金刚石芯片，首次演示
日本产业技术综合研究所 (AIST) 与本田技术研究院合作，制造了 p 型金刚石 MOSFET 原型，并首次演示了安培级高速开关操作。未来，该公司计划将该技术搭载于下一代移动动力装置中，并进行运行验证，以期在社会中得以实施。
栅极
存储需求推动，晶圆代工设备增长9%
HBM的持续发展势头以及先进逻辑/代工厂的关键技术变化，包括FinFET到GAAFET的转变以及环绕栅极的提升，将推动2025年WFE收入增长。
垂直结构 GaN功率器件可靠性探讨
垂直GaN器件的性能在很大程度上取决于漂移区的特性。降低非故意意杂质浓度有利于提高迁移率，对于高残余碳(C:1017cm-3)，迁移率低至 20cm2/Vs)的，而对于更高质量的材料，则有报道称其迁移率值约为 960cm2/Vs，可与碳化硅的迁移率相媲美。漂移
什么是栅极驱动器？具有什么特点？
在现代电子系统中，功率器件如MOSFET和IGBT是控制电流通断的关键元件，而栅极驱动器则是确保这些功率器件稳定、高效工作的核心组件。本文将为您详细介绍栅极驱动器的定义及其主要特点
Toshiba发布适用于汽车有刷直流电机的栅极驱动器集成电路，助力设备小型化
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下简称“Toshiba”）已开始大规模生产“TB9103FTG”，这是一款用于汽车有刷直流电机的栅极驱动器集成电路[1]，适用于电动尾门和电动侧滑门的锁闩电机[
东芝推出用于汽车有刷直流电机的栅极驱动器IC 有助于设备小型化
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探秘音频瑰宝：2A3直热式三极管的前世今生
在数字音频技术占据主流的今天，一种诞生于1930年代的电子元件——2A3直热式三极管，却成为高端音响发烧友心中的“圣杯”。它不仅是电子工程史上的里程碑，更是模拟音频美学的化身。本文将以独特的视角，揭开2A3鲜为人知的技术密码与文化价值。
微观探秘：电子管原理及内部结构的量子视角
在半导体技术统治现代电子设备的今天，电子管（真空管）似乎已成为科技史的活化石。但若用显微镜般的观察穿透其玻璃外壳，我们会发现这个看似简单的元件中，竟蕴含着量子世界的玄妙法则。本文将从微观粒子行为出发，揭示电子管运作的深层逻辑。
你知道闪存的存储原理是什么吗？
在当今数字化时代，闪存已经成为我们日常生活中不可或缺的一部分。无论是手机、相机、U盘还是固态硬盘，闪存技术都在默默地为我们存储和读取数据。那么，闪存是如何实现数据存储的呢？
EG44273：高性能单通道高速低侧栅极驱动器，专为MOSFET和IGBT电源开关设计
EG44273单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。EG44273的电源电压范围宽4V～20V，静态功耗小于1uA。当VCC
EG27517：双输入设计，高速低侧栅极驱动器，峰值4A驱动能力
EG27517单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。EG27517的电源电压范围宽4V～20V，静态功耗小。该芯片双输入设计
EG1416：高速低侧栅极驱动器，峰值2A对称驱动能力，适用于MOSFET与IGBT
EG1416单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。EG1416的电源电压范围宽4V～20V，静态功耗小于1uA。当 VCC
芯片巨头们，亮相下一张“王牌”
它是在巨大的进步飞跃基础上发展起来的，年复一年地积累，其发展速度可能超过历史上任何其他行业。国际电子器件制造会议（IEDM）是芯片制造商展示这一进展的关键平台之一。会议论文主题涵盖从具有商业相关性的，到那些最终可能具有商业相关性的，以及其他一些可能不具备商业相
FLASH：一文读懂FLASH的工作原理与应用
闪存是 “即使切断电源也能保存记录的数据（非易失性），并且可以对数据进行重写的半导体存储器”。由于其小巧轻便、抗冲击性强，且在切断电源后数据也不会丢失等特点，被广泛应用于各种设备中。
NAND和DRAM，技术发展展望
NAND 单元架构于 1987 年提出。单元（cell）在接触插头（contact plugs）之间串联，以显著减少面积。1988 年，开发了基本工作原理，将 Fowler-Nordheim (FN) 隧道技术用于编程和擦除。与热载波编程相比，这实现了低功耗运
应用笔记|栅极驱动IC最大开关频率估算
最大开关频率是栅极驱动芯片的重要性能指标，其表现会受到驱动芯片的封装、负载条件、散热等多方面因素的制约。此外，如果半桥驱动集成了自举二极管，功耗的计算方式也会有所不同。本应用手册以NSD1026V为例，详细说明了栅极驱动芯片在不同条件下最大开关频率的估算方法及
ST发布电机驱动新品：集成不同功率等级栅极驱动器，满足多元需求
电子发烧友网报道（文/吴子鹏）电机驱动器是一种用于控制和管理电机运行的关键装置，通过接收外部控制信号，对电机的转速、转矩和方向进行精确控制。它通常由PMIC、控制器、栅极驱动组成，有时候也加入功率器件或传感器。
一款功率MOS管：8326
这是一个锂电池管理电路板，上面有三颗PQFN封装的芯片，芯片型号为8326。经过查询应该是infineon的HEXFE功率MOS管。下面拆卸下来测试一下这颗功率管的特性，为之后使用积累经验。幸亏在嘉立创中有了这个器件的封装，下载到AD中，这样方便后面设计测试电
睿兴科技取得栅极驱动器相关专利，解决现有技术中 ADC 转换速率受限问题
金融界 2024 年 12 月 25 日消息，国家知识产权局信息显示，睿兴科技（南京）有限公司取得一项名为“栅极驱动器、合封芯片及控制系统”的专利，授权公告号 CN 222192135 U，申请日期为 2024 年 4 月。
萨科微SL27531 系列高效能单通道、高速、低侧栅极驱动器
在当今电子技术领域，高效能的电源开关驱动器件对于各类电子设备的稳定运行至关重要。萨科微（Slkor）SL27531 系列单通道、高速、低侧栅极驱动器的出现，无疑为这一领域带来了新的突破。