摘要：项目特征：有明确对外投资意向，有投资建厂从事生产制造需求或者创业团队具有较高技术水平。
项目特征：有明确对外投资意向，有投资建厂从事生产制造需求或者创业团队具有较高技术水平。
本期专题精选4项高质量、可落地的项目，如有兴趣可咨询。
1.具身智能机器人项目
项目信息
意向落地区域：京津冀
项目领域：高端装备
成熟度：可以量产
专利类型：发明专利、实用新型、其他知识产权
负责人学历与职称：博士、教授
团队规模：4人
拟投资额：面议
项目简介
具身智能是指主体（机器）在自体、对象与环境等要素间相互作用（信息感知、转化和响应）的过程中建构符合各要素物理实存及其关系演化趋势的认知模型，达成问题解决或价值实现的人工智能方法。未来的通用具身智能机器人以人形为主要载体形式，能够（拟人化）感知、使用传统工具/设备、在非确定环境下自主执行任务，达到各类应用场景中的“万能适配”。
公司专业从事具身智能机器人产品研发生产业务，包括具身智能焊接/测量/特种机器人及核心模块的研发、生产、销售，以视觉智能重新定义机器人，致力于成为高端智能装备领域的全球领导者。
项目投资亮点：具身智能原创理论，基于具身智能的立体视觉识别技术；拥有一支跨领域、多学科、具备综合设计开发能力的复合研发团队，核心团队具有多年高端军工装备研发背景；未来20年，通用具身智能机器人市场规模超越汽车产业，将成为全球第一产业，公司在具身智能方向有先发优势，核心技术得到实证，货架产品批量交付。
合作诉求
厂房空间需求：建设初期计划以办公场所及测试厂房租赁方式落地，其中研发及管理办公场所需求约1500㎡，测试厂房需求4000㎡（场地位于1楼，地下非空心，层高不低于10m）。
政策需求：给予项目一期房租减免优惠，具体协商；人才优惠政策等。
基金/资金需求：希望落地政府以产业基金投资，同时协调银行投贷联动贷款。
2.靶点蛋白产业化
项目信息
意向落地区域：全国
项目领域：生物医药
成熟度：可以量产
专利类型：发明专利
负责人学历与职称：博士
团队规模：7人
拟投资额：3000万元
项目简介
公司成立于2010年，是为全球生物医药、健康产业领域提供关键生物试剂产品及解决方案的行业平台型基石企业。
主要产品及服务包括蛋白、抗体、试剂盒及分析检测服务，应用于肿瘤、自身免疫疾病、心血管病、传染病、脑神经等疾病的药物筛选及优化、临床前实验及临床试验、药物生产过程及工艺控制（CMC）、诊断试剂开发及优化等研发及生产环节。
现有员工620人，其中研发人员占比30%、硕博研究生占比35%。
合作诉求
厂房空间需求：面议。
政策需求：人才、配套资金、市场资源对接。
产业资源需求：了解当地产业链上下游情况，之后考虑是落地研发中心。
3.宽禁带半导体产业化
项目信息
意向落地区域：长三角
项目领域：新一代信息技术、新材料
成熟度：通过中试
专利类型：发明专利、实用新型、其他知识产权
负责人学历与职称：博士
团队规模：12人
拟投资额：1000万元
项目简介
公司定位于技术水平领先的宽禁带半导体（第三代半导体）衬底材料生产商，聚焦于SiC衬底的研发、生产和销售，处于产业的上游材料端。目前公司可以较高成功率稳定产出6英寸SiC单晶晶圆，未来该技术发展方向为大尺寸SiC单晶制备生产批量成熟技术和前沿半导体技术。
主要产品为碳化硅晶片，碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。
核心技术优势：碳化硅晶体生长工艺，我们用仿真模拟来指导碳化硅晶体生长工艺的制备，这是第三代半导体的核心部分，也为第三代氮化镓和第四代半导体材料外延提供优质的衬底材料。我司创新性地开展了“气相-固相”的长晶动力学和晶体缺陷生成的机理研究，这是第三代半导体研究的无人区。我们在基础理论研究领域进行深耕，去解决晶体生长时的位错、微管密度等缺陷问题。
产品优势：我司晶圆的品质较高，处于国内一流水平，例如，微管每平方厘米2个。且将来通过国际合作，我们的品质可有大幅度提升，达到国际领先水平。
产品技术：目前可以稳定工艺较高良率生产6寸sic晶体；7天大约100小时长晶20mm。
产业链优势：我司具备全套的设备图纸，长晶工艺，成熟的SiC粉料制成工艺和整套的SiC晶圆的冷切割及抛磨技术。我司以高品质的产品性能为优势，同时建立粉末加工、设备制造、石墨、切磨抛工艺等产业链相关子公司，推动产品成本持续优化，品质不断提升，从而完善从“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”的全流程关键技术和工艺，打通第三代半导体材料上游端的整个产业链。
合作诉求
产房空间需求：I期需用地约5000㎡。
4.功率半导体器件
项目信息
意向落地区域：长三角
项目领域：半导体
成熟度：可以量产
专利类型：发明专利
负责人学历与职称：硕士
团队规模：6人
拟投资额：面议
项目简介
公司核心竞争力植根于功率半导体器件的精深研发，产品矩阵广泛且先进，具体包括：
（1）第六代IGBT FS Trench与背面贴合二极管技术，及第七代IGBT Narrow Mesa，通过技术创新实现了成本效率的显著提升与更高的开关频率，为能源转换领域树立了新标杆；
（2）CSP MOS，依托自主研发的专利技术与革新生产工艺，不仅显著增强了产品的成本效益与鲁棒性，还极大提升了客户应用的效能比；
（3）超级二极管（Super Diode），采用突破性自有专利技术，实现了在100A电流下正向电压（VF）低于0.2V的业界领先水平，同时工作温度上限拓展至超过175°C，为热管理与能效设定了新的标准；
（4）第三代低压SGT MOSFET，在保持Rdson降低15%-20%的同时，成本控制更为优化，展现了公司在材料与设计优化上的深厚功底；
（5）第三代半导体碳化硅 MOSFET /Emode 氮化镓 MOSFET，自有IP，拥有出色的Rdson值，简化的生产流程。
公司以深厚的技术积累与验证成果为后盾，于香港设立了配备完善的测试实验室，为来料检验及项目研发提供坚实的技术支持与质量保障。
项目融资旨在加速现有专利技术的商品化与产业化进程，包括CSP MOS、Super Diode及下一代IGBT产品的市场化；拓展符合车规标准的产品线，以应对日益增长的新能源汽车市场需求；以及在全球范围内（香港/深圳、上海、欧洲）扩大团队规模，吸纳顶尖人才，巩固并扩大公司在全球功率半导体市场的领导地位。
合作诉求
厂房空间需求：500㎡洁净间，预留500㎡。
基金/资金需求：900万资金需求。
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来源：科易网