摘要：国家知识产权局信息显示，安普莱西娅有限责任公司;X-FAB全球服务有限公司申请一项名为“具有混和型接触的CMOS”的专利，公开号CN120187069A，申请日期为2020年11月。

金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，安普莱西娅有限责任公司;X-FAB全球服务有限公司申请一项名为“具有混和型接触的CMOS”的专利，公开号CN120187069A，申请日期为2020年11月。

专利摘要显示，一种MOSFET晶体管结构，其包括：具有第一掺杂剂极性的阱区；源极区；漏极区；沟道区；该沟道区上方的栅极结构；该源极区或该漏极区中的具有第二掺杂剂极性的混和型接触注入物；及该源极区、该栅极结构及该漏极区中的每一者上或内的各别金属接触。该混和型接触注入物与该源极区或该漏极区上或内的该金属接触分别组合以形成界定第一、第二及第三电接面的混和型接触。该第一电接面为分别垂直地形成于源极金属接触或漏极金属接触与该阱区之间的肖特基接面。该第二电接面为分别侧向地形成于该源极金属接触或该漏极金属接触与该混和型接触注入物之间的欧姆接面。该第三电接面为该混和型接触注入物与该沟道区之间的整流PN接面。

来源：金融界