摘要：Radulescu LLP公司创始人David Raulescu在其社交媒体表示，英飞凌已于本周早些时候向美国国际贸易委员会（ITC）提交了一份新的动议，要求撤回其在ITC对英诺赛科提起337调查的案件中，对US8,686,562（’562号专利）的所有主张。

作者：黄莺

2025年5月2日消息，德国英飞凌与中国英诺赛科在第三代半导体氮化镓GaN之间的专利战，再传新进展。

Radulescu LLP公司创始人David Raulescu在其社交媒体表示，英飞凌已于本周早些时候向美国国际贸易委员会（ITC）提交了一份新的动议，要求撤回其在ITC对英诺赛科提起337调查的案件中，对US8,686,562（’562号专利）的所有主张。

这件’562专利，发明名称为“耐火金属氮化物封端电触点及其制作方法”。涉及一种用于半导体器件（如GaN功率晶体管或使用至少一种III族元素（如Ga）和一种V族元素（如氮）制造的其他半导体功率器件（“III-V功率半导体器件”）的电触点，并促进与传统IV族半导体器件的兼容性和集成，如使用硅制造的器件。’562专利总体上描述了一种新型的难熔金属氮化物覆盖的电触点，其提供了优于传统技术的优点，包括提高的成本效益以及更容易、更有效地集成III-V族功率半导体器件和硅器件。

英飞凌认为'562专利指控的英诺赛科产品包括电极堆叠（漏极接触焊盘金属），其包括厚度大于最底部Ti层的氮化钛（“TiN”）覆盖层。

对于英飞凌为何撤回，David Raulescu也发表了其观点：认为英飞凌的侵权指控存在两方面问题：一是没有关注被指控的钨插头下方的金属堆栈，二是依赖其技术洞察报告细节，这给其权利要求覆盖率理论带来了一些问题。

实际上，就在上个月，2025年4月1日，英飞凌也是向ITC撤回了另外一件专利US8,264,003，发明名称“合并共源共栅晶体管”。

’003号专利涉及一种具有栅极（G）的晶体管，其用于控制漏极（D）和源极（S）之间流动的电流。英飞凌认为’003号专利指控的英诺赛科产品包括一个晶体管，其第一部分Q1和第二部分Q2以合并的共源共栅几何形状串联，并具有一个源极连接的第二栅极，该栅极包括一个场板。

之所以撤回，是因为’003号专利只有e-mode，但是英飞凌的专利是e-mode和d-mode的级联结构，二者实际上并不相同。

至此，英飞凌在ITC对英诺赛科投诉的专利只剩下两件：US9,899,481和US9,070,755。

回顾双方之间的专利纠纷：

2024年3月13日，英飞凌（奥地利子公司）向美国加利福尼亚北区地方法院起诉英诺赛科侵犯其一项美国专利US9,899,481。

2024年6月，英飞凌向德国慕尼黑地方法院提起诉讼，声称英诺赛科侵犯三项专利。当时正值英诺赛科在德国参加展会，但是慕尼黑地方法院发布的初步禁令，使得英诺赛科不得在展会上展示侵权产品。

2024年7月，英飞凌在美国又追加了三件专利的起诉。目前来看，追加的这三件中已经撤回了两件。

2024年，美国专利商标局对英诺赛科挑战美国专利US9,899,481的无效请求，做出不予立案的决定。

到了2025年1月，英诺赛科正式向江苏省苏州市中级人民法院起诉英飞凌侵犯其两件GaN的专利，正式拉开了反击的序幕。值得注意的是，这两件专利都是通过中国专利预审制度快速获得的权利。

从目前的情况来看，英诺赛科虽然是最先作为被告。但是似乎在美国打起专利官司来已经越来越顺手，尤其是在与另外一家美国GaN厂商EPC公司的专利诉讼中，最终英诺赛科成功排除了专利风险，也表明其应对国际知识产权风险的能力在日益增长。

因此，英飞凌此次能否在和英诺赛科的对阵中，获得最后的优势，还存在很大的不确定性。

来源：企业专利观察一点号