摘要：具有能量转换效率高、造价较低、体积较小、技术难度较低等优势，可提供满足极紫外光刻市场需求的光源，且有效避开了国际巨头阿斯麦使用的复杂且昂贵的激光等离子技术壁垒。

2025年1月4日凌晨，哈尔滨工业大学宣布“放电等离子体极紫外光刻光源”项目取得重大突破，荣获黑龙江省高校和科研院所职工科技创新成果转化大赛一等奖。

该技术能发出中心波长为13.5纳米的极紫外光，其原理是通过控制放电等离子体中的原子和离子跃迁来实现光的输出。

具有能量转换效率高、造价较低、体积较小、技术难度较低等优势，可提供满足极紫外光刻市场需求的光源，且有效避开了国际巨头阿斯麦使用的复杂且昂贵的激光等离子技术壁垒。

这些都太术语了，留给专业的人去研究，我这只说说，这“放电等离子体极紫外光刻光源”技术会给我国和全球芯片行业将迎来怎样影响。

1、改变市场竞争格局：长期以来，全球EUV光刻机市场近乎被荷兰ASML公司垄断，哈工大此项目的突破，使中国在高端光刻机光源技术上有了自主创新成果，为中国企业参与全球芯片制造竞争提供有力支持，有望打破ASML的垄断局面，未来5年内，中国在全球光刻机市场的份额有望从近乎为零攀升至10%，彻底改写全球半导体产业版图。

2、降低芯片制造成本：该技术具有能量转换效率高、造价较低等优势，能为芯片制造企业削减成本。以一家中型芯片制造企业为例，以往每年光是进口光刻机的设备采购、维护以及技术授权费就高达数亿元。这只是其一，其二是以中国产业链以及中国制造业全球36%的占比，意味着以后芯片价格中国说了算。

2023年中国大陆半导体设备支出约占世界整体的1/3，达到了366亿美元，相比前一年增长了29%，占比达到了34.43%。

2023年中国是全球最大的主控芯片消费市场之一，市场规模为9.4575亿美元，约占全球的39.03%；在主控芯片生产方面，2023年中国占有34.68%的市场份额。

根据Knometa Research的数据，到2023年底，中国大陆在全球晶圆月产能中的份额已经达到了19.1%。

美媒报道，预计到2025年，中国的DRAM内存产能会占全球产能的15%，到2026年，中国在DRAM上的产能和市占率将超过美国，成为仅次于韩国的存在。

那么随着这项技术的到来，一切都将彻底改变，从价格到产能，从被垄断到垄断，都将迎来颠覆性的变化。

哈工大，不愧是让美国恨得咬牙切齿并动用国家力量进行制裁的大学，动不动捅老美一刀，谁受得了？

1、哈工大在载人航天和机器人领域一直保持全国绝对领先水平，助力“长征七号”“天问一号”等国家重大航天任务，其在航天领域的发展对美国相关领域构成潜在威胁。

2、作为国防七子之一，哈工大在军工领域成果丰硕，为我国的军事现代化建设培养了大量人才，研发了众多先进技术，这让美国担心会影响其军事技术优势。

3、哈工大的工科实力强劲，在核能、网络安全等多个关键技术领域取得突破，其科研成果达到了美国惧怕的程度，例如“中国网络防火墙之父”方滨兴研发的“银河火墙”被广泛应用。

来源：光头老莫·一点号