摘要:说起芯片,估计大家脑子里蹦出的第一印象就是手机、电脑里那块小小的“硅片”,它可是现代科技的命脉。
文 | 人文社
编辑 | 人文社
«——【引言】——»
说起芯片,估计大家脑子里蹦出的第一印象就是手机、电脑里那块小小的“硅片”,它可是现代科技的命脉。
而光刻机,就是制造芯片的“神器”,能把比头发丝还细上亿倍的电路刻在硅片上。
2025年,国际权威的投资银行高盛抛出一份报告,直言中国光刻机技术集中在65纳米,离荷兰ASML的尖端水平差了大概20年。
这话听起来有点扎心,但别急,事情远没这么简单。
中国光刻机产业正在逆风翻盘,从实验室到工厂,从90纳米到28纳米的每一步,都透着不服输的劲头。
今天就大家看看,中国光刻机的追赶之路,讲讲那些不为人知的努力和希望。
芯片
简单说,就是中国光刻机现在能刻的电路,线宽大概是65纳米,而ASML的极紫外光(EUV)光刻机已经能搞定1.4纳米以下的超精细工艺。
这差距,听起来像是在用老式诺基亚跟最新款智能手机比拼。
ASML的High—NA EUV光刻机,180吨重,体积堪比双层巴士,一台卖4亿美元,贵得让人咋舌。
反观中国,上海微电子的SSA600系列光刻机,主打90纳米,28纳米的SSA800—10W还在试水阶段,离量产还有段距离。
这20年的差距,不光是技术参数的差别。
光刻机是个“高精尖”的玩意,涉及光源、光学系统、精密工作台,每一块都得靠全球顶尖科技堆砌。
ASML背后有德国蔡司的镜片、德国通快的激光器,还有美国的核心专利,供应链横跨七八个国家。
中国起步晚,底子薄,还得面对技术封锁,难度可想而知。
ASML牛气冲天,2024年全球光刻机市场82%的份额都被它拿下,尤其在7纳米以下的EUV技术上,几乎是“一家独大”。
有趣的是,中国大陆是ASML的最大买家,2024年贡献了36%的销售额。
可惜,受美国主导的出口管制,中国买不到EUV光刻机,只能靠老款的深紫外光(DUV)设备撑场面。
这就像你去超市买菜,人家不卖最新鲜的食材给你,只能拿点次新的凑合。
2025年第二季度,ASML赚得盆满钵满,销售额77亿欧元,净利润23亿欧元,毛利率高达53.7%。
这数字背后,是全球半导体产业的“食物链”:ASML吃肉,供应商喝汤,中国却得在夹缝里找机会。
这种市场依赖和技术限制的矛盾,逼着中国必须自己动手,打造属于自己的光刻机。
光刻机的核心是个“光”字。
ASML的EUV光刻机用13.5纳米波长的极紫外光,靠高功率激光轰击直径30微米的锡球,温度飙到50万度,每秒轰5万次,精准得像在高速路上用针扎气球。
这套光源系统,德国通快公司花了十年才搞定,零件多达4.57万个,还得靠立陶宛的设备支持。
我们没走ASML的老路,而是另辟蹊径。
2010年,清华大学赵午教授和他的博士生提出了“稳态微聚束(SSMB)”原理,用粒子加速器生成EUV光源。
这招有点像“换个赛道跑”,不跟ASML拼激光轰锡球,而是用加速器来“点亮”光源。
2017年,唐传祥教授团队联合德国同行,完成了理论分析和初步实验,2021年他们在《自然》杂志上发表了论文。
这论文一出,全球都瞅了一眼:中国在光源技术上,算是迈出了第一步。
不过,说实话,SSMB现在还停在实验室,离装进光刻机差得远。
但这火苗已经点燃,证明中国有能力在最硬核的领域摸索出自己的路。
光刻机不只是台机器,它是个“生态圈”。
光源有了,还得有光学镜头、精密工作台、控制软件,光刻胶、硅片,一个都不能少。
上海微电子的28纳米光刻机研发,关键部件国产化率已经超过90%,这数字听着挺提气。
从光刻胶到光学镜片,从机械臂到控制系统,中国企业正在一块块拼起这张复杂拼图。
比如,华为的麒麟9000s芯片,用的是ASML的DUV光刻机,通过多重曝光技术硬生生刻出了7纳米。
这招“多重曝光”,就像在纸上画格子,画完一层挪一点再画一层,硬是把193纳米波长的光“榨”出了7纳米的精细度。
虽然良率不高,废品率偏高,但能做到这一步,已经让不少人刮目相看。
这背后,是中国企业在逆境中的死磕精神。
面对技术封锁,中国没一股脑儿扎进EUV的深水区,而是先在90纳米到28纳米的“成熟工艺”上站稳脚跟。
这些工艺听起来不那么“高大上”,但却是5G基站、汽车电子、物联网设备的主力军。
中芯国际靠着ASML的DUV设备,量产了7纳米芯片,支撑了华为等企业的供应链。
这种“以退为进”的打法很务实。
成熟工艺市场大、需求稳,中国企业通过规模化生产和成本控制,已经在全球市场占了一席之地。
2024年,中国半导体设备市场规模突破千亿元,说明下游需求旺盛,给国产光刻机提供了宝贵的“练兵场”。
光刻机的技术路线,不是只有ASML一条道。
中国的策略,是在现有条件下“榨干”DUV的潜力,同时探索EUV的替代方案。
SSMB光源就是一例,未来如果能实用化,可能绕开ASML的专利壁垒。
还有多重曝光技术,虽然费时费力,但硬是让DUV设备“老树开新花”,撑起了7纳米的生产线。
更长远看,中国还在布局新型光刻技术,比如基于电子束或离子束的光刻方案。
这些技术现在听起来有点“科幻”,但谁能保证未来不会成为主流?
毕竟,科技的赛道上,弯道超车的机会从来不缺。
光刻机研发烧钱,风险高,没点“家底”根本玩不转。
国家通过重大专项和产业基金,给企业输血,上海微电子、长春光机所等单位得以埋头攻关。
地方政府的“助攻”也不少,比如上海、深圳等地打造半导体产业集群,让研发和生产无缝对接。
市场这边,中国的优势更明显。
全球最大的芯片消费市场就在中国,手机、电脑、汽车、AI设备,哪个不需要芯片?
这种需求拉动,让国产光刻机有足够的机会“上机”测试、优化。
2023年,国内晶圆厂的设备采购中,国产设备占比已接近30%,这数字还在涨。
半导体技术可不只有光刻机一条路。
随着芯片进入3D堆叠时代,晶体管不再是“平面画图”,而是“搭积木”式堆叠。
这种技术对光刻机的依赖度降低,对工艺优化的要求更高。
2024年,中国在3D NAND存储芯片上实现量产,长江存储的128层闪存芯片已经能跟国际大厂掰手腕。
这说明,在新兴领域,中国并不完全是“追赶者”。
还有新型材料,比如碳基芯片、石墨烯、量子器件,这些技术还在早期,但起跑线相对公平。
中国如果能在这些赛道上抢占先机,未尝不能实现“换道超车”。
ASML看似风光,但它也“被卡脖子”。
85%的零部件靠全球供应商,核心专利握在美国手里,生产一台EUV光刻机得七八个国家点头。
这几年,地缘政治让全球供应链抖了三抖,ASML对中国的依赖也在重新洗牌。
2024年,中国市场占ASML销售额的36%,但管制让ASML不敢“一条腿走路”。
这种变局,给中国争取了时间,也打开了国际合作的空间。
比如,中国跟德国、韩国的技术合作正在加深。
SSMB光源的突破,就有德国团队的参与。
未来,如果能吸引更多国际资源,中国光刻机的“朋友圈”会越来越大。
高盛说20年差距,数字冷冰冰,但中国的光刻机故事却热气腾腾。
从65纳米到28纳米的每一步,都是无数科研人员、工程师日夜奋战的成果。
SSMB光源的理论突破,产业链的逐步完善,成熟工艺的站稳脚跟,都在告诉我们:差距是现实,但希望更真实。
半导体这行,不是百米冲刺,而是马拉松。
ASML用了22年才把EUV光刻机从图纸变成现实,中国虽然起步晚,但跑得快。
从实验室到工厂,从理论到应用,中国光刻机正在用自己的节奏,追赶那个看似遥远的背影。
65纳米只是个起点,未来的中国光刻机,定能在全球舞台上,刻下属于自己的传奇。
参考资料:华硕科技——高盛:中国先进芯片制造业落后西方技术20年
来源:渣叔罗影