SK海力士和英伟达展开HBM4谈判
SK海力士与英伟达关于12层HBM4产品的谈判已进入最后阶段。
hbm4
每周观察 | 预估2025年DCI市场产值或破400亿美元；1Q25新能源车销量突破400万辆；HBM4溢价幅度预估将突破30%
根据TrendForce集邦咨询最新研究，2025年随着生成式AI逐步融入人们的生活应用，SK Telecom、Deutche Telekom等全球主要电信商陆续针对一般用户推出代理式AI (Agentic AI) 服务。在电信商和CSP大厂持续建置数据中心的
SK海力士展示HBM4，黄仁勋赞叹
由于SK海力士向英伟达提供的HBM模型安装在Blackwell，这是为了强调英伟达的合作伙伴关系。
三星准备采用HBM4混合键合技术以降低发热量并提升带宽
在最近于首尔举行的人工智能半导体论坛上，三星电子透露，其即将推出的HBM4内存堆栈将采用混合键合技术。此举旨在降低热阻并实现大带宽内存接口。随着人工智能和高性能计算应用对带宽和效率的要求越来越高，这些特性变得越来越重要。
HBM4专用新设备，来了！
HANMI Semiconductor 董事长 Kwak Dong-shin 表示：“英伟达将在今年下半年使用 HANMI Semiconductor 的 TC Bonder 生产其下一代产品 Blackwell Ultra。因此，我们的 HBM TC Bon
三星计划率先在HBM4内存中采用混合键合技术
在韩国首尔举行的AI半导体论坛上，三星透露计划在其HBM4内存中采用混合键合技术，以降低热功耗并实现超宽内存接口。而三星的竞争对手SK海力士，据报道可能会推迟采用混合键合技术。
三星将采用混合键合技术来生产HBM4
三星计划在其 HBM4 中采用混合键合技术，以减少热量并实现超宽内存接口，该公司在韩国首尔举行的 AI 半导体论坛上透露。相比之下，该公司的竞争对手 SK 海力士可能会推迟采用混合键合技术。
三星计划在HBM4采用混合键合技术，SK海力士暂时仅作为备用手段
三星将从第10代V-NAND闪存开始，采用长江存储（YMTC）的专利混合键合技术。三星的目标是在2025年下半年开始量产第10代V-NAND闪存，预计总层数达到420层至430层。除了NAND闪存芯片引入混合键合技术，三星还打算扩展到DRAM芯片。
HBM4 时代内存巨头加速混合键合技术导入，产品最快明年亮相
韩媒《朝鲜日报》在当地时间昨日的报道中表示，两大韩系 DRAM 内存原厂三星电子和 SK 海力士都正在考虑将混合键合技术引入下一代 HBM 内存 —— HBM4 中。
三星HBM内存升级加速：HBM3E二季度起量，HBM4冲刺下半年量产
近期，三星电子在一场业绩发布会上揭晓了其内存技术的最新进展。据悉，该公司已成功向主要客户交付了第五代高带宽内存HBM3E的改进版本样品，并预计从第二季度开始，将逐步扩大该产品的销售规模。
三星加速布局：HBM3E二季度起量 HBM4下半年冲刺量产
据CNMO了解，三星电子近日在业绩说明会上透露，其第五代高带宽内存HBM3E改进版已完成样品供应，预计第二季度起销售规模将逐步扩大。尽管一季度受尖端半导体出口管制影响，HBM销售额触及低点，但公司预计随着新产品放量，季度业绩将呈现阶梯式复苏。
传三星HBM4的逻辑Base Die测试良率已超40%
随着高带内存（HBM）演进到第六代的HBM4，其底部的Base Die将首次采用逻辑制程制造，这也成为了同时拥有先进逻辑制程工艺的存储芯片厂商三星电子的一大优势。
HBM4标准，正式发布
●通道数加倍：HBM4将每个堆叠的独立通道数加倍，从16个通道（HBM3）增加到32个通道，每个通道包含2个伪通道。这为设计人员提供了更大的灵活性。
HBM 4标准，发布！
JESD270-4 HBM4 的设计是超越先前 HBM3 标准的进化步骤，它将进一步提高数据处理速率，同时保持更高带宽、功率效率以及每个芯片和/或堆栈的更大容量等基本特性，因为更高的带宽可以实现更高的数据处理速率。
混合键合，HBM4奢侈的爱
数据显示，今年HBM出货量将同比增长70%，需求空前高涨。但不是所有的HBM都会被青睐，在英伟达等算力提供商及相关存储厂商路线计划中，2025年的荣光属于HBM4：SK海力士率先推出12层样品；三星表态下半年生产尖端的HBM4；美光亦或将HBM4的推出时间定在
250320芯报丨SK海力士实现技术突破！首次展示12层HBM4样品
韩国半导体巨头SK海力士3月19日宣布，已向英伟达等主要客户交付了其第六代高带宽存储芯片产品——12层HBM4的样品。这一最新进展标志着先进内存解决方案的竞争进入了关键时刻。12层HBM4产品拥有人工智能存储器所需的超快速度、以及基于12层标准的最高容量，行业
下一代HBM4、HBM4E内存冲击单颗64GB！中国已追到HBM2
其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年发布，继续采用HBM3E内存；明年下半年的Vera Rubin NVL144升级为下一代HBM4内存；后年下半年的Rubin Ultra NVL576继续升级为加强版HBM4E内存；
SK Hynix开始提供全球首批12层HBM4样品 容量36GB 数据速率2TB/s
SK Hynix 刚刚宣布推出其下一代 12-Hi HBM3e 和 SOCAMM 内存，同时还发布了全球首批 12-Hi HBM4 样品，NVIDIA 最新的 GB300 AI 芯片提供动力的 HBM3E 内存也已准备就绪该公司宣布将在 3 月 17 日至 2
英伟达GTC前瞻2：Rubin与HBM4能否如期登场？
英伟达将于3/17-3/21举办GTC大会，我们此前预计将发布Blackwell Ultra GB300和B300系列GPU，并可能提及下一代Rubin系列。鉴于中美关系、产业链成熟度及芯片设计等因素限制，我们对Rubin系列今年内量产持谨慎乐观态度，认为该系
三星加快HBM4开发 计划2025年末量产
三星选择在其平泽P4工厂建设1cnm工艺的DRAM生产线，已开始向Lam Research等合作伙伴订购设备，为HBM4的量产铺平道路。1cnm属于第六代10nm级别工艺，电路线宽约为11-12nm，预计今年进入商业化生产，三星打算用于生产HBM4的DRAM芯