摘要:中国存储芯片行业正处于周期复苏+技术升级+国产替代的三重共振阶段,迎来历史性发展机遇。随着美国撤销三星、SK海力士在华工厂"经验证最终用户"(VEU)授权,全球半导体供应链进入深度重构,国产替代窗口全面打开 。2025年9月1日,A股存储芯片板块强势爆发,兆易
中国存储芯片行业正处于周期复苏+技术升级+国产替代的三重共振阶段,迎来历史性发展机遇。随着美国撤销三星、SK海力士在华工厂"经验证最终用户"(VEU)授权,全球半导体供应链进入深度重构,国产替代窗口全面打开 。2025年9月1日,A股存储芯片板块强势爆发,兆易创新、万润科技、长电科技等个股集体大涨,板块指数单日涨幅超2.5%,这标志着存储芯片板块新一轮行情的开启 。
核心投资逻辑:
1. 政策收紧加速国产替代:美国政策调整导致三星西安工厂、SK海力士无锡工厂的产能扩张和技术升级受限,长江存储、长鑫存储等国产厂商迎来明确市场缺口 。大基金三期2500亿元注资重点支持存储全产业链,目标2027年实现存储芯片自给率40%以上 。
2. 全球存储价格触底反弹:2025年Q2,NAND Flash价格环比涨5%-15%,DRAM单月涨幅近50%,三星、美光、SK海力士等巨头集体提价,行业进入复苏周期 。
3. AI技术革命引爆需求:AI服务器需求井喷,单台AI服务器DRAM用量达普通服务器8倍,HBM价格暴涨300%,2025年全球HBM市场规模将突破250亿美元 。
4. 技术路线加速迭代:长江存储232层3D NAND良率提升至90%,成本低于国际大厂15%-20%;长鑫存储计划2026年量产HBM3,2027年研发HBM3E,打破韩国厂商垄断 。
本报告将从**短期(3-6个月)、中期(1-2年)、长期(3年以上)**三个时间维度,对存储产业链各环节(设计、制造、封测、模组、材料)的投资机会进行全面分析,为投资者提供清晰的投资路径。
一、存储芯片行业概述:周期复苏中的结构性机遇
1.1 存储芯片市场规模与结构
存储芯片是半导体产业的重要组成部分,根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)数据,2025年全球存储芯片市场规模预计将达到1890亿美元,同比增长13%,在全球半导体芯片市场中占比超过27% 。中国市场同样保持着良好的增长态势,2024年中国存储芯片市场规模达4267亿元,同比增长8%,预计2025年将突破4500亿元 。
存储芯片主要分为DRAM、NAND Flash、NOR Flash和SRAM等几大类别,其中DRAM和NAND Flash占据市场主导地位,合计市场份额达99% 。从应用领域来看,存储芯片广泛应用于智能手机、个人电脑、服务器、智能汽车、物联网设备等多个领域,是支撑AI、云计算、物联网、新能源汽车等产业发展的"数字基石" 。
1.2 行业周期性特征与当前位置
存储芯片行业具有明显的周期性特征,但随着AI等新兴需求的出现,行业周期性特征正逐渐弱化,呈现周期性与结构性变化交织的新特点 。回顾过去几年,存储市场经历了从下行周期到复苏的复杂历程:
- 2021-2022年:存储市场遭受重创,DRAM价格下跌57%,NAND价格同期下跌55%
- 2023年下半年:市场出现积极变化,减产效应逐渐显现,终端需求逐步回暖,存储芯片市场开始走出下行周期
- 2024年:全球AI浪潮兴起,成为推动存储需求爆发的关键因素,存储芯片市场加速复苏,行业景气度攀升
- 2024年下半年至2025年初:存储价格出现波动,消费类存储产品价格下跌明显,但HBM价格持续上涨
- 2025年5月至今:存储市场逐渐进入全面复苏期,价格上涨幅度和速度均超出业内预期
当前,存储行业处于新一轮复苏周期的初期,根据TrendForce最新数据,2025年第三季度PC用DDR4合约价涨幅预计扩大至18%-23%,服务器DDR4涨幅达8%-13%;NAND Flash合约价涨幅亦上修至5%-10%,第四季度有望进一步攀升至8%-13% 。
1.3 驱动因素分析:三重因素推动行业变革
1. AI需求爆发成为核心驱动力
AI大模型需要在瞬间处理海量的数据,对存储芯片的性能提出了更高要求。一台标准AI训练服务器,需要640GB HBM + 4TB DDR5 + 128TB SSD,存储部分接近整机成本的40%以上 。这意味着每部署一台AI服务器,对存储芯片的需求是传统架构的数十倍 。
AI不仅在数据中心领域需求旺盛,在智能手机、个人电脑、智能穿戴等领域的加速渗透,也进一步推动了对更高容量和更高性能存储芯片的需求。目前AI手机的DRAM配置已提升至16GB,AI个人电脑设备的内存容量也普遍达到32GB 。
2. 产业升级与产品结构调整
各大存储厂商主动进行"控货",美光已正式向客户发出DDR4停产通知(EOL),未来2-3个季度将逐步停止消费级、PC及数据中心用DDR4出货,产能全面转向DDR5、LPDDR5及HBM 。三星、SK海力士也在缩减成熟制程DRAM产能,转投HBM3E和GDDR7 。
这种转变主要源于利润率的考量,DDR5、LPDDR5、HBM这些先进制程产品,不仅单价高,毛利率也远超DDR4。在AI和高端手机的拉动下,厂商宁愿牺牲短期出货量,也要把产能留给高价值产品 。
3. 国产替代进程加速
美国商务部于2025年8月29日将三星中国半导体有限公司、SK海力士半导体(中国)有限公司、英特尔半导体(大连)有限公司移出"经验证最终用户"(VEU)授权名单,未来这些企业在华工厂采购美国高端设备需逐案申请许可证 。这一政策变化导致三星西安工厂(全球最大NAND闪存生产基地之一)、SK海力士无锡工厂(最大海外DRAM生产基地)的产能扩张和技术升级将受限,为中国存储厂商创造了市场机会 。
同时,国家大基金三期对存储芯片产业的大力支持,为行业发展提供了强大动力。2025年3月,国家大基金三期首批1200亿元资金正式落地,其中40%定向投入存储芯片产业链,长江存储、长鑫存储等龙头获百亿级注资,NAND闪存产能三年内将翻三倍 。
二、存储产业链分析:各环节竞争格局与核心标的
2.1 存储芯片设计环节分析
存储芯片设计是产业链的核心环节,决定了产品的性能和竞争力。中国存储芯片设计企业在不同细分领域已形成一定的竞争优势。
核心标的及竞争优势:
1. 兆易创新:国内存储芯片设计领域领军企业,全球NOR Flash市占率6%,国内第一 。公司已形成"存储+MCU"双轮驱动格局,车规级存储芯片已导入比亚迪、蔚来供应链,2025年上半年车规级业务收入同比增长250% 。与长鑫存储合作布局DRAM,逐步完善存储产品矩阵,双业务协同抵御行业波动 。
2. 北京君正:在自主创新CPU技术、视频编解码技术等多个领域形成多项核心技术,全球车载DRAM市占率第一,LPDDR4产品适配L3级自动驾驶 。通过收购ISSI获DDR4 IP核,车载DRAM市场份额达35%,与比亚迪合作开发LPDDR5X模组,温度范围扩展至-40℃~125℃ 。
3. 澜起科技:全球内存接口芯片龙头,是全球可提供DDR5内存接口及模组配套芯片全套解决方案的两家龙头厂商之一 。DDR5 RCD芯片全球市占率超60%,推出CXL2.0协议内存扩展芯片,与三星/海力士联合开发1Brm工艺DDR5解决方案,研发投入占比连续三年超20% 。2025年,澜起科技充分受益于DDR5产品升级及AI算力需求提升 。
4. 聚辰股份:与澜起科技合作,专注于DDR5内存芯片的研发,其SPD产品的下游产品已覆盖行业主要内存模组厂商,在DDR5 SPD芯片领域全球市占率第一,2024年相关业务营收同比增92%,AI服务器适配英伟达H100 。
5. 东芯股份:中国大陆领先的存储芯片设计公司,聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,是中国大陆少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司 。38nm SLC NAND芯片擦写寿命达10万次,适配工业PLC控制系统,重庆12英寸晶圆厂建设启动,规划月产能4万片,主攻1Xnm DRAM工艺研发 。
行业趋势与前景:
存储芯片设计环节正朝着高性能、低功耗、高集成度的方向发展。随着AI应用的不断深入,对存储芯片的带宽、速度和容量提出更高要求,这将推动设计企业加快技术创新和产品升级 。
在AI代理部署(DeepSeek-V3/R1)和HBM存储需求激增的驱动下,具备算存协同能力的企业更具增长潜力 。根据行业趋势,存储芯片价格波动(美光预测2025年涨幅超50%)和国产化政策(《半导体产业跃升计划》)将带来双重机遇 。
2.2 晶圆制造环节分析
晶圆制造是存储芯片生产的关键环节,技术壁垒高,投资规模大。中国晶圆制造企业在存储领域已取得重要突破。
核心标的及竞争优势:
1. 长江存储:中国NAND Flash领域的领军企业,232层3D NAND良率提升至90%,成本低于国际大厂15%-20%,2025年产能目标达15万片/月 。长江存储凭借Xtacking技术,将存储单元与控制电路分离制造,通过混合键合技术解决信号干扰与散热难题,在提升芯片读写速度的同时,将生产成本降低约30% 。其零售品牌致态已成为国内知名存储品牌,产品性能和品质获得市场认可。
2. 长鑫存储:中国DRAM领域的龙头企业,19nm DDR4芯片良率突破90%,LPDDR5芯片功耗降低30%适配小米/OPPO旗舰机型,合肥三期计划2025年实现17nm DDR5量产,月产能达18万片晶圆 。长鑫存储计划2026年量产HBM3,2027年研发HBM3E,打破韩国厂商垄断 。
3. 中芯国际(688981.sh/00981.hk):国内晶圆代工的绝对龙头企业,在全球晶圆代工领域排名前列 。具备先进的工艺制造能力、产能优势和完善的服务配套,能向全球客户提供从0.35微米到FinFET不同技术节点的晶圆代工与技术服务 。中芯国际与欧洲IMEC建立联合研发中心,聚焦28nm以下DRAM工艺开发 。
4. 华虹公司(01347.hk):专注于特色工艺晶圆制造的企业,位居全球第五、国内第二 。是行业内特色工艺平台覆盖最全面的晶圆代工企业,在功率器件、模拟芯片等领域竞争力较强 。
行业趋势与前景:
晶圆制造环节正朝着更高堆叠层数、更小制程节点、更高良率的方向发展。3D NAND堆叠层数不断增加,长江存储已突破232层,未来将向更高层数发展;DRAM制程工艺持续缩小,长鑫存储计划在2025年实现17nm DDR5量产 。
在政策强力支撑下,"大基金三期"已明确将存储芯片列为重点投资方向,预计带动超2000亿元社会资本投向晶圆制造、封测及设备材料环节,目标在2030年将存储芯片国产化率从当前的18%提升至50%以上 。这将为中国晶圆制造企业提供强大的资金支持和发展动力。
2.3 封装测试环节分析
封装测试是存储芯片生产的最后环节,直接影响产品的性能和可靠性。随着HBM等高带宽存储的兴起,先进封装技术变得尤为重要。
核心标的及竞争优势:
1. 深科技:全球存储芯片封测代工TOP3,客户涵盖美光、三星等国际大厂 。在半导体封测领域主要从事存储芯片的封装与测试,在DDR5等高端存储芯片的封测领域有显著进展,为SK海力士提供DRAM封装测试,有望切入HBM封装赛道 。高端封测产能利用率达95%,受益存储芯片涨价周期 。
2. 长电科技:全球领先的半导体封测厂商,排名全球封测厂商前列 。具备全品类先进封装产品,如FC、WLP、SiP等,在高端封装市场占据领先地位,深度布局5G、物联网、汽车电子等新兴领域 。12英寸TSV封装线实现HBM2.5D堆叠,良率超98%,承接美光转单后西安基地年封测量达5亿颗 。
3. 华天科技:全球知名的半导体封测企业,提供从传统封装到先进封装的全方位解决方案 。业务涵盖消费电子、汽车电子、通信设备等多个领域,具备强大的技术实力和市场份额,明确表示掌握Chiplet技术 。
4. 通富微电:国内排名前列的半导体封测企业,是AMD最大的封装测试供应商 。拥有先进的封装测试技术和大规模生产能力,在Chiplet、WLP、SiP等先进封装领域均有布局和储备 。建成5rm级存储测试平台,DRAM测试成本降低22%,南通工厂获长鑫存储外包订单,年测试能力达1.2亿颗,开发Fan-out工艺提升30%封装密度 。
5. 长川科技:存储芯片测试设备国产替代主力,DRAM测试机市占率35% 。车规级检测设备通过长江存储认证,2024年订单同比增长82% 。在存储芯片测试设备领域具有较强的国产替代潜力。
HBM封装材料国产化进展:
HBM封装是当前先进封装的重点领域,相关材料国产化进程加速:
1. 华海诚科:国内唯一量产HBM封装必备材料GMC的企业,适配12层HBM3E堆叠,已通过长电科技、通富微电认证 。2025年GMC业务营收占比预计超40%,绑定长鑫存储HBM样品开发,国产替代空间巨大 。随着2.5D/3D封装、CoWoS和HBM技术普及,塑封料用量显著提升且性能要求更高,华海诚科凭借GMC等独家技术,成为国内唯一量产高端HBM封装材料的厂商。
2. 雅克科技:为SK海力士供应HBM介电层前驱体,国产替代率不足10%;联合华为开发HBM4前驱体,2024年相关业务营收占比提升至25% 。公司生产的电子特气(如四氟化碳)、光刻胶配套材料,纯度达99.9999%,满足14nm及以下制程存储芯片制造需求,已进入长江存储、中芯国际供应链,2025年上半年存储材料业务营收同比增长200% 。
3. 华正新材:开展对标ABF膜的CBF积层绝缘膜,为半导体封装提供相关材料 。
4. 德邦科技:为HBM相关公司提供封装底植料,在半导体封装材料领域有一定市场份额 。
行业趋势与前景:
封装测试环节正朝着更高集成度、更高性能、更低功耗的方向发展。HBM封装技术已成为驱动人工智能、高性能计算及数据中心发展的核心环节,2025年,全球HBM封装市场规模预计突破120亿美元,中国市场份额占比提升至28% 。
随着3D堆叠技术的成熟和TSV(硅通孔)工艺的优化,封装成本下降15%-20%,单位容量价格比2023年降低35% 。中国将HBM封装纳入"新一代信息技术关键材料"专项,2025年地方补贴总额超6亿元,为封装测试企业提供了良好的政策环境 。
2.4 存储模组制造环节分析
存储模组制造是连接存储芯片和终端应用的关键环节,通过将存储芯片与其他电子组件组合在一起,形成最终产品。
核心标的及竞争优势:
1. 佰维存储:国内存储模组龙头企业,产品包括嵌入式存储、PC存储、移动存储、工车规存储和企业级存储等,广泛应用于智能终端、数据中心、智能汽车等领域 。公司在AI与车载存储场景实现差异化突破,针对AI服务器高带宽需求,自主研发的LPDDR5X存储模组传输速率达8400Mbps,延迟低至18ns,已适配浪潮、曙光 AI服务器,2025年上半年出货量同比增长220% 。车规级eMMC、UFS产品通过AEC-Q100认证,切入理想、蔚来供应链,车载存储业务营收同比增长180% 。
2. 江波龙:在存储模组领域有深厚的技术积累和市场份额,旗下拥有Lexar(雷克沙)等知名品牌,产品涵盖固态硬盘、内存卡等多种存储产品,为全球客户提供存储解决方案 。2025年8月28日数据显示,公司收盘报98.64元,涨幅0.87%,市盈率(动)为1399.97,年初至今涨幅14.7% 。公司旗下Lexar存储卡全球市场份额第二、Lexar闪存盘(U盘)全球市场份额第三 。
3. 德明利:专注于闪存主控芯片设计、研发,以及存储模组产品的销售,产品包括存储卡、存储盘、固态硬盘等,在移动存储市场有较强竞争力 。公司聚焦存储控制芯片与模组集成,实现"芯片+模组"一体化布局,自主研发的SSD主控芯片支持PCIe 4.0协议,读写速度达7000MB/s,适配高端消费级与企业级固态硬盘需求,2025年上半年主控芯片出货量同比增长220% 。基于自研芯片开发的嵌入式存储模组,已进入华为、小米等智能终端供应链,用于智能电视、物联网设备存储,模组业务收入同比增长180% 。
4. 香农芯创:存储模组业务发展超预期,有望受益于存储市场的复苏 。2023年5月26日公告,公司联合SK海力士、大普微电子等合作方,设立控股子公司深圳海普存储科技有限公司,主要经营企业级固态存储(SSD)设计、生产、销售 。
5. 万润科技:控股子公司湖北长江万润半导体技术有限公司聚焦存储半导体的闪存封装和闪存测试,以及存储模组和嵌入式存储的研发生产销售 。
行业趋势与前景:
存储模组制造环节正朝着高性能、高容量、低功耗的方向发展。随着AI应用的普及,对存储模组的性能要求不断提高,尤其是在带宽、速度和容量方面。佰维存储等企业已在AI服务器存储模组领域取得突破,自主研发的LPDDR5X存储模组传输速率达8400Mbps,延迟低至18ns 。
同时,车规级存储模组市场也在快速增长,佰维存储的车规级eMMC、UFS产品已通过AEC-Q100认证,切入理想、蔚来供应链 。随着智能汽车的普及,车规级存储模组将迎来更大的市场空间。
2.5 材料与设备环节分析
材料与设备是存储芯片产业链的基础,决定了产业链的自主可控水平。中国在存储材料与设备领域已取得一定进展,但仍存在较大的国产替代空间。
关键材料企业及进展:
1. 雅克科技:国内存储芯片关键材料核心供应商,打破国外垄断 。公司生产的电子特气(如四氟化碳)、光刻胶配套材料,纯度达99.9999%,满足14nm及以下制程存储芯片制造需求,已进入长江存储、中芯国际供应链,2025年上半年存储材料业务营收同比增长200% 。同时,布局先进封装用键合材料,适配Chiplet技术,预计2026年实现量产 。
2. 华海诚科:国内唯一量产HBM封装必备材料GMC的企业,适配12层HBM3E堆叠,已通过长电科技、通富微电认证 。随着2.5D/3D封装、CoWoS和HBM技术普及,塑封料用量显著提升且性能要求更高,华海诚科凭借GMC等独家技术,成为国内唯一量产高端HBM封装材料的厂商。
3. 联瑞新材:国内唯一实现Low-α球铝量产(α射线
关键设备企业及进展:
1. 中微公司:用于3D NAND的Primo AD-RIE刻蚀机进入长江存储产线,介质刻蚀均匀性达+1.2rnm,2023年订单金额超30亿元,覆盖128层以上堆叠需求 。
2. 北方华创:在刻蚀机、薄膜沉积设备等领域具有一定优势,是国内半导体设备的龙头企业之一。
3. 长川科技:存储芯片测试设备国产替代主力,DRAM测试机市占率35% 。车规级检测设备通过长江存储认证,2024年订单同比增长82% 。
4. 光力科技:国内半导体划片机设备龙头,划片机是芯片封装测试前的重要加工设备 。
5. 新益昌:国产固晶机龙头,固晶机是半导体封装过程中的关键设备之一 。
行业趋势与前景:
存储材料与设备环节是产业链自主可控的关键,也是国产替代的重点领域。国家大基金三期拿出了3440亿元,重点投向设备和材料,地方政府也在配套投入,构成了一个千亿级的投资矩阵 。
8-9月,先进逻辑芯片订单有望释放;11-12月,存储扩产订单也可能落地。从长期维度来看,2025年可能是招标大年,大基金三期、上海先进制程的发展、两大存储企业上市,这些都会强化市场对投产的预期 。
(股市有风险,投资需谨慎。本文由AI生成,涉及的信息、数据均来源于公开市场或行业研究整理,仅供参考,相关数据与分析的准确性、完整性需由读者自行审慎分辨。本文内容仅为信息参考与分析探讨,不构成任何针对个股的买卖操作建议,亦不承担因据此决策所产生的任何风险与责任。)
来源:菜鸟股市成长之路