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TSV,可以做多小?

随着计算机处理器体积越来越小、性能越来越强,半导体工程师们正面临芯片运行速度的物理极限。一种策略是将芯片进行三维堆叠,并使用被称为硅通孔 (TSV) 的微型导线作为垂直连接器。普渡大学的研究人员正专注于研究 TSV——它们在保持足够坚固可靠的情况下,可以做到多

普渡大学 cu tsv 晶粒 拉曼光谱 2025-06-01 09:34  5

芯片制造中的化学镀技术研究进展

芯片制造中大量使用物理气相沉积、化学气相沉积、电镀、热压键合等技术来实现芯片导电互连. 与这些技术相比, 化学镀因具有均镀保形能力强、工艺条件温和、设备成本低、操作简单等优点, 被人们期望应用于芯片制造中, 从而在近年来得到大量的研究. 本综述首先简介了芯片制

芯片 tsv 化学镀 化学镀镍 化学镀技术 2025-05-29 21:30  5

晶方科技:晶圆级TSV封装技术具有显著微型化、高集成度、低功耗、高经济性特点优势

有投资者在互动平台向晶方科技提问:公司在车载CIS(CMOS图像传感器)封装领域的技术优势显著,尤其是TSV(硅通孔)和WLCSP(晶圆级芯片尺寸封装)技术。能否具体说明这些技术在汽车芯片封装中的核心突破点?例如在ADAS(高级驾驶辅助系统)或自动驾驶领域的应

晶圆 封装 tsv 低功耗 封装技术 2025-05-27 16:12  6

多芯粒 2.5D/3D 集成技术研究与应用现状

面向高性能计算机、人工智能、无人系统对电子芯片高性能、高集成度的需求,以 2.5D、3D 集成技术为代表的先进封装集成技术,不仅打破了当前集成芯片良率降低、成本骤升的困境,也是实现多种类型、多种材质、多种功能芯粒集成的重要手段。本文对多芯粒 2.5D、3D 集

应用 技术 cis tsv 节距 2025-05-07 21:30  8

背面供电,要来了

它有望带来显著的PPA改进,包括更快的开关速度、更低的电压降和更低的电源噪声。尽管晶圆极度减薄、晶圆键合以及前端多层工艺堆叠导致的光刻图案变形对前端工艺造成了重大干扰,但它仍有望在2纳米节点以下实现这些优势。

晶圆 tsv 晶体管 imec 减薄 2025-04-18 09:42  11

芯片内部的是什么样子的,你知道吗?

芯片制造是一个复杂而精密的过程,可以大致分为前段(FEOL, Front-End of line)和后段(BEOL, Back-End of Line)两个主要阶段。前段工艺是指对芯片有源部分的制造工序,即在硅片上光刻出的晶体管区域,这是芯片的核心所在;而后段

芯片 基板 cu tsv 介电材料 2025-04-02 01:36  10

一文了解先进封装铜互联技术

这些应用推动了电子封装向更小尺寸、更强性能、更好的电气和热性能、更高的I/O数量和更高可靠性的方向不断发展。目前,大规模回流焊工艺和热压焊技术是电子组件中两种广泛使用的互连封装技术。两者都是使用Sn基焊料的软钎焊工艺,工艺路线如下图所示:

技术 封装 tsv 焊料 摩尔定律 2025-04-01 19:46  14

薄晶圆工艺兴起

对超薄晶圆有需求的市场正在不断扩大。一个由12个DRAM芯片和一个基础逻辑芯片组成的HBM模块的总厚度,仍小于一片原生硅晶圆的厚度。在为人工智能应用组装扇出型晶圆级封装以及先进的2.5D和3D封装方面,薄晶圆也起着关键作用,而这些人工智能应用的增长速度比主流I

晶圆 tsv 工艺 cmp 旋涂 2025-03-27 09:12  11