2025年中国半导体清洗设备行业分类、相关政策梳理及产业链结构
半导体清洗设备是半导体制造过程中的关键设备，其主要功能是去除硅片制造、晶圆制造和封装测试过程中可能存在的各种杂质，如颗粒、自然氧化层、金属污染、有机物、牺牲层、抛光残留物等，以避免这些杂质影响芯片的良率和产品性能。随着芯片制造工艺的不断进步，对晶圆表面污染物的
湿法
中国半导体湿法设备行业市场分析：国产替代加速、市场份额逐步扩大
内容概要：半导体湿法设备是芯片制造中用于清洗、蚀刻、去胶等一系列工艺的核心装备，它是通过使用化学溶液与半导体材料进行反应来实现特定的工艺目的。全球主流芯片的制造分为4个阶段：原料制作、单晶生长和晶圆的制造、集成电路晶圆的生产、集成电路的封装。在目前主流的芯片制
半导体湿法设备行业发展前景如何？国产替代加速、市场份额扩大
内容概要：半导体湿法设备是芯片制造中用于清洗、蚀刻、去胶等一系列工艺的核心装备，它是通过使用化学溶液与半导体材料进行反应来实现特定的工艺目的。全球主流芯片的制造分为4个阶段：原料制作、单晶生长和晶圆的制造、集成电路晶圆的生产、集成电路的封装。在目前主流的芯片制
隔膜生产工艺介绍
对于锂电池系列，由于电解液为有机溶剂体系，因而需要有耐有机溶剂的隔膜材料，一般采用高强度薄膜化的聚烯烃多孔膜。锂离子电池隔膜具有大量曲折贯通的微孔，能够保证电解质离子自由通过形成充放电回路;而在电池过度充电或者温度升高时，隔膜通过闭孔功能将电池的正极和负极分开
背靠上市公司，毅领智能一步式全湿法复合铜箔设备量产出货！
毅领智能认为，国内复合铜箔市场正处于快速发展的前期阶段，技术路线和产业链配套尚未完全成熟，但市场需求增长迅速。公司计划通过技术创新、产业链合作、市场拓展和区域布局等多方面发力，抓住市场机遇，巩固其在复合铜箔设备领域的领先地位。
周期底部“三费”狂飙，隔膜“茅”恩捷股份首度亏损｜看财报
4月23日，A股市场股票涨多跌少，出现一定的赚钱效应，但隔膜“茅”恩捷股份（002812.SZ）依然在相对低位徘徊，收盘在28.18元/股。且本月初的大跌后也始终未能有像样的反弹，无论在各种“茅”抑或锂电隔膜板块中，均属异类。
9.73亿平方米！恩捷股份再获海外客户隔膜大单
4月4日，恩捷股份公告称，公司下属子公司“美国恩捷”与美国某知名汽车公司（以下称“本次合作客户”）签订《供应协议》。本次合作客户预计2026年至2030年向美国恩捷（及其关联公司）采购约9.73亿平方米的锂电池隔离膜，具体以采购订单为准。
半导体干法/湿法刻蚀技术的缺陷与解决
在半导体制造中，干法刻蚀（Dry Etching）和湿法刻蚀（Wet Etching）是两种主流的刻蚀技术，其原理和工艺特性不同，因此产生的缺陷类型也存在显著差异。以下是两者的主要缺陷及其成因和影响。
格林美：2024年9月印尼镍资源二期湿法冶炼产线成功开通
格林美回复：感谢您的关注！2024年9月，公司位于印尼的控股子公司PT. QMB NEW ENERGY MATERIALS（中文名：青美邦新能源材料有限公司）镍资源二期湿法冶炼（1168m3反应器）（HPAL）产线成功开通，工艺运行指标与产品质量指标达到世界先
最新欧洲回收产能地图公布！新电池法下市场格局有何变动
随着欧盟《新电池法》的全面实施，欧洲正加速构建全球最严苛的电池回收体系。从北欧的湿法冶金集群到德国的火法-机械混合工艺，从电池护照的数字化追踪到跨国企业的产能卡位，欧洲电池回收产业已形成 "政策-技术-产能"三位一体的发展格局，其核心目标是通过闭环产业链重塑全
湿气缠身的人容易出油！一些除湿法，快快用起来
近些年来，由于人们生活水平的提高和饮食结构的变化，贪凉饮冷、过食油腻甘甜食物的情况越来越多，进而使人脾气受损，脾阳不振，导致水湿的代谢、输布、温化异常，体内湿气停聚会造成许多病症。
湿法总有机碳分析仪：精准量化水质有机碳的专业之选
在环境监测领域，湿法总有机碳分析仪发挥着举足轻重的作用。它能够对自然水体中的有机碳含量进行长期、连续的监测，帮助我们及时掌握水体的有机污染状况及其变化趋势。例如，在河流和湖泊的监测站点部署该分析仪，通过实时传输数据，我们可以快速了解到水体中有机碳的动态变化，一
晶片干燥技术在高洁净湿法清洗设备中的应用
干燥的目的是去除晶片表面的液体，保证晶片的洁净度。 干燥技术作为湿法清洗最后的步骤，最终决定了晶片清洗的表面质量。 分别探讨了离心甩干干燥单元、IR 干燥、Marangoni 干燥等技术，同时介绍了各自的优缺点，这些技术在高洁净湿法批处理清洗设备中都有非常广泛
复合材料成型技术探索：HP-RTM与湿法模压成型工艺
复合材料是由两种或多种具有不同物理和化学性质的材料，通过特定的工艺方法组合而成的一种多相固体材料。这些材料在复合过程中，各组分保持相对独立性，但又通过界面产生相互作用，共同承担载荷，从而发挥出单一材料所不具备的综合性能。本文将深入探讨复合材料成型技术中的两种重
科学家打造干式剥离光刻技术，聚焦湿法光刻技术环境污染工艺难题
该范式具有 100% 的工艺良率，兼容多尺度结构（纳米至晶圆级）及多工艺场景，还可用于难加工衬底表面的图形转移，为绿色光刻和多功能化微纳加工提供了全新解决方案。
半导体湿法和干法刻蚀
刻蚀是指通过物理或化学方法对材料进行选择性的去除，从而实现设计的结构图形的一种技术。蚀刻是半导体制造及微纳加工工艺中相当重要的步骤，自 1948 年发明晶体管到现在，在微电子学和半导体领域中，蚀刻技术的发展伴随着整个集成电路技术和化合物半导体技术的进步。在器件
干货 | 匀浆工艺：干法一定比湿法好？
在锂离子电池制造过程中，匀浆工序作为前段第一个步骤极其重要，其在锂离子电池的整个生产工艺中对产品的品质影响度是最重要的环节。不管匀浆何种工艺，最终正负极浆料基本上都是由正负极活性物质、粘结剂、导电剂、溶剂和其他微量添加剂组成。
碳化硅衬底的湿法氧化
半导体碳化硅(4H-SiC)材料具有硬度高、脆性大、化学性质稳定等特点，一般使用化学机械抛 光工艺来加工 SiC 以获得超光滑平坦表面。湿法氧化作为单晶 SiC 化学机械抛光的重要过程，直接影 响着 CMP 的速率和表面质量。本文综述了目前单晶 SiC 湿法氧