摘要：金融界 2024 年 12 月 23 日消息，国家知识产权局信息显示，左蓝微（江苏）电子技术有限公司申请一项名为“具备高功率耐受性的 SAW 半导体结构及其制备工艺”的专利，公开号 CN 119154830 A，申请日期为 2024 年 9 月。

金融界 2024 年 12 月 23 日消息，国家知识产权局信息显示，左蓝微（江苏）电子技术有限公司申请一项名为“具备高功率耐受性的 SAW 半导体结构及其制备工艺”的专利，公开号 CN 119154830 A，申请日期为 2024 年 9 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种具备高功率耐受性的 SAW 半导体结构及其制备工艺，SAW 半导体结构包括：设置于衬底上的多晶硅层、设置于所述多晶硅层上的温补层、设置于所述温补层上的压电层以及形成于所述压电层上的叉指电极，所述叉指电极上设置有电极引线 PAD，所述电极引线 PAD 贯穿所述叉指电极、压电层以及温补层后与所述多晶硅层相连。其通过将电极引线 PAD 与具有高热导系数的多晶硅层或衬底直接接触，形成高效率热传通路，提升了器件功率耐受性。

来源：金融界