摘要：金融界 2025 年 3 月 26 日消息，国家知识产权局信息显示，X-FAB 法国有限公司申请一项名为“用于射频应用的转移印刷”的专利，公开号 CN 119675647 A，申请日期为 2020 年 5 月。

金融界 2025 年 3 月 26 日消息，国家知识产权局信息显示，X-FAB 法国有限公司申请一项名为“用于射频应用的转移印刷”的专利，公开号 CN 119675647 A，申请日期为 2020 年 5 月。

专利摘要显示，本发明涉及用于射频应用的转移印刷。一种用于放大 RF 信号的半导体结构，包括：第一 LNA，在 SOI Wafer 上；以及第二 LNA，在所述 SOI 晶片 上且连接到所述第一 LNA，其中所述第二 LNA 包括μTP GaN 晶体管。

来源：金融界