一文看懂芯片的封装工艺(先进封装篇1:倒装封装)

360影视 欧美动漫 2025-05-06 14:02 1

摘要:上期我们提到,芯片封装发展的第三阶段(1990年代),代表类型是BGA(球形阵列)封装。早期的BGA封装,是WB(Wire Bonding,引线) BGA,属于传统封装。

之前讲了封装的基础知识,还有传统封装的工艺流程:

「链接」写给小白的芯片封装入门科普

「链接」从入门到放弃,芯片的详细制造流程!

今天开始,连续三篇,小枣君重点讲讲先进封装的工艺流程。

第1篇,先介绍一下倒装封装。

█ 倒装封装(Flip Chip)

业界普遍认为,倒装封装是传统封装和先进封装的分界点。

上期我们提到,芯片封装发展的第三阶段(1990年代),代表类型是BGA(球形阵列)封装。早期的BGA封装,是WB(Wire Bonding,引线) BGA,属于传统封装。

后来,芯片的体积越来越小,而单颗芯片内的焊盘数量越来越多(接近或超过1000个)。传统的引线封装,已经无法满足要求。

于是,采用倒装技术替换焊线的FC BGA封装,就出现了。

所谓“倒装”,就是在晶粒上创造一些由焊料制成的“凸点”或“球”。然后,把晶粒反转过来,让凸点对准基板上的焊盘,直接扣在基板上。

通过加热,让熔融的凸点与基板焊盘相结合,实现晶粒与基板的结合。

WB BGA与FC BGA

我们来看看具体的工艺流程。

以FC BGA为例。前面减薄、切割、清洗、光检,和WB BGA(传统封装)差不多。

要把晶粒与基板连在一起(后面会说,这叫“键合”),开始不一样了。

第一步,是凸点制作(Bumping)。

倒装封装包括热超声、回流焊和热压三种工艺,其凸点分别使用金球、锡球和铜柱。

热超声,是在超声和温度的共同作用下, 将金凸点“粘”在基板的焊盘上。这种方式,适用于I/O密度较小的芯片。

回流焊,是在锡凸点表面涂覆助焊剂,再通过热回流加热,进行焊接。这种方式也适合I/O密度较小(凸点间距40-50μm)的芯片。

热压(Thermal Compression Bonding,TCB),采用高深宽比、小尺寸的铜柱凸点,直接加热粘结。这种方式能够实现高密度互联,适用于I/O密度较大(凸点间距40-10μm)的芯片。

金凸点的成本高。相比之下,铜柱凸点的电性能、散热性能比较好,制备难度均衡,成本也比较低,所以用得比较多。

电子显微镜下的凸点

制作凸点的流程比较复杂。其实说白了,就是前面晶圆制造时的那套工艺,例如沉积、光刻、刻蚀等。

沉积包括UBM(Under Bump Metallization,凸点下金属化层)的沉积和凸点本身的沉积。UBM位于凸点与芯片焊盘(金属垫,Al pad铝垫层)之间,起到增强凸点附着力、提高电导率和热导率的作用。

UBM的沉积,通常采用溅射(Sputtering)、化学镀(Electroless)、电镀(Electroplating)的方式实现。

凸点本身的沉积,通常采用电镀、印刷、蒸镀、植球的方式实现(前两者比较常见)。

大致的流程,看下面的示例图应该能懂(不懂的话,可以回顾晶圆制造那一期的内容):

比较特别的是,最后多了一个步骤——“回流”,把锡帽变成了子弹头形状。

第二步,是对准和贴装。

简单来说,就是使用精密的贴装设备,将晶粒上的凸点与基板上的焊盘进行精确对准,然后通过回流焊等工艺,实现凸点与焊盘的连接。

回流焊的大致过程:

回流焊流程

先将晶粒(芯片)的凸点沾上助焊剂,或者在基板上加定量的助焊剂。助焊剂的作用,是去除金属表面氧化物并促进焊料流动。

然后,用贴片设备将晶粒精准地放到基板上。

接下来,将晶粒和基板整体加热(回流焊),实现凸点和焊盘之间的良好浸润结合(温度和时长需要严格控制)。

最后,清洗去除助焊剂,就OK了。

凸点数量较多、间距较小时,回流焊容易导致出现翘曲和精度问题。于是,这个时候就可以用热压(TCB)工艺。

热压流程

前文提到,热压(TCB)工艺非常适合更多凸点、更小凸点间距的芯片。它利用高精度相机完成芯片间的对准,并通过控制热压头的压力与位移接触基座,施加压力并加热,实现连接。(后续我们讲混合键合,会再提到热压。)

第三步,底部填充。

连接之后,大家会注意到,晶粒和基板之间的区域是空心结构。(芯片底部的焊球分布区,也叫C4区域,Controlled Collapse Chip Connection,“可控塌陷芯片连接”。)

为了避免后续出现偏移、冷焊、桥接短路等质量问题,需要对空心部分进行填充。

填充和传统封装的塑封有点像,使用的是填充胶(Underfill)。不仅能够固定晶粒,防止移动或脱落,还能够吸收热应力和机械应力,提高封装的可靠性。

底部填充工艺一般分为三种:毛细填充(流动型)、无流动填充和模压填充。

一般来说,倒装封装都是以毛细填充为主。方法比较简单:清洗助焊剂之后,沿着芯片边缘,注入底部填充胶。底部填充胶借助毛细作用,会被吸入芯片和基板的空隙内,完成填充。

填充之后,还要进行固化。固化的温度和时间,取决于填充胶的种类和封装要求。

以上,就是倒装封装(凸点工艺)的大致流程。

相比传统封装,倒装封装的优势非常明显:

1、能够实现高密度的I/O电气连接,有利于减小芯片的体积。

2、凸点连接,相比引线,可靠性也更强。

3、信号传输路径大大缩短,减少寄生电容和电感,提高信号的完整性。

4、晶粒和基板直接接触,热量能够快速传导并散发出去。

凸点(bump)的制造过程与晶圆制造(前道)过程非常相似,本身又介于晶圆制造(前道)和封装测试(后道)之间。所以,也被称作“中道”工序。

后面会提到的TSV和RDL,也是中道工序。

最近这十几年,先进封装高速发展,凸点工艺也一直在演进。

从球栅阵列焊球(BGA Ball)到倒装凸点(FC Bump),再到微凸点(μBump),凸点的尺寸在不断缩小,技术难度也在不断升级。

后续小枣君要提到的芯片堆叠、还有立体封装(2.5D/3D),很多都是以凸点工艺为基础。它的重要性不言而喻,请大家一定要注意。

3D封装中的微凸点(μBump)

█ 键合

插播一个概念——键合(Bonding)。

上期小枣君介绍了传统封装里的引线封装。刚才,又介绍了倒装封装。

这种将晶圆和晶圆、晶圆和基板“粘贴”在一起的做法,有一个专门的名字,就是键合。

引线封装,叫引线键合。倒装封装,叫倒装键合。

除了这两种键合之外,还有:载带自动键合、混合键合、临时键合等。

· 载带自动键合

载带自动键合(Tape Automated Bonding,TAB),是一种将芯片组装到柔性载带上的芯片封装键合技术。

载带自动键合与引线键合非常类似,主要区别在于引线键合中,芯片的载体是引线框架或者PCB基板。而载带自动键合,用的是柔性载带。

载带自动键合

载带既作为芯片的支撑体,又作为芯片与外围电路连接的引线。

载带自动键合包括以下5个步骤:

1、制作载带:载带其实就是铜箔材料。将铜箔贴合在聚酰亚胺胶带上,经过光刻和蚀刻,形成固定的、精细的导电图形,并制作定位孔和引线窗口,就变成了载带。

2、内引线键合(ILB,Inner Lead Bonding):将预先形成焊点的芯片精确定位后,采用热压或热超声方式同时将所有内引线与芯片焊盘连接。

3、对准和贴装:将芯片贴装在基板上。

4、外引线键合(OLB,Outer Lead Bonding):将载带与基板或PCB对准,通常采用热压方式实现批量键合。

5、注塑保护:这个和引线键合流程差不多,就是形成保护层。

相比于引线键合,载带自动键合适合高密度、细间距的封装要求,具有不错的电气性能和散热性能,适合LCD驱动器等高密度引线连接场合。

在传统、低成本应用中,载带自动键合凭借工艺简单、技术成熟的特点,仍有一定优势。但现在都是更高性能、更高密度封装时代,载带自动键合在应用和普及上,肯定还是不如倒装键合。

混合键合、临时键合,这两个概念非常重要。后续讲到立体封装时,小枣君会详细介绍。

█ CSP(芯片级封装)

再插播一个概念——CSP(Chip Scale Package,芯片级封装)。

前面几期里,提到过CSP,说CSP是芯片小型化封装的一种方式。

CSP是BGA之后开始崛起的。主要原因,就是因为数码产品小型化、便携化,对芯片体积提出了要求。

CSP封装,锡球间隔及直径更小,芯片面积与封装面积之比超过 1:1.14,已经相当接近 1:1 的理想情况,约为普通BGA封装的1/3。

和BGA一样,CSP也分为WB CSP和FC CSP。

通常来说,FC CSP较多应用于移动设备(例如手机)的AP、基带芯片。而FC BGA,较多应用于PC、服务器的CPU、GPU等高性能芯片。

这个知识点大家知道一下就好,不算重点。

好了,今天先讲到这里。

明天是先进封装的第2期,晶圆级封装。后天是先进封装的第3期,也是最后一期,2.5D/3D封装。RDL、TSV/TGV、混合键合、临时键合等关键概念,都会进行详细介绍。

敬请期待!

参考文献:

1、《芯片制造全工艺流程》,半导体封装工程师之家;

2、《一文读懂芯片生产流程》,Eleanor羊毛衫;

3.、《不得不看的芯片制造全工艺流程》,射频学堂;

4、《摩尔定律重要方向,先进封装大有可为》,华福证券;

5、《什么是芯片封装中的底部填充胶》,半导体封装工程师之家;

6、《混合键合,会取代TCB吗?》,半导体行业观察;

7、《一文了解载带自动焊接(TAB)技术》,小陈婆婆,学习那些事;

8、《先进封装之芯片热压键合简介》,失效分析工程师赵工;

9、《技术发展引领产业变革,向高密度封装时代迈进》,华金证券;

10、《先进封装高密度互联推动键合技术发展,国产设备持续突破》,东吴证券;

11、《算力时代来临,Chiplet 先进封装大放异彩》,民生证券;

12、《先进封装设备深度报告》,华西证券;

13、《芯片热管理,倒装芯片封装“难”在哪?》,道芯IC;

14、维基百科、百度百科、各厂商官网。

来源:鲜枣课堂一点号

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