摘要：发布的产品，在工艺装备方面包括：扩散装备RTP（三清山）、EPI（峨眉山）；刻蚀产品ETCH（武夷山）；薄膜产品PVD（普陀山）、CVD（长白山）、ALD（阿里山）。

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

为产业注入强劲动能。

今日，SEMICON China 2025在上海开幕。

在本次展会上，新凯来展区人头攒动。这是新凯来首次公开亮相，同时发布多款产品，覆盖半导体制造全流程。

发布的产品，在工艺装备方面包括：扩散装备RTP（三清山）、EPI（峨眉山）；刻蚀产品ETCH（武夷山）；薄膜产品PVD（普陀山）、CVD（长白山）、ALD（阿里山）。

在量检测装备方面包括：光学检测产品岳麗山BFI、丹霞山DFI、蓬莱山PC、莫干山MBI；光学量测产品天门山IBO、天门山DBO；PX量测产品沂蒙山AFM、赤壁山-XP XPS、赤壁山-XD XRD、赤壁山-XF XRF；功率检测产品RATE-CP、RATE-KGD、RATE-FT。

EPI (峨眉山)12英寸单片减压外延生长设备，采用创新架构设计，全面覆盖逻辑及存储外延等应用场景，支持向未来先进节点演进。

RTP (三清山1号)12英寸单片栅极氧化/氮化设备，覆盖氧化/氮化/退火等逻辑及存储应用场景，具备精准温度控制和等离子体控制能力，支撑先进工艺持续演进。

三清山2号覆盖尖峰退火/超快尖峰退火等逻辑及存储应用场景，具备大行程磁悬浮升降运动控制及背照式退火能力，支撑先进工艺持续演进。

三清山3号覆盖均温退火/尖峰退火等逻辑及存储应用场景，具备低热预算调控及超低温退火能力，支撑先进工艺持续演进。

武夷山1号MASTER为电容耦合等离子体(CCP)干法刻烛设备，腔室采用全对称架构设计，整机可配置6个工艺腔(PM)，满足先进节点各类精细介质刻蚀场景需求。

武夷山3号为电感耦合等离子体(ICP) 干法刻蚀设备，全对称、高流导架构设计，整机可配置6个工艺腔(PM)，满足先进节点各类精细硅及金属刻蚀场景需求。

武夷山5号为自由基干法刻蚀设备，氧化硅及硅选择性刻蚀组合解决方案，单腔设计，整机可配置6个工艺腔(PM)，满足先进节点高选择性刻蚀场景需求。

普陀山1号适用于逻辑、存储及先进封装等主流半导体金属平面膜应用场景，镀膜均匀性高，同时具备高产能与高稳定性。

普陀山2号适用于逻辑、存储等主流半导体中道金属接触层及硬掩膜等应用场景，颗粒缺陷低，同时具备高性能与高稳定性。

普陀山3号适用于逻辑、存储和先进封装等主流半导体后道金属互连场景，架构领先，填孔品质优异，支持向未来先进节点演进。

阿里山1号搭配五边形平台和Twin腔领先架构，覆盖先进逻辑/存储前中后段介质薄膜应用场景，满足图形化，超薄薄膜，超高深比gap fill 需求，支持向未来先进节点演进。

阿里山2号具备单腔4-Station领先架构，覆盖先进逻辑刻蚀阻挡层薄膜应用场景，支持向未来先进节点演进。

阿里山3号可全面覆盖逻辑和存储金属原子层沉积应用场景，具备创新架构和领先性能，多种工艺高度集成，金属栅极全场覆盖，支持向先进节点演进。

长白山1号具备单腔4-Station领先架构，全面覆盖逻辑及存储介质薄膜多种工艺，支持向未来先进节点演进。

长白山3号全面覆盖逻辑和存储金属化学气相沉积应用场景，具备创新架构和领先性能，多种工艺高度集成，支持向未来先进节点演进。

从产业链角度看，半导体设备位于半导体产业的最上游，是决定整个产业发展水平的关键环节。长期以来，这一领域被应用材料(AMAT)、ASML、东京电子(TEL)等国际巨头垄断。而随着新凯来、北方华创、中微公司等国内企业的技术突破，这种格局正在被逐步打破。

近年来，国内半导体设备实现了从无到有、从弱到强的质的飞跃，令我国半导体产业生态和制造体系得以不断完善，国内高端设备的自给率逐步提升。科创板作为我国“硬科技”企业的聚集地，已形成了市值规模超万亿的集成电路产业集群，已上市公司超过110家，占A股同行业上市公司数量超6成。

其中，半导体设备公司共12家，覆盖刻蚀、薄膜沉积、CMP、量检测、清洗、涂胶显影等多个半导体制造的关键环节，2023年合计出厂国产自主设备超过6000台套，有力推动我国半导体产业自主可控进程。

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来源：半导体产业纵横