在未来几年，芯片产业将致力于将3D NAND闪存的堆栈高度提升至当前水平的四倍，即从200层增加至800层乃至更高，借此额外增加的存储容量来应对市场对各类内存需求的持续增长。

nand 晶圆 蚀刻 2024-12-09 09:14  3