为三种:毛细填充(流动型)、无流动填充和模压填充。
一般来说,倒装封装都是以毛细填充为主。方法比较简单:清洗助焊剂之后,沿着芯片边缘,注入底部填充胶。底部填充胶借助毛细作用,会被吸入芯片和基板的空隙内,完成填充。
填充之后,还要进行固化。固化的温度和时间,取决于填充胶的种类和封装要求。
以上,就是倒装封装(凸点工艺)的大致流程。
相比传统封装,倒装封装的优势非常明显:
1、能够实现高密度的I/O电气连接,有利于减小芯片的体积。
2、凸点连接,相比引线,可靠性也更强。
3、信号传输路径大大缩短,减少寄生电容和电感,提高信号的完整性。
4、晶粒和基板直接接触,热量能够快速传导并散发出去。
凸点(bump)的制造过程与晶圆制造(前道)过程非常相似,本身又介于晶圆制造(前道)和封装测试(后道)之间。所以,也被称作“中道”工序。
后面会提到的TSV和RDL,也是中道工序。
最近这十几年,先进封装高速发展,凸点工艺也一直在演进。
从球栅阵列焊球(BGA Ball)到倒装凸点(FC Bump),再到微凸点(μBump),凸点的尺寸在不断缩小,技术难度也在不断升级。
后续小枣君要提到的芯片堆叠、还有立体封装(2.5D/3D),很多都是以凸点工艺为基础。它的重要性不言而喻,请大家一定要注意。
3D封装中的微凸点(μBump)
█ 键合
插播一个概念——键合(Bonding)。
上期小枣君介绍了传统封装里的引线封装。刚才,又介绍了倒装封装。
这种将晶圆和晶圆、晶圆和基板“粘贴”在一起的做法,有一个专门的名字,就是键合。
引线封装,叫引线键合。倒装封装,叫倒装键合。
除了这两种键合之外,还有:载带自动键合、混合键合、临时键合等。
· 载带自动键合
载带自动键合(Tape Automated Bonding,TAB),是一种将芯片组装到柔性载带上的芯片封装键合技术。
载带自动键合与引线键合非常类似,主要区别在于引线键合中,芯片的载体是引线框架或者PCB基板。而载带自动键合,用的是柔性载带。
载带自动键合
载带既作为芯片的支撑体,又作为芯片与外围电路连接的引线。
载带自动键合包括以下5个步骤:
1、制作载带:载带其实就是铜箔材料。将铜箔贴合在聚酰亚胺胶带上,经过光刻和蚀刻,形成固定的、精细的导电图形,并制作定位孔和引线窗口,就变成了载带。
2、内引线键合(ILB,Inner Lead Bonding):将预先形成焊点的芯片精确定位后,采用热压或热超声方式同时将所有内引线与芯片焊盘连接。
3、对准和贴装:将芯片贴装在基板上。
4、外引线键合(OLB,Outer Lead Bonding):将载带与基板或PCB对准,通常采用热压方式实现批量键合。
5、注塑保护:这个和引线键合流程差不多,就是形成保护层。
相比于引线键合,载带自动键合适合高密度、细间距的封装要求,具有不错的电气性能和散热性能,适合LCD驱动器等高密度引线连接场合。
在传统、低成本应用中,载带自动键合凭借工艺简单、技术成熟的特点,仍有一定优势。但现在都是更高性能、更高密度封装时代,载带自动键合在应用和普及上,肯定还是不如倒装键合。
混合键合、临时键合,这两个概念非常重要。后续讲到立体封装时,小枣君会详细介绍。
█ CSP(芯片级封装)
再插播一个概念——CSP(Chip Scale Package,芯片级封装)。
前面几期里,提到过CSP,说CSP是芯片小型化封装的一种方式。
CSP是BGA之后开始崛起的。主要原因,就是因为数码产品小型化、便携化,对芯片体积提出了要求。
CSP封装,锡球间隔及直径更小,芯片面积与封装面积之比超过 1:1.14,已经相当接近 1:1 的理想情况,约为普通BGA封装的1/3。
和BGA一样,CSP也分为WB CSP和FC CSP。
通常来说,FC CSP较多应用于移动设备(例如手机)的AP、基带芯片。而FC BGA,较多应用于PC、服务器的CPU、GPU等高性能芯片。
这个知识点大家知道一下就好,不算重点。
好了,今天先讲到这里。
明天是先进封装的第2期,晶圆级封装。后天是先进封装的第3期,也是最后一期,2.5D/3D封装。RDL、TSV/TGV、混合键合、临时键合等关键概念,都会进行详细介绍。
敬请期待!
参考文献:
1、《芯片制造全工艺流程》,半导体封装工程师之家;
2、《一文读懂芯片生产流程》,Eleanor羊毛衫;
3.、《不得不看的芯片制造全工艺流程》,射频学堂;
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5、《什么是芯片封装中的底部填充胶》,半导体封装工程师之家;
6、《混合键合,会取代TCB吗?》,半导体行业观察;
7、《一文了解载带自动焊接(TAB)技术》,小陈婆婆,学习那些事;
8、《先进封装之芯片热压键合简介》,失效分析工程师赵工;
9、《技术发展引领产业变革,向高密度封装时代迈进》,华金证券;
10、《先进封装高密度互联推动键合技术发展,国产设备持续突破》,东吴证券;
11、《算力时代来临,Chiplet 先进封装大放异彩》,民生证券;
12、《先进封装设备深度报告》,华西证券;
13、《芯片热管理,倒装芯片封装“难”在哪?》,道芯IC;
14、维基百科、百度百科、各厂商官网。
来源:鲜枣课堂一点号