四单位联合！南开大学Nature子刊: 蚀刻BiVO4光催化剂，电荷分离效率超过90%！
电荷分离对于实现颗粒光催化剂的高效人工光合作用至关重要，如光催化整体水分解(OWS)、CO2还原和CH4转化等。光生电子和空穴的分离和转移通常与半导体的内在电子结构、结晶度、形貌和缺陷有关。即使是上述方面产生一个不利因素的出现也可能导致电荷分离效果差，这是目前
光催化剂 南开大学 电荷 蚀刻 南开大学nature 2025-05-26 19:22 7
蚀刻
芯片刻蚀，迎来巨变
芯片制造商在硅片上蚀刻复杂的图案，制造出驱动我们周围大多数电子设备和技术的半导体，正是如此。随着我们要求更小的设备拥有更高的功率和速度，以极高的精度雕刻这些图案的需求变得越来越迫切，也越来越具有挑战性。
英思特：公司否认氮化镓蚀刻技术相关传闻
有投资者在互动平台向英思特提问：传闻公司在氮化镓蚀刻技术方面有深入探索，其开发了多种氮化镓蚀刻方法，如通过使用乙二醇作为KOH和NaOH的溶剂，开发出将晶体表面蚀刻为III族氮化物的两步法，还研究了用于锐化GaN垂直的湿化学DE工艺，并将其应用扩展到AlGaN
英思特：针对您提到的内容，公司经核实后认为该说法不属实
投资者提问：传闻公司在氮化镓蚀刻技术方面有深入探索，其开发了多种氮化镓蚀刻方法，如通过使用乙二醇作为KOH和NaOH的溶剂，开发出将晶体表面蚀刻为III族氮化物的两步法，还研究了用于锐化GaN垂直的湿化学DE工艺，并将其应用扩展到AlGaN尖端和c平面AlGa
玻璃栈道防滑玻璃湿滑天气安全如何保障？
其次，加强日常清洁维护，及时清除玻璃表面的水渍、污垢等，确保防滑性能不受影响。同时，安排专人巡查，发现问题及时处理。
朗姆研究公司取得针对 3D NAND 集成具有改善的蚀刻选择性的氮化物膜专利
金融界 2025 年 5 月 13 日消息，国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司取得一项名为“针对 3D NAND 集成具有改善的蚀刻选择性的氮化物膜”的专利，授权公告号 CN113302716B，申请日期为 2019 年 10 月。
半导体清洗和蚀刻气体，年复合增长率CAGR为7.5%
半导体清洗和蚀刻气体全球市场总体规模据QYResearch调研团队最新报告“全球半导体清洗和蚀刻气体市场报告2024-2030”显示，预计2030年全球半导体清洗和蚀刻气体市场规模将达到28.2亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为7.5%。半导体清洁和蚀刻气
丝印油墨技术解析与行业应用 电解蚀刻药水
按干燥方式分类UV固化型：采用紫外光快速固化，减少溶剂挥发（固化时间＜30秒），适用于高精度印刷与环保场景；挥发干燥型：依赖溶剂挥发成膜，成本低但易产生VOCs污染，需配套通风系统。
广东兴达鸿业申请 LCD 光电板外层线路图形生成及精度单点补偿方法专利，蚀刻时减少图形精度损耗
金融界 2025 年 4 月 26 日消息，国家知识产权局信息显示，广东兴达鸿业电子有限公司申请一项名为“LCD 光电板外层线路图形生成及精度单点补偿方法”的专利，公开号 CN119862846A，申请日期为 2024 年 12 月。
上海新阳2024年财报：营收14.75亿元，同增21.67%
4月18日，上海新阳半导体材料股份有限公司发布2024年年度报告。报告期内，公司实现营业收入14.75 亿元，较去年同期增长21.67%。实现归母净利润1.76 亿元，同比增长5.32%，扣非净利润为1.61 亿元，同比增长30.63%。
湖北兴福电子材料股份有限公司申请“一种钼和钨的选择性蚀刻液”专利，能够在金属钨的蚀刻速率（ER）≤0.195nm/min的前提下，较快的蚀刻金属钼
国家知识产权局信息显示，湖北兴福电子材料股份有限公司申请一项名为“5668.一种钼和钨的选择性蚀刻液”的专利，公开号 CN119800362A，申请日期为2024年12月。
OPPO A5真机图赏，旗舰同款蚀刻工艺，更有满级防水能力
以OPPO A5为例，该机采用了时下流行的直屏+直边组合，提供了云母蓝、晶钻粉、锆石黑三种时尚配色，在旗舰级玻璃蚀刻工艺的加持下，不仅拥有夺目绚丽的视觉效果，而且手感还非常的细腻亲肤，完全摆脱了千元机常见的塑料廉价感。
介孔硅：蚀刻技术揭示独特的电子传输特性
硅是最著名的半导体材料。然而，受控纳米结构会彻底改变材料的特性。HZB 的一个团队利用专门开发的蚀刻设备，生产出具有无数微小孔隙的介孔硅层，并研究了它们的电导率和热导率。
聚焦电子束诱导加工（FEBIP）的起源
聚焦电子束诱导加工（Focused Electron Beam Induced Processing, FEBIP）是现代纳米制造领域的核心技术，该技术利用高能电子束与表面吸附分子间的相互作用，实现纳米尺度的精确加工，在科学研究与工业应用中占据重要地位。
过会近两年终进“注册关”，新恒汇电子还有啥短板？
俗话说，先快不一定真快。新恒汇创业板IPO在2022年6月21日获受理，当年7月16日进入问询阶段，2023年3月22日上会获通过。掐指算来，过会近两年一度未有新进展，究竟卡在哪里？此番闯关又几多胜算呢？
为了1000层闪存，拼了！
近日，由Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校和美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的科学家们联手开发的创新蚀刻工艺，使3D NAND蚀刻速度翻倍，精度也得到提高，为实现更密集、更高容量的内存存储奠定了基础，为3D NAND闪存技术的进一
什么是高选择性蚀刻
华林科纳半导体高选择性蚀刻是指在半导体制造等精密加工中，通过化学或物理手段实现目标材料与非目标材料刻蚀速率的显著差异，从而精准去除指定材料并保护其他结构的工艺技术。其核心在于通过工艺优化控制不同材料的刻蚀速率比，达到>5:1甚至更高的选择比标准。
细分领域全球市占率第二 三年营收复合增长率近20% 新恒汇上市进程或加速
进入2025年，有迹象显示IPO批文的速度有明显提升。3月11日晚间，深交所官网信息显示，新恒汇电子股份有限公司（以下简称“新恒汇”或“公司”）已于当日正式向证监会提交注册申请并获得受理，向IPO发行上市前最后一道关卡冲击。
科林研发推出业界最先进导体蚀刻技术，克服关键芯片微缩挑战
科林研发（Lam Research）宣布推出业界最先进的导体蚀刻技术“Akara”，为电浆蚀刻领域的突破性创新，也是目前最先进的导体蚀刻机台，并克服芯片制造商面临的关键微缩挑战。
等离子体刻蚀新突破：硅垂直通道蚀刻速度翻倍！
科学界传来新突破，一项由Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校及美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）携手研发的新型蚀刻工艺近日曝光。这项创新技术运用氟化氢等离子体，成功将硅材料垂直通道的蚀刻效率翻倍，仅需短短一分钟，便能完成640纳米的蚀