摘要：国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN119967957A，申请日期为2023年11月。

金融界2025年5月14日消息，国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN119967957A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：衬底，位于所述衬底上的缓冲层以及位于所述缓冲层远离所述衬底一侧的发光结构；所述缓冲层包括第一区域和环绕所述第一区域的第二区域；光阻结构，所述光阻结构通过对所述缓冲层的第二区域选择性刻蚀形成，所述光阻结构用于抑制发光结构发出的光侧向传播；所述发光结构包括发光单元，所述发光单元与所述第一区域对应设置。本发明的光阻结构在垂直缓冲层表面的方向上具有较高的反射率，可以抑制发光结构发出的光透过第二区域侧向传播，减小光损失，避免信号串扰，发光单元与第一区域对应设置，使得发光结构发出的光仅从缓冲层的第一区域的出光面发出，可以提高出光效率。

天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息287条，此外企业还拥有行政许可24个。

来源：金融界