铠侠双轴技术战略，研发超级SSD
日前铠侠Kioxia 在其企业战略会议上宣布了其在人工智能时代的中长期增长战略。铠侠通过提供存储技术和支持数据创新的解决方案，继续在信息基础设施中发挥关键作用。
氧化物半导体
作为对美制裁的回应中国开始生产世界上第一个非二元人工智能芯片
中国推出了世界上第一个基于混合逻辑的非二进制 AI 芯片的大规模生产，该芯片结合了二进制和随机方法。新处理器专为智能显示器、航空系统和导航而设计，代表了对美国对半导体制裁的战略回应。
铠侠正在开发超级SSD
这款SSD将结合XL-FLASH高性能SLC NAND和新的主控，在随机读取中可提供10M IOPS，是现有企业级TLC PCIe 5.0 SSD 水平（3000+K IOPS）的三倍。
铠侠加速AI时代布局，XL-FLASH SSD预计明年出样，性能飙升至10M IOPS
NAND闪存领域的领军企业铠侠KIOXIA，在近期举行的公司战略会议上，公布了其面向人工智能（AI）时代的长期发展蓝图。该战略聚焦于满足AI应用对存储速度及性能的极致需求，其中一项关键举措是开发一款专为AI设计的固态硬盘（SSD）。
铠侠正开发10M IOPS超高随机性能XL-FLASH SSD，计划明年出样
NAND 闪存巨头铠侠 KIOXIA 当地时间昨日于公司战略会议宣布了其在 AI 时代的中长期增长战略，其中提到该企业正开发一款面向 AI 应用超高速度、超强性能需求的固态硬盘。
CMOS：光影交织间，解锁市场风云与未来密钥
近期CMOS可谓热闹非凡，三星CMOS涨价，给国产厂商带来机遇；晶合集成与思特威联合推出业内首颗1.8亿像素全画幅CMOS图像传感器，为高端单反相机提供新选择；铠侠推出CM9系列PCIe 5.0 NVMe SSD，采用BiCS8 FLASH TLC企业产品。这
CIS、CCD、CMOS 技术的区别
在工业检测领域，CIS（接触式图像传感器）、CCD（电荷耦合器件）和CMOS（互补金属氧化物半导体）是三种主流的成像技术，其工作原理和适用场景有显著差异。以下是针对工业应用的深度对比：
5.13赵老哥：消费电子+跨境电商+半导体+算力租赁
免责声明：本文内容仅代表个人思路，不构成投资建议，文中所提个股，不具有任何指导作用，切勿跟风，后果自负！股市有风险，投资需谨慎！
谁是未来的星辰大海？
国家认监委近日批准《汽车芯片认证审查通用技术要求》等5项认证认可行业标准立项，进一步完善汽车芯片认证审查技术体系，加快推进国产汽车芯片产业化应用及质量提升。
四方光电连续3个交易日放量，放量区间跌幅17.31%
资料显示，四方光电股份有限公司的主营业务为气体传感器、气体分析仪器研发、生产和销售。公司开发了基于非分光红外(NDIR)、光散射探测(LSD)、超声波(Ultrasonic)、紫外差分吸收光谱(UV-DOAS)、热导(TCD)、激光拉曼(LRD)、金属氧化物半
制冷剂泄漏检测：看不见的威胁，看得见的守护
无论是工业生产、商业运营，还是家庭生活，制冷系统如同“生命线”般维持着冷链物流、中央空调、工业冷库等场景的高效运转。然而这条“生命线”中潜藏着一个隐形杀手——制冷剂泄漏。
MOS传感器行业发展概况：2024年全球市场规模为74.19亿美元
MOS（金属氧化物半导体）传感器在暖通空调系统气体检测中的使用日益增多，这推动了MOS传感器市场的发展。在HVAC系统中，MOS传感器用于气体检测，从而降低有毒气体和可燃气体的释放风险。这些MOS传感器可监测有毒和可燃气体，并在达到报警级别之前向工作人员发出警
深空芯片的4种未来
2024年10月14日，美国国家航空航天管理局发射了欧罗巴快船探测器。但就在几个月前，美国国家航空航天局发现一组晶体管可能会在木星极端辐射级别的环境中发生故障，该探测器差一点就报废了。最终，欧罗巴快船团队增加了一个“金丝雀报警盒”，监测执行任务过程中辐射的影响
2025存储前瞻：用存储加速AI，高性能SSD普适化
纵观2024年，存储技术升级已经给AI计算、云端应用带来了诸多便利，从年初铠侠首款量产车规级UFS4.0推动行业发展，到RM、PM和XG系列SSD与HPE携手登陆国际空间站，再到推出容量高达2Tb的第八代BiCS FLASH QLC，展示下一代前瞻性的光学结构
半导体类英文翻译中常见术语有哪些，怎么准确理解？
在半导体的技术交流和资料翻译中，准确理解和翻译专业术语至关重要。这些术语不仅仅是语言的载体，更是技术交流的桥梁。本文将从多个方面探讨常见的半导体术语及其翻译。
半导体 氧化物半导体 transistor 2024-12-12 18:04 14
Kioxia开发出OCTRAM（氧化物半导体通道晶体管DRAM）技术
东京--(美国商业资讯)--存储器解决方案领域的全球领导者Kioxia Corporation今天宣布开发出OCTRAM（氧化物半导体通道晶体管DRAM），这种新型4F2DRAM由同时具有高导通电流和超低关断电流的氧化物半导体晶体管组成。该技术有望通过发挥In
英特尔展示互连微缩技术突破性进展
IEDM 2024（2024年IEEE国际电子器件会议）上，英特尔代工展示了多项技术突破，助力推动半导体行业在下一个十年及更长远的发展。具体而言，在新材料方面，减成法钌互连技术（subtractive Ruthenium）最高可将线间电容降低25%1，有助于改