混合键合，HBM4奢侈的爱
数据显示，今年HBM出货量将同比增长70%，需求空前高涨。但不是所有的HBM都会被青睐，在英伟达等算力提供商及相关存储厂商路线计划中，2025年的荣光属于HBM4：SK海力士率先推出12层样品；三星表态下半年生产尖端的HBM4；美光亦或将HBM4的推出时间定在
hbm4
250320芯报丨SK海力士实现技术突破！首次展示12层HBM4样品
韩国半导体巨头SK海力士3月19日宣布，已向英伟达等主要客户交付了其第六代高带宽存储芯片产品——12层HBM4的样品。这一最新进展标志着先进内存解决方案的竞争进入了关键时刻。12层HBM4产品拥有人工智能存储器所需的超快速度、以及基于12层标准的最高容量，行业
下一代HBM4、HBM4E内存冲击单颗64GB！中国已追到HBM2
其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年发布，继续采用HBM3E内存；明年下半年的Vera Rubin NVL144升级为下一代HBM4内存；后年下半年的Rubin Ultra NVL576继续升级为加强版HBM4E内存；
SK Hynix开始提供全球首批12层HBM4样品 容量36GB 数据速率2TB/s
SK Hynix 刚刚宣布推出其下一代 12-Hi HBM3e 和 SOCAMM 内存，同时还发布了全球首批 12-Hi HBM4 样品，NVIDIA 最新的 GB300 AI 芯片提供动力的 HBM3E 内存也已准备就绪该公司宣布将在 3 月 17 日至 2
英伟达GTC前瞻2：Rubin与HBM4能否如期登场？
英伟达将于3/17-3/21举办GTC大会，我们此前预计将发布Blackwell Ultra GB300和B300系列GPU，并可能提及下一代Rubin系列。鉴于中美关系、产业链成熟度及芯片设计等因素限制，我们对Rubin系列今年内量产持谨慎乐观态度，认为该系
三星加快HBM4开发 计划2025年末量产
三星选择在其平泽P4工厂建设1cnm工艺的DRAM生产线，已开始向Lam Research等合作伙伴订购设备，为HBM4的量产铺平道路。1cnm属于第六代10nm级别工艺，电路线宽约为11-12nm，预计今年进入商业化生产，三星打算用于生产HBM4的DRAM芯
SK海力士下半年量产HBM4
SK海力士表示，将于今年下半年开始量产第六代HBM产品HBM4，从而引领专为客户各种需求定制 的HBM产品市场，将以技术创新，为AI时代提供新的可能性，创造不可被替代的价值。
三星加快HBM4开发：已进入试生产阶段，计划2025年末量产
三星选择在其平泽P4工厂建设1cnm工艺的DRAM生产线，已开始向Lam Research等合作伙伴订购设备，为HBM4的量产铺平道路。1cnm属于第六代10nm级别工艺，电路线宽约为11-12nm，预计今年进入商业化生产，三星打算用于生产HBM4的DRAM芯
美光HBM4，2026年量产！
美光（Micron）公布了下一代 HBM4 和 HBM4E 工艺的最新进展，该公司预计将于 2026 年开始量产。HBM4 有望带来最先进的性能和效率数据，而这正是提升人工智能计算能力的途径。美光与SK海力士和三星等公司一样，也在争夺 HBM4 的主导地位，在
400层闪存、HBM4、122TB SSD等，成为2025年存储市场牵引力
电子发烧友网报道（文/黄晶晶）在人工智能、数据中心、新能源汽车、智能终端等应用的带动下，存储新技术新产品加速到来。例如数据中心市场，不仅是高带宽HBM持续进阶，HBM3E到HBM4的演进，企业级SSD也因AI训练和推理所需数据量的增加而不断扩大容量，以至于12
传三星已订购1c DRAM生产设备，为HBM4量产铺平道路
尽管三星仍在为12层堆叠的HBM3E获得英伟达认证而努力，但是并没有放慢下一代HBM产品的开发步伐。早些时候有报道称，三星将在年底前流片HBM4，属于第六代HBM产品，此举被认为是为2025年底大规模生产奠定基础。
传SK海力士改采台积电3纳米产HBM4，三星考虑跟进
市场谣传，SK海力士（SK Hynix）将应重要客户要求，于明（2025）年下半以3纳米生产定制化的第六代高带宽内存（HBM）“HBM4”，而非原定的5纳米制程。
特斯拉致力开发AI芯片，传要三星、SK海力士提供HBM4样本
韩媒传出，特斯拉（Tesla Inc.）为了开发自有的AI芯片，已要求三星电子（Samsung Electronics Co.）、SK海力士（SK Hynix Inc.）提供第六代高带宽内存（HBM）“HBM4”样本。