摘要：随着人工智能基础设施的扩展，对大容量数据存储的需求持续增长。这反过来又提高了对新代 NAND 闪存开发的兴趣。然而，正如 ZDNet 报道的那样，作为关键 NAND 芯片供应商之一的 Samsung，在商业化其高容量 NAND 第九代（V9）闪存时遇到了困难，

随着人工智能基础设施的扩展，对大容量数据存储的需求持续增长。这反过来又提高了对新代 NAND 闪存开发的兴趣。然而，正如 ZDNet 报道的那样，作为关键 NAND 芯片供应商之一的 Samsung，在商业化其高容量 NAND 第九代（V9）闪存时遇到了困难，并将 V9 QLC NAND 的全规模部署至少推迟到 2026 年上半年。

图片来源：Samsung

该媒体透露，Samsung 的 V9 NAND 闪存采用 280 层结构，其大规模生产始于去年四月。首批这种闪存的芯片采用了 TLC（三层单元）结构，容量达到 1 Tbit。不久之后，在 2024 年九月，根据 ZDNet 的数据，Samsung 开始大规模生产容量更大的 NAND V9 QLC（四层单元）。

然而，据 ZDNet 采访的来源透露，三星首批 V9 QLC 内存芯片存在设计缺陷，这导致了性能问题，进而导致了其部署的延迟。尽管三星仍在整体 NAND 内存市场占据主导地位，但该公司在 QLC NAND 细分市场落后。其基于 QLC 的旗舰产品仍停留在 V7 代，而第八代 QLC 内存（V8）尚未发布。

三星若无法成功推出其 V9 QLC NAND 内存以满足快速发展的 AI 服务所引发的高容量存储需求增长，其市场领先地位可能面临竞争对手的挑战。今年 8 月底，SK 海力士宣布完成研发 321 层 2TB 容量的 QLC NAND 芯片，并开始大规模生产。该公司表示，新内存的数据传输接口速度是之前 QLC 产品的两倍，写入性能提升了 56%，读取性能提高了 18%。此外，写入能效提升了超过 23%，这使其在能耗至关重要的数据中心市场更具竞争力。

ZDNet 补充称，今年 2 月三星曾提及其 400 层 1TB TLC NAND V10 内存，但公司尚未公布其发布时间。同月，日本公司铠侠推出了 332 层 3D NAND 内存。该媒体报道指出，这款内存的研发尚未完全完成，因此目前尚未准备好进行大规模生产。

来源：A7a369一点号