半桥电路设计难题秒搞定！一文教你锁定最优栅极驱动器！
本文中，DigiKey探讨了与驱动现代电源系统相关的挑战，重点介绍了半桥拓扑，并探讨了Infineon Technologies的栅极驱动器和评估板，这些产品通过其双通道设计、无芯变压器技术实现的电流隔离、高输出电流、高精度开关以及全面的保护功能，为克服电源系
栅极
800V高压平台上量，PI InnoSwitch™3-AQ如何“拿捏”高压DC-DC三大痛点？
在新能源汽车领域，高压DC-DC转换技术的应用场景非常广泛，涵盖牵引逆变器栅极驱动器电源、电池管理系统（BMS）、车载充电装置（OBC）、12V系统待机电源、μDCDC变换器、动力转向和应急电源（EPS）等。
华南理工大学和广州华睿光电申请用于实现面板分频显示的栅极驱动电路及驱动方法专利，实现面板的分频显示
国家知识产权局信息显示，华南理工大学;广州华睿光电材料有限公司申请一项名为“用于实现面板分频显示的栅极驱动电路及驱动方法”的专利，公开号CN119942953A，申请日期为2025年2月。
晶体管，还能微缩吗？
摩尔定律是一件有关人类活动的，是关于眼界的……许多人被他们的知识和信仰所限制，从而不能越雷池一步。当摩尔做出他的预言时，他让我们认识到是什么在前行……摩尔定律的神奇之处在于，它一个静态的定律；它迫使许多人生活在一个动态的、不断发展的世界中。------加州理工
DRAM，颠覆性方案
近日，初创公司NEO 半导体公司再次宣布一项有望彻底改变 DRAM 内存现状的新技：两种新的 3D X-DRAM 单元设计——1T1C 和 3T0C。据介绍，这两类设计将于 2026 年投入概念验证测试芯片，而基于公司现有的 3D X-DRAM 技术，能在新单
意法半导体推出符合ASIL D安全等级的1200V隔离栅极驱动器
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3DDRAM，蓄势待发
去年12月，美国商务部工业和安全局（BIS）正式修订《出口管理条例》（EAR），对HBM及一系列半导体制造设备、软件工具施加更为严苛的出口管制，并将140家中国实体新增至出口管制清单。尤其是针对“memory bandwidth density”超过2GB/s
英特尔开始推下一代 18A 技术：性能显著提高、功耗更低、密度更高
作为半导体领域曾经的王者，英特尔时刻都想重回巅峰，而能否实现目标，就要看英特尔最新 18A 制造技术了。除了引入RibbonFET 全环绕栅极晶体管技术和PowerVia 背面供电技术这两大核心技术外，它还能带来性能、功耗和密度的提升。
MOSFET结构及其工作原理详解
MOSFET的原意是：MOS（Metal OxideSemiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
这将是未来的芯片？
基于纳米片的晶体管以及由纳米片构建的3D互补场效应晶体管 (CFET) 是延续摩尔定律微缩的关键，因为现有的FinFET架构正在达到其性能极限。纳米片是一种环栅 (GAA) 晶体管架构，其中硅堆叠的沟道完全被栅极包围。它们比FinFET具有更好的静电控制、相对
功率GaN的新趋势：GaN BDS
最近多家GaN厂商推出双向GaN功率开关，即GaN BDS（Bidirectional Switch，双向开关）。这是一种较为新型的GaN功率器件产品，顾名思义，双向GaN主要是能够实现电流的双向导通和电压的双向阻断，显著提升电力电子系统的效率与集成度。
走进IGBT：揭开它的工作原理及构造
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种三端功率半导体器件，它结合了双极型晶体管（BJT）的输出开关/导电特性和MOSFET的无限输入电阻的优点。无限输入电阻使其成为一种电压控制器件。它广泛应用于高功率应用领域，包括电机驱动、功率转换器、逆变器和放大器。
当二维半导体遇上石墨烯器件：栅极技术的新突破与挑战
石墨烯，这个由单层碳原子构成的二维材料，自2004年被发现以来，因其卓越的电学、热学和力学性能，被誉为“未来电子学的基石”。然而，传统金属栅极在石墨烯器件中的应用存在诸多局限——从高频信号干扰到光吸收问题，始终困扰着科学家们。如今，一项发表于《npj 2D M
薄膜测量为何如此重要
半导体器件变得越来越薄、越来越复杂，使得薄膜沉积更加难以测量和控制。随着 3nm 节点器件投入生产，2nm 节点加速向首次硅片投产，随着晶圆厂寻求保持尖端器件的性能和可靠性，精确薄膜测量的重要性日益凸显。
薄膜测量，越来越重要
半导体器件变得越来越薄、越来越复杂，使得薄膜沉积更加难以测量和控制。随着 3nm 节点器件投入生产，2nm 节点加速向首次硅片投产，随着晶圆厂寻求保持尖端器件的性能和可靠性，精确薄膜测量的重要性日益凸显。
低栅极电荷IGBT单管
萨科微（Slkor）作为半导体领域的佼佼者，其IGBT（绝缘栅双极晶体管）单管产品系列在业界享有盛誉。其中，SL20T65K1型号以其独特的低栅极电荷、先进的沟槽FS技术，以及优异的电气性能，在众多应用中脱颖而出。本文将深入探讨SL20T65K1的特点、技术优
半桥驱动设计翻车？米勒效应在捣鬼，五招让误导通彻底消失
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TEL(东京电子 )超越1nm
将涵盖那些能够推动逻辑晶体管和互连技术持续向1nm节点及更先进制程演进的工艺技术。衡量逻辑密度的关键指标是 “逻辑单元宽度 × 逻辑单元高度” 的乘积。栅极间距的微缩是逻辑单元宽度微缩的关键因素。为实现这一点，栅极长度、栅极侧壁宽度和接触特征尺寸的微缩是必要的
芯片，怎么办？
台积电N2 开发团队负责人 Geoff Yeap 在 IEDM 座无虚席的观众面前强调了该代工厂 N2 平台的每瓦性能。Yeap 代表 60 多位 2 纳米平台论文的合著者表示：“技术进步不仅仅关乎性能。它关乎节能计算，这是移动、AI PC 和 AI 处理的关
金刚石芯片，首次演示
日本产业技术综合研究所 (AIST) 与本田技术研究院合作，制造了 p 型金刚石 MOSFET 原型，并首次演示了安培级高速开关操作。未来，该公司计划将该技术搭载于下一代移动动力装置中，并进行运行验证，以期在社会中得以实施。