一博科技取得一种优化DDR5颗粒扇出信号质量的PCB结构专利,优化DDR5颗粒扇出信号质量

摘要:国家知识产权局信息显示,珠海市一博科技有限公司取得一项名为“一种优化DDR5颗粒扇出信号质量的PCB结构”的专利,授权公告号 CN 222147880 U,申请日期为2024年2月。

金融界2024年12月16日消息,国家知识产权局信息显示,珠海市一博科技有限公司取得一项名为“一种优化DDR5颗粒扇出信号质量的PCB结构”的专利,授权公告号 CN 222147880 U,申请日期为2024年2月。

专利摘要显示,本实用新型公开了一种优化 DDR5颗粒扇出信号质量的PCB结构,应用于 DDR5拓扑链路的颗粒扇出走线段L3中,包括:PCB板;信号走线,设置在PCB板上,包括若干第一信号走线和若干第二信号走线,第二信号走线为GND信号走线;信号过孔,设置在PCB板上,包括若干第一信号过孔和若干第二信号过孔,第二信号过孔为GND回流孔,第一信号走线与第一信号过孔电连接,GND信号走线与 GND回流孔电连接;其中,相邻两个第一信号过孔之间的中心间距大于0.8mm,每个第一信号过孔的0.8mm中心间距以内至少存在一个GND回流孔。本实用新型不需要增加其他的器件和设计或加工成本,优势非常明显,具有广泛的应用前景。

来源:金融界

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