多芯粒 2.5D/3D 集成技术研究与应用现状
面向高性能计算机、人工智能、无人系统对电子芯片高性能、高集成度的需求，以 2.5D、3D 集成技术为代表的先进封装集成技术，不仅打破了当前集成芯片良率降低、成本骤升的困境，也是实现多种类型、多种材质、多种功能芯粒集成的重要手段。本文对多芯粒 2.5D、3D 集
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背面供电，要来了
它有望带来显著的PPA改进，包括更快的开关速度、更低的电压降和更低的电源噪声。尽管晶圆极度减薄、晶圆键合以及前端多层工艺堆叠导致的光刻图案变形对前端工艺造成了重大干扰，但它仍有望在2纳米节点以下实现这些优势。
半导体先进封装概念爆发机会！
先进封装即高密度封装，通过缩短I/O间距与互联长度、提高I/O密度提升芯片性能，具备高内存带宽、能耗比与性能，芯片更薄，可实现多芯片、异质集成及高速互联。
芯片内部的是什么样子的，你知道吗？
芯片制造是一个复杂而精密的过程，可以大致分为前段（FEOL, Front-End of line）和后段（BEOL, Back-End of Line）两个主要阶段。前段工艺是指对芯片有源部分的制造工序，即在硅片上光刻出的晶体管区域，这是芯片的核心所在；而后段
一文了解先进封装铜互联技术
这些应用推动了电子封装向更小尺寸、更强性能、更好的电气和热性能、更高的I/O数量和更高可靠性的方向不断发展。目前，大规模回流焊工艺和热压焊技术是电子组件中两种广泛使用的互连封装技术。两者都是使用Sn基焊料的软钎焊工艺，工艺路线如下图所示：
一文了解芯片三维封装(TSV及TGV)技术
以集成电路芯片为代表的微电子技术不仅在信息社会的发展历程中起到了关键性作用，也在5G通信、人工智能等前沿科技领域和无人驾驶、物联网等新兴应用领域扮演着至关重要的角色。
免费培训来啦！名额有限！
近期，苏州市人社部门首次推出“苏城技能共享学堂”，整合全市高技能人才公共实训基地、技能大师工作室等载体，由各行业领域的“顶尖技能大咖”，定制化开发一批代表最前沿技术的课程，面向社会免费开放！
苏州技能共享学堂启动，首批72门“专精新”课程等你来
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苏城技能共享学堂开始报名 首批72门免费课程
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薄晶圆工艺兴起
对超薄晶圆有需求的市场正在不断扩大。一个由12个DRAM芯片和一个基础逻辑芯片组成的HBM模块的总厚度，仍小于一片原生硅晶圆的厚度。在为人工智能应用组装扇出型晶圆级封装以及先进的2.5D和3D封装方面，薄晶圆也起着关键作用，而这些人工智能应用的增长速度比主流I
北方华创发布首款12英寸电镀设备 正式进军电镀设备市场
近日，北方华创正式发布公司首款12英寸电镀设备（ECP）——Ausip T830。该设备专为硅通孔（TSV）铜填充设计，主要应用于2.5D/3D先进封装领域。该产品标志着北方华创正式进军电镀设备市场，并在先进封装领域构建了包括刻蚀、去胶、PVD、CVD、电镀、
北方华创发布首款12英寸电镀设备
近日，北方华创正式发布公司首款12英寸电镀设备（ECP）——Ausip T830。该设备专为硅通孔（TSV）铜填充设计，主要应用于2.5D/3D先进封装领域。
曦智科技全球首发新一代光电混合计算卡
2025年3月25日，曦智科技正式发布全新光电混合计算卡“曦智天枢”。曦智科技创始人兼首席执行官沈亦晨博士在发布现场表示：“曦智天枢首次实现了光电混合计算在复杂商业化模型中的应用，是曦智科技光电混合算力技术在产品化和商业化进程中的重要突破。我们坚信，光电混合将
薄晶圆加工的兴起
对超薄晶圆的需求正在增长。包含 12 个 DRAM 芯片和基础逻辑芯片的 HBM 模块的总厚度仍小于优质硅晶圆的厚度。薄晶圆在组装扇出晶圆级封装和用于 AI 应用的先进 2.5D 和 3D 封装方面也发挥着关键作用，这些封装的增长速度远快于主流 IC。再加上业
AI产业浪潮下的键合技术快速发展
高带宽存储器（HBM）是一项先进的高性能技术，它通过使用硅通孔（TSV）垂直堆叠多个DRAM，可显著提升数据处理速度。这一突破性存储器解决方案采用了先进的封装方法，得益于这一封装工艺，HBM产品实现了更高容量，更大的存储带宽和更低的延迟，被广泛应用于高性能计算
晶圆越做越薄背后
对超薄晶圆的需求正在增长。包含 12 个 DRAM 芯片和基础逻辑芯片的 HBM 模块的总厚度仍小于优质硅晶圆的厚度。薄晶圆在组装扇出晶圆级封装和用于 AI 应用的先进 2.5D 和 3D 封装方面也发挥着关键作用，这些封装的增长速度远快于主流 IC。再加上业
TSV太贵了，制造3D芯片，新办法
对电子元件三维 (3D) 集成的需求正在稳步增长。尽管存在巨大的加工挑战，硅通孔 (TSV) 技术仍是集成 3D 格式单晶器件元件的唯一可行方法。尽管单片 3D (M3D：monolithic 3D) 集成方案前景光明 ，但尚未证明无需中间晶圆即可无缝连接单晶
中信证券：先进存储限制加码 高端存储产业链国产化有望加速
中信证券发布研报称，1月15日晚间，BIS修订了《出口管理条例》(EAR)，修改DRAM先进存储定义，工艺节点仍为18nm，存储单元面积及存储密度由24年12月的1ynm变为1xnm，同时增加TSV通孔数限制，对HBM和先进DRAM的限制再加码，倒逼产业链国产
研报学习：HBM行业研报深度研究（国海）
高带宽存储器（HBM）是一种采用三维堆叠和硅通孔（TSV）等技术的高性能DRAM，其核心优势在于，增加了存储堆栈的数量和位宽，缩短了存储芯片和逻辑芯片之间的距离，降低了工作电压并减少了信号线的数量和长度，因此具备高带宽、低延迟和低功耗等优势。
TSV，何去何从？
硅通孔 (TSV) 可缩短互连长度，从而降低芯片功耗和延迟，以更快地将信号从一个设备传输到另一个设备或在一个设备内传输。先进的封装技术可在更薄、更小的模块中实现所有这些功能，适用于移动、AR/VR、生物医学和可穿戴设备市场。