海归学者发起的公益学术平台分享信息，整合资源摘要：卸任协和医学院院校长后，王辰再被免去中国工程院副院长系外彗星3I/ATLAS 比想象的更加古怪冰为什么会滑？德国学者给出不同解释世界首次，澳大利亚将为考拉接种衣原体疫苗新型互补单晶硅垂直沟道晶体管架构
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卸任协和医学院院校长后，王辰再被免去中国工程院副院长
系外彗星3I/ATLAS 比想象的更加古怪
冰为什么会滑？德国学者给出不同解释
世界首次，澳大利亚将为考拉接种衣原体疫苗
新型互补单晶硅垂直沟道晶体管架构
学界头条1.卸任协和医学院院校长后，王辰再被免去中国工程院副院长9月11日，据人社部官网消息，王辰被免去中国工程院副院长职务。
王辰，呼吸病学与危重症医学专家，中国工程院院士，美国国家医学院外籍院士。2018年1月，任中国医学科学院（北京协和医学院）党委常委、院校长。5月，任中国工程院党组成员、副院长。2025年8月，王辰卸任北京协和医学院院校长。
参考文献：https://www.mohrss.gov.cn/SYrlzyhshbzb/sydqjdxs/SYguowuyuanrenmian/202509/t20250911_558680.html
哈勃太空望远镜于2025年7月21日拍到的图像
图源：NASA, ESA, David Jewitt/UCLA
来自太阳系外的第三个实体： 3I/ATLAS 即将进入太阳系，随着距离的缩短，对它的观察更加清晰了，NASA和欧洲空间局联合使用四台强大的望远镜——哈勃太空望远镜、球面红外巡天任务（SPHEREx）、詹姆斯·韦伯太空望远镜（JWST）以及凌日系外行星勘测卫星（TESS）——对其进行观测后发现，这颗来自太阳系外的彗星在诸多特性上都不寻常。其中最显著的一点是，它的彗发（二氧化碳蒸气为主）比例异常之高，远超一般太阳系彗星。
更令人惊讶的是，利用TESS的历史观测数据，研究人员发现 3I/ATLAS 早在 2025年5月、距离太阳约6个天文单位时就已开始活跃，远早于大多数彗星的“苏醒”时刻。这可能意味着，它内部的二氧化碳冰远比水冰更容易在低温下升华，从而在仍远离太阳时就释放出气体。SPHEREx与JWST的联合观测进一步显示，在大约 3.3 至 3.1 个天文单位的距离上，3I/ATLAS 的水与二氧化碳比例约为 1:8，表明二氧化碳占据主导。与此同时，哈勃望远镜的影像估算其彗核半径约 2.8 公里，而外层彗发可扩展至数十万公里，显示其极强的物质释放能力。
https://www.sciencealert.com/4-powerful-telescopes-agree-interstellar-comet-3i-atlas-really-is-bizarre前沿研究3.冰为什么会滑？德国学者给出不同解释
图源：AG Müser
人们在实际生活中都有体验，走在冰面或者结冰的路面上很容易滑倒，传统的解释是在冰面之上加上压力或摩擦会使冰微微融化，形成一层水膜，使表面变得滑溜溜，这一观点可以追溯到十九世纪詹姆斯·汤姆森的理论。根据这种说法，鞋底的温度、人的体重，乃至滑行动作都可能产生热量或压力，促使冰表面部分融化。德国萨尔兰大学的物理学家团队利用先进的计算模拟发现，这种解释并不正确。在冰与鞋底等接触面之间，分子偶极子之间的相互作用才是核心。当一个物体接触冰面时，其材料（如鞋底）分子的极性（部分正电与负电）与冰中分子的极性互相扰动，破坏了冰晶体表面的有序结构，迅速使表面分子发生混乱，形成类似液体的薄层。这种“结构混乱”即使在极低温度下也可能发生，而不需要明显的压力或摩擦加热。参考来源：
https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/1plj-7p4z
4.世界首次，澳大利亚将为考拉接种衣原体疫苗
研究人员为考拉接种疫苗
图源：University of The Sunshine Coast
阳光海岸大学的研究人员费时十年研发出了一种单价疫苗，可保护考拉免受衣原体感染的影响。据悉，衣原体感染会导致考拉尿路感染、不孕、失明甚至死亡，其中衣原体感染是澳洲野生考拉死亡最首要的原因，半数以上的考拉死亡是其所致。阳光海岸大学生物创新中心微生物学教授Peter Timms 表示：“一些种群每天都在逐渐接近局部灭绝。特别是在昆士兰东南部和新南威尔士州，那里的种群感染率通常在50%左右，某些情况下甚至高达70%。”
此前，人们主要使用抗生素来治疗考拉的衣原体感染，但这些药物常常干扰考拉消化其主食桉树叶的能力，使其营养不良甚至饿死。研究负责人Sam Phillips表示：“这项研究发现，该疫苗降低了繁殖年龄考拉出现衣原体症状的可能性，并将野生种群因该疾病导致的死亡率降低了至少65%。” 这是对野生考拉进行的最大规模、最长时间的研究。
参考来源：
https://www.theguardian.com/environment/2025/sep/11/koala-chlamydia-vaccine-how-will-it-work
(a) 单片集成CVFET器件架构图； (b)单片集成CVFET器件的TEM截面图和（c-f）EDX元素分布图
近日，中国科学院微电子研究所研究人员基于自主研发的垂直沟道技术，研发出优于互补场效晶体管架构（CFET）的单片集成互补垂直沟道晶体管结构（CVFET）。该架构制造工艺采用与CMOS制造工艺兼容的双侧面技术，通过两步外延工艺分别控制纳米片沟道厚度和栅极长度，实现n型和p型纳米片晶体管的上下堆叠和自对准一体集成。CVFET具有如下电学特性：上下层器件亚阈值摆幅分别为69 mV/dec和72 mV/dec，漏致势垒降低分别为12 mV/V和18 mV/V，电流开关比分别为3.1×106和5.4×106。CVFET的CMOS反相器可实现正常的信号相位反转功能，在1.2 V电源电压下，反相器增益为13 V/V；在0.8 V工作电压下，高电平噪声容限和低电平噪声容限分别为0.343 V和0.245 V。
参考来源：
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