国产芯片检测设备迈出关键一步：10nm精度背后的突破与挑战
这可不是随便喊个口号，人家是真刀真枪把设备送进了头部客户生产线。要我说，这事儿就像咱们修高铁终于造出了自己的精密轨道检测仪，虽然离完全自主还有距离，但至少在关键环节上掐住了命门。
10nm
10nm精度！又一国产芯片设备打破国外垄断，有了从0到1突破
越先进的工艺，能够覆盖到的国产设备越少，到5nm时，甚至只有一家企业中微的刻蚀机了，可见国产设备大约聚焦在45nm及更成熟的工艺上，这也是为我们进口率居高不下的原因，因为一定需要先进一点的，就要进口。
10nm 精度王炸！中科飞测 BFI 打破 “卡脖子” 困局！
REDWOOD-900在国内先进制程高端检测设备领域实现了从0到1的突破，它打破了国外长期垄断，填补了国内市场在这个领域的空白，是中科测发展的重要里程碑。
欧洲FD-SOI中试线征集设计，目标直指2027年10nm工艺芯片
欧洲先进FD-SOI中试线项目FAMES近日宣布了一项重要计划，旨在征集采用10nm和7nm FD-SOI全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。这一消息由法国媒体ECInews率先报道，引起了业界的广泛关注。
欧洲先进FD-SOI中试线启动设计征集，目标2027年实现10nm
欧洲先进 FD-SOI 中试线（技术试点线）项目 FAMES 当地时间 18 日正式宣布对外公开征集计划采用 10nm、7nm FD-SOI 全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。
三星将建造第七代10nm级别的DRAM测试产线，以提升产品竞争力
三星已经开始建造新的测试产线，主要针对未来第七代10nm级别的DRAM量产工作提前做准备，以提高良品率。过去几年里，三星逐渐丧失了在DRAM领域的领导地位，包括HBM在内的各种内存产品逐渐被竞争对手追赶甚至超越，此举可能是为了提升产品竞争力，重新获得市场主导权