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你知道闪存的存储原理是什么吗？

在当今数字化时代，闪存已经成为我们日常生活中不可或缺的一部分。无论是手机、相机、U盘还是固态硬盘，闪存技术都在默默地为我们存储和读取数据。那么，闪存是如何实现数据存储的呢？

EG44273单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。EG44273的电源电压范围宽4V～20V，静态功耗小于1uA。当VCC

EG27517单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。EG27517的电源电压范围宽4V～20V，静态功耗小。该芯片双输入设计

EG1416单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。EG1416的电源电压范围宽4V～20V，静态功耗小于1uA。当 VCC

它是在巨大的进步飞跃基础上发展起来的，年复一年地积累，其发展速度可能超过历史上任何其他行业。国际电子器件制造会议（IEDM）是芯片制造商展示这一进展的关键平台之一。会议论文主题涵盖从具有商业相关性的，到那些最终可能具有商业相关性的，以及其他一些可能不具备商业相

闪存是 “即使切断电源也能保存记录的数据（非易失性），并且可以对数据进行重写的半导体存储器”。由于其小巧轻便、抗冲击性强，且在切断电源后数据也不会丢失等特点，被广泛应用于各种设备中。

flash 栅极漏极 2025-01-31 20:45 8

NAND 单元架构于 1987 年提出。单元（cell）在接触插头（contact plugs）之间串联，以显著减少面积。1988 年，开发了基本工作原理，将 Fowler-Nordheim (FN) 隧道技术用于编程和擦除。与热载波编程相比，这实现了低功耗运

nand dram 栅极 2025-01-30 15:22 8

最大开关频率是栅极驱动芯片的重要性能指标，其表现会受到驱动芯片的封装、负载条件、散热等多方面因素的制约。此外，如果半桥驱动集成了自举二极管，功耗的计算方式也会有所不同。本应用手册以NSD1026V为例，详细说明了栅极驱动芯片在不同条件下最大开关频率的估算方法及

开关 ic 栅极 2025-01-23 18:16 9

电子发烧友网报道（文/吴子鹏）电机驱动器是一种用于控制和管理电机运行的关键装置，通过接收外部控制信号，对电机的转速、转矩和方向进行精确控制。它通常由PMIC、控制器、栅极驱动组成，有时候也加入功率器件或传感器。

这是一个锂电池管理电路板，上面有三颗PQFN封装的芯片，芯片型号为8326。经过查询应该是infineon的HEXFE功率MOS管。下面拆卸下来测试一下这颗功率管的特性，为之后使用积累经验。幸亏在嘉立创中有了这个器件的封装，下载到AD中，这样方便后面设计测试电

mos 栅极漏极 2025-01-16 18:40 7

金融界 2024 年 12 月 25 日消息，国家知识产权局信息显示，睿兴科技（南京）有限公司取得一项名为“栅极驱动器、合封芯片及控制系统”的专利，授权公告号 CN 222192135 U，申请日期为 2024 年 4 月。

驱动器 adc 栅极 2024-12-25 11:41 10

在当今电子技术领域，高效能的电源开关驱动器件对于各类电子设备的稳定运行至关重要。萨科微（Slkor）SL27531 系列单通道、高速、低侧栅极驱动器的出现，无疑为这一领域带来了新的突破。

萨科微（Slkor）SL27531系列单通道、高速、低侧栅极驱动器，作为现代电子系统中的关键组件，其在驱动MOSFET和IGBT电源开关方面展现出了卓越的性能和优势。这一系列产品不仅在设计上最大限度地减少了击穿电流，还具备了一系列令人瞩目的技术特点，使其成为众

萨科微（Slkor）SL5350SDR，作为一款高性能的单通道隔离栅极驱动器，自其推出以来，便以其卓越的性能和广泛的应用领域受到了业界的广泛关注。本文将详细解析SL5350SDR的各项技术参数、功能特点、应用场景以及其在现代电子系统中的重要地位，以期为工程师和

在近期举办的IEEE国际电子器件会议IEDM 2024期间，英特尔代工（Intel Foundry）展示了四项半导体技术领域的突破以及相关研究成果。包括：减成法钌互连技术，选择性层转移技术（SLT），环绕栅极硅基RibbonFET CMOS晶体管技术，以及用于