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英诺赛科革新AI算力基建：1.2kW 48V GaN方案突破数据中心PUE局限

随着AI 算力需求的指数级增长，其供电解决方案正面临高密度化、智能化和低碳化的核心诉求。氮化镓芯片以其高频高效、小型化、低损耗的优势，可以大幅提升数据中心供电解决方案的功率密度和效率，支持AGI（通用人工智能）时代的可持续算力革命。

2025年5月16日，美国专利商标局（USPTO）对中国氮化镓（GaN）龙头企业英诺赛克挑战德国芯片制造商英飞凌美国专利US9,070,755的无效挑战（多方复审IPR，IPR2025-00010），做出了初步裁决。

在数据中心与服务器电源领域，一场技术革新正席卷全球。谷歌、华为、浪潮、台达等一众领军企业，纷纷将目光投向氮化镓（GaN）技术，积极将其引入高性能电源设备。基于氮化镓的新一代钛金级电源系统，正以势不可挡之势，在全球数据中心实现规模化部署。

Radulescu LLP公司创始人David Raulescu在其社交媒体表示，英飞凌已于本周早些时候向美国国际贸易委员会（ITC）提交了一份新的动议，要求撤回其在ITC对英诺赛科提起337调查的案件中，对US8,686,562（’562号专利）的所有主张。

2024年，A股最火爆的主线没有悬念——AI与机器人涨幅一骑绝尘，人工智能指数自2024年至今最高涨幅超148%。人形机器人进入量产倒计时，万亿参数大模型点燃算力竞赛，资本市场的热钱持续向硬科技集结。

4月1日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”或“公司”）发布公告，宣布与意法半导体签署氮化镓技术联合开发协议。根据联合开发协议，英诺赛科可使用意法半导体在中国以外地区的制造产能生产其氮化镓晶圆，意法半导体也可利用英诺赛科在中国的制造产能生产

2024年，A股最火爆的主线没有悬念——AI与机器人涨幅一骑绝尘，人工智能指数自2024年至今最高涨幅超148%。人形机器人进入量产倒计时，万亿参数大模型点燃算力竞赛，资本市场的热钱持续向硬科技集结。

英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用IDM（Integrated DevICe Manufacture）全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线，产品设计及性能处于国际先进水平。

赛科 pfc 英诺赛科 2024-12-17 11:26 15

英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线，产品设计及性能处于国际先进水平。

2024年12月11日，美国专利商标局（USPTO）对中国氮化镓（GaN）龙头企业英诺赛克挑战德国芯片制造商英飞凌美国专利US9,899,481的无效挑战（多方复审IPR，IPR2024-00975），做出是否正式立案的裁决。