欧洲重启存储芯片生产
据了解，双方此次合作的核心是 FMC研发的 "DRAM+" 技术。该技术采用 10nm以下制程兼容的铪氧化物（HfO ）作为铁电层，替代传统锆钛酸铅 PZT 材料，存储容量从传统 FeRAM 的 4-8MB 提升至 Gb-GB 级别，同时保持断电不丢失数据的特
reram
哪些新型存储技术未来市场潜力巨大？
每年，业界都投入大量精力开发新的存储器技术，并取得了巨大进步，推出了众多新产品和原型设计。然而，这些新型存储器，如MRAM（磁阻随机存取存储器）、ReRAM（阻变随机存取存储器）、FRAM（铁电随机存取存储器）和PCM（相变存储器）等，尚未实现广泛采用。那么，