HBM4 时代内存巨头加速混合键合技术导入，产品最快明年亮相
韩媒《朝鲜日报》在当地时间昨日的报道中表示，两大韩系 DRAM 内存原厂三星电子和 SK 海力士都正在考虑将混合键合技术引入下一代 HBM 内存 —— HBM4 中。
hbm4
三星HBM内存升级加速：HBM3E二季度起量，HBM4冲刺下半年量产
近期，三星电子在一场业绩发布会上揭晓了其内存技术的最新进展。据悉，该公司已成功向主要客户交付了第五代高带宽内存HBM3E的改进版本样品，并预计从第二季度开始，将逐步扩大该产品的销售规模。
三星加速布局：HBM3E二季度起量 HBM4下半年冲刺量产
据CNMO了解，三星电子近日在业绩说明会上透露，其第五代高带宽内存HBM3E改进版已完成样品供应，预计第二季度起销售规模将逐步扩大。尽管一季度受尖端半导体出口管制影响，HBM销售额触及低点，但公司预计随着新产品放量，季度业绩将呈现阶梯式复苏。
传三星HBM4的逻辑Base Die测试良率已超40%
随着高带内存（HBM）演进到第六代的HBM4，其底部的Base Die将首次采用逻辑制程制造，这也成为了同时拥有先进逻辑制程工艺的存储芯片厂商三星电子的一大优势。
HBM4标准，正式发布
●通道数加倍：HBM4将每个堆叠的独立通道数加倍，从16个通道（HBM3）增加到32个通道，每个通道包含2个伪通道。这为设计人员提供了更大的灵活性。
HBM 4标准，发布！
JESD270-4 HBM4 的设计是超越先前 HBM3 标准的进化步骤，它将进一步提高数据处理速率，同时保持更高带宽、功率效率以及每个芯片和/或堆栈的更大容量等基本特性，因为更高的带宽可以实现更高的数据处理速率。
混合键合，HBM4奢侈的爱
数据显示，今年HBM出货量将同比增长70%，需求空前高涨。但不是所有的HBM都会被青睐，在英伟达等算力提供商及相关存储厂商路线计划中，2025年的荣光属于HBM4：SK海力士率先推出12层样品；三星表态下半年生产尖端的HBM4；美光亦或将HBM4的推出时间定在
250320芯报丨SK海力士实现技术突破！首次展示12层HBM4样品
韩国半导体巨头SK海力士3月19日宣布，已向英伟达等主要客户交付了其第六代高带宽存储芯片产品——12层HBM4的样品。这一最新进展标志着先进内存解决方案的竞争进入了关键时刻。12层HBM4产品拥有人工智能存储器所需的超快速度、以及基于12层标准的最高容量，行业
下一代HBM4、HBM4E内存冲击单颗64GB！中国已追到HBM2
其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年发布，继续采用HBM3E内存；明年下半年的Vera Rubin NVL144升级为下一代HBM4内存；后年下半年的Rubin Ultra NVL576继续升级为加强版HBM4E内存；
SK Hynix开始提供全球首批12层HBM4样品 容量36GB 数据速率2TB/s
SK Hynix 刚刚宣布推出其下一代 12-Hi HBM3e 和 SOCAMM 内存，同时还发布了全球首批 12-Hi HBM4 样品，NVIDIA 最新的 GB300 AI 芯片提供动力的 HBM3E 内存也已准备就绪该公司宣布将在 3 月 17 日至 2
英伟达GTC前瞻2：Rubin与HBM4能否如期登场？
英伟达将于3/17-3/21举办GTC大会，我们此前预计将发布Blackwell Ultra GB300和B300系列GPU，并可能提及下一代Rubin系列。鉴于中美关系、产业链成熟度及芯片设计等因素限制，我们对Rubin系列今年内量产持谨慎乐观态度，认为该系
三星加快HBM4开发 计划2025年末量产
三星选择在其平泽P4工厂建设1cnm工艺的DRAM生产线，已开始向Lam Research等合作伙伴订购设备，为HBM4的量产铺平道路。1cnm属于第六代10nm级别工艺，电路线宽约为11-12nm，预计今年进入商业化生产，三星打算用于生产HBM4的DRAM芯
SK海力士下半年量产HBM4
SK海力士表示，将于今年下半年开始量产第六代HBM产品HBM4，从而引领专为客户各种需求定制 的HBM产品市场，将以技术创新，为AI时代提供新的可能性，创造不可被替代的价值。
三星加快HBM4开发：已进入试生产阶段，计划2025年末量产
三星选择在其平泽P4工厂建设1cnm工艺的DRAM生产线，已开始向Lam Research等合作伙伴订购设备，为HBM4的量产铺平道路。1cnm属于第六代10nm级别工艺，电路线宽约为11-12nm，预计今年进入商业化生产，三星打算用于生产HBM4的DRAM芯
美光HBM4，2026年量产！
美光（Micron）公布了下一代 HBM4 和 HBM4E 工艺的最新进展，该公司预计将于 2026 年开始量产。HBM4 有望带来最先进的性能和效率数据，而这正是提升人工智能计算能力的途径。美光与SK海力士和三星等公司一样，也在争夺 HBM4 的主导地位，在
400层闪存、HBM4、122TB SSD等，成为2025年存储市场牵引力
电子发烧友网报道（文/黄晶晶）在人工智能、数据中心、新能源汽车、智能终端等应用的带动下，存储新技术新产品加速到来。例如数据中心市场，不仅是高带宽HBM持续进阶，HBM3E到HBM4的演进，企业级SSD也因AI训练和推理所需数据量的增加而不断扩大容量，以至于12
传三星已订购1c DRAM生产设备，为HBM4量产铺平道路
尽管三星仍在为12层堆叠的HBM3E获得英伟达认证而努力，但是并没有放慢下一代HBM产品的开发步伐。早些时候有报道称，三星将在年底前流片HBM4，属于第六代HBM产品，此举被认为是为2025年底大规模生产奠定基础。
传SK海力士改采台积电3纳米产HBM4，三星考虑跟进
市场谣传，SK海力士（SK Hynix）将应重要客户要求，于明（2025）年下半以3纳米生产定制化的第六代高带宽内存（HBM）“HBM4”，而非原定的5纳米制程。
特斯拉致力开发AI芯片，传要三星、SK海力士提供HBM4样本
韩媒传出，特斯拉（Tesla Inc.）为了开发自有的AI芯片，已要求三星电子（Samsung Electronics Co.）、SK海力士（SK Hynix Inc.）提供第六代高带宽内存（HBM）“HBM4”样本。