新兴存储,开始走嵌入式路线
多年来,MRAM、ReRAM、FeRAM 和 PCM 等新兴内存技术一直被誉为颠覆性的解决方案,它们兼具闪存的持久性以及 DRAM 的速度和耐用性。这些技术有望颠覆传统的内存体系。然而,正如IDTechEx市场报告《新兴内存和存储技术 2025-2035:市场
嵌入式 reram mram 片上系统 globalfoun 2025-05-30 17:17 5
多年来,MRAM、ReRAM、FeRAM 和 PCM 等新兴内存技术一直被誉为颠覆性的解决方案,它们兼具闪存的持久性以及 DRAM 的速度和耐用性。这些技术有望颠覆传统的内存体系。然而,正如IDTechEx市场报告《新兴内存和存储技术 2025-2035:市场
嵌入式 reram mram 片上系统 globalfoun 2025-05-30 17:17 5
制造商 Everspin Technologies 最近宣布推出符合汽车可靠性标准 AEC-Q100 的新型 MRAM 产品。同时,Weebit Nano宣布其电阻式随机存取存储器(ReRAM)模块已完成AEC-Q100标准150°C运行评估。
MRAM 制造商 Everspin Technologies 最近宣布推出符合 AEC-Q100 标准的新型 MRAM 产品,而 Weebit Nano 已完成其 ReRAM 模块的 AEC-Q100 150 摄氏度运行认证。
最近对 120 多名半导体专业人士进行的一项调查评估了业界对非易失性存储器 (NVM) 技术的看法。81% 的受访者目前正在评估或已经使用过 NVM IP,表明他们正在积极做出设计决策。ReRAM 得到了超过 60% 的受访者的认可,使其成为传统嵌入式闪存的显
据了解,双方此次合作的核心是 FMC研发的 "DRAM+" 技术。该技术采用 10nm以下制程兼容的铪氧化物(HfO )作为铁电层,替代传统锆钛酸铅 PZT 材料,存储容量从传统 FeRAM 的 4-8MB 提升至 Gb-GB 级别,同时保持断电不丢失数据的特
每年,业界都投入大量精力开发新的存储器技术,并取得了巨大进步,推出了众多新产品和原型设计。然而,这些新型存储器,如MRAM(磁阻随机存取存储器)、ReRAM(阻变随机存取存储器)、FRAM(铁电随机存取存储器)和PCM(相变存储器)等,尚未实现广泛采用。那么,