摘要：3月11日，高新区企业青禾晶元集团（以下简称“青禾晶元”）在香港举办新品发布会，全球首台独立研发C2W&W2W双模式混合键合设备SAB 82CWW系列震撼亮相！发布会汇聚半导体行业顶尖专家、学者及媒体，共同见证这一颠覆性技术的诞生。表面活化键合技术之父，混合键

全球首台，独立研发！青禾晶元开启先进

键合技术新纪元

3月11日，高新区企业青禾晶元集团（以下简称“青禾晶元”）在香港举办新品发布会，全球首台独立研发C2W&W2W双模式混合键合设备SAB 82CWW系列震撼亮相！发布会汇聚半导体行业顶尖专家、学者及媒体，共同见证这一颠覆性技术的诞生。表面活化键合技术之父，混合键合技术的首次提出者须贺唯知教授也莅临发布会现场。青禾晶元作为先进封装领域的核心参与者与推动者，以创新实力再次证明其行业引领地位。

三维集成技术，重塑芯片未来

随着制程工艺不断逼近物理极限，传统制程微缩面临诸多挑战。混合键合技术可以在三维空间重构芯片架构，实现“功能拼图”式的性能跃升，为延续摩尔定律和超越摩尔定律提供了发展路径。青禾晶元凭借其在先进封装技术领域的深厚积累，推出了SAB 82CWW系列双模式混合键合设备，为半导体行业提供了新的解决方案。

SAB 82CWW系列设备采用了全球先进的一体化设备架构，将C2W和W2W两种技术路线从“非此即彼”变为“协同进化”。这一创新设计不仅提高了设备的通用性和灵活性，还为客户提供了更大的选择空间，满足了不同应用场景的需求。

SAB 82CWW系列混合键合设备具备多项技术亮点：

双模工艺集成：设备采用高度灵活的模块化设计，支持C2W和W2W双模式混合键合，实现无缝适配研发与生产需求，提升设备使用率。

多尺寸兼容：设备可兼容8寸和12寸晶圆，通过更换部件快速切换，提供更大的灵活性，满足不同尺寸晶圆的键合需求。

超强芯片处理能力：设备能够处理厚度最薄至35μm的超薄芯片，同时具备全尺寸兼容性，从0.5×0.5mm到50×50mm的芯片均可处理，保证生产良率和可靠性。

兼容不同的对准方式：提供片间同轴和红外穿透两种对准方式，对准精度优于±300nm（同轴）和±100nm（红外），应对不同尺寸和材质的芯片。

创新的键合方式：通过键合方式创新，最大程度地减少颗粒污染的风险，实现高良率键合。

高精度、高效率：C2W和W2W键合技术实现±30nm的对准精度和±100nm的键合精度，C2W单键合头UPH最高可达1000片/小时。

智能化偏移补偿：配备高精度高通量检测模块和内置算法，实现负反馈偏移补偿，确保键合精度的稳定性和一致性。

SAB 82CWW系列混合键合设备在存储器、Micro-LED显示、CMOS图像传感器、光电集成等多个领域展现了广泛的应用前景。青禾晶元将持续深耕先进封装技术，以SAB 82CWW系列为起点，持续投入研发，推出更多满足客户需求的产品，携手全球合作伙伴，推动半导体异质集成技术迈向新高度。

图片来自网络公开资料

来源：天津高新区THT