芯片，最新路线图
众所周知，作为全球半导体工艺研发的核心枢纽，IMEC依托顶尖科研团队、先进基础设施，以及产学研协同创新的独特模式，长期引领行业技术发展，在半导体领域的权威性与前瞻性备受业界认可。
栅极
1安培输出电流的IGBT栅极驱动电路光耦合器-ICPL-155E
IGBT的栅极电压可通过不同的驱动电路来产生。这些驱动电路设计的优劣对IGBT构成的系统长期运行可靠性产生直接影响。为了确保IGBT的完全饱和以及较小化通态损耗，同时还要限制短路电流和功率应力，正向栅极电压必须控制在适当范围内。
安克都在用的高压GaN，你还不来看看？
当下露营、探险、勘探、外出摄影等户外活动时常被充电问题困扰。以往拖着笨重汽油发电机，不仅噪音大还操作复杂，一番操作令人兴致全无。为此，户外电源应运而生，成为户外爱好者的“电力救星”，以轻巧便携来打破这一僵局，无论是为家电供电、还是为手机、相机等设备充电，其都能
PI推出全新MotorXpert与五大隔离型反激DC‑DC参考设计
在全球电动化浪潮加速、各类电机及电源系统对效率和可靠性提出更高要求的背景下，Power Integrations（以下简称：PI）近期陆续推出了一系列面向新能源汽车及工业驱动应用的软硬件解决方案。其核心亮点包括最新发布的 MotorXpert v3.0 软件包
pi dc 栅极 foc motorxpert 2025-06-10 15:47 5
宜普电源转换公司申请三端双向增强型GaN开关专利，涉及一种具有单栅极的三端双向GaN FET
国家知识产权局信息显示，宜普电源转换公司申请一项名为“三端双向增强型GaN开关”的专利，公开号CN120113154A，申请日期为2023年10月。
大国崛起（三）：造芯片到底有多难-基础知识篇
芯片，在过去几十年全球化分工的大环境下，形成了较优的资源配置和全球产业链，各国均从中获益。但是，美国的逆全球化战略打破了产业链条，特别是针对中国的芯片先进制程和华为，更是进行全方位打压和封锁。我们只能从沙子开始，聚集全国资源打造一条全新的、自主可控的、全栈式的
为什么 3 nm 是道坎？
随着小米推出 3 nm 芯片，3 nm 工艺节点也再次成为讨论的焦点。随着芯片尺寸继续微缩，如今最前沿的先进制程工艺玩家已仅剩下三星、台积电和英特尔，而 3 nm正卡在 FinFET 工艺的极限上，三家采用了不同的技术方向，为什么会这样呢？
豪威集团发布车载多通道有刷直流电机驱动解决方案：功能安全性高
5月28日，豪威集团，全球排名前列的先进数字成像、模拟、显示技术等半导体解决方案开发商，推出国内首款支持功能安全ASIL B高性能多通道车载有刷直流电机驱动芯片ONM8718，已于今年5月出样。
纳微半导体：GaN双向IC： 推动电力电子领域的范式变革
功率半导体的发展，始终源于对无限接近理想开关器件性能的不懈追求。多年以来，设计工程师们一直构想这样一种技术：它既能有效阻断反向电压，又能以近乎零损耗的状态实现双向电流导通。如今，随着GaN（氮化镓）技术的引入，这一宏伟愿景正逐步从理想照进现实。
碳化硅大厂基本半导体递表港交所
据港交所官网，5月27日，深圳基本半导体股份有限公司（简称“基本半导体”）递交上市申请，中信证券、国金证券（香港）有限公司、中银国际为其联席保荐人。这也是中国碳化硅功率器件第一家赴港提交上市申请的厂商。
豪威集团发布车载多通道有刷直流电机驱动解决方案：功能安全性高、低功耗
5月28日，豪威集团，全球排名前列的先进数字成像、模拟、显示技术等半导体解决方案开发商，推出国内首款支持功能安全ASIL B高性能多通道车载有刷直流电机驱动芯片ONM8718，已于今年5月出样。
新股消息｜基本半导体递表港交所 在全球及中国碳化硅功率模块市场分别排名第七及第六
据港交所5月27日披露，深圳基本半导体股份有限公司(简称“基本半导体”)向港交所主板递交上市申请，中信证券、国金证券(香港)有限公司、中银国际为其联席保荐人。招股书显示，根据弗若斯特沙利文的资料，按2024年收入计，公司在全球及中国碳化硅功率模块市场分别排名第
新股消息 | 基本半导体递表港交所 在全球及中国碳化硅功率模块市场分别排名第七及第六
据港交所5月27日披露，深圳基本半导体股份有限公司(简称“基本半导体”)向港交所主板递交上市申请，中信证券、国金证券(香港)有限公司、中银国际为其联席保荐人。招股书显示，根据弗若斯特沙利文的资料，按2024年收入计，公司在全球及中国碳化硅功率模块市场分别排名第
DRAM，如何微缩？
几十年来，计算架构一直依赖动态随机存取存储器 (DRAM)作为主存储器，为处理单元检索数据和程序代码提供临时存储空间。DRAM 技术凭借其高速运行、高集成度、高性价比和卓越可靠性，在许多电子设备中得到了广泛应用。
数字源表在精密电子测试中的革命性应用
在当今电子技术飞速发展的背景下，精密电子测试已成为半导体、纳米材料、新能源等领域不可或缺的核心环节。传统测试系统中，工程师通常需要组合使用电源、万用表、信号发生器和测量单元等多种仪器，这不仅增加了系统复杂度，还可能导致测量误差的累积。数字源表（Source M
SL5350MDR 隔离式单通道栅极驱动器的三重突破
这款驱动器具备 3.75kVrms (D) 和 5kVrms (DW) 的出色隔离能力，8.5A 峰值拉电流和 10A 峰值灌电流的强大驱动性能，使其能够游刃有余地驱动 SiC/Si MOSFET 和 Si IGBT。低传播延迟以及紧凑的 SOIC-8 封装，
深入了解车规栅极驱动器的重要性
随着汽车行业向电动化、智能化方向快速发展，新能源汽车（如电动汽车、混合动力车）对功率电子器件的性能和可靠性提出了更高要求。
单通道高速低侧栅极驱动器SL27517A
萨科微（Slkor）SL27517A作为一款单通道4A高速低侧栅极驱动器，在现代功率电子系统中扮演着关键角色。其设计初衷是为了高效、安全地驱动MOSFET、IGBT以及新兴的宽带隙功率器件（如GaN和SiC），尤其适用于对开关频率和效率要求严苛的应用场景。这款
SL27517A高速低侧栅极驱动IC速度与精度的巧妙平衡
在当今科技高速发展的时代，电子元器件的不断创新为各种电子设备的性能提升提供了强大的支持。其中，萨科微（Slkor）SL27517A 芯片以其卓越的性能和独特的设计，在电子领域中崭露头角。
阿斯麦表示将把关税成本转嫁给买家
一份分析师会议纪要显示，荷兰芯片制造设备供应商 ASM 国际（ASM International）首席执行官和财务总监在与美国银行的会议上表示，该公司计划将与关税相关的任何成本增加转嫁给包括客户在内的价值链。