重庆芯联申请 LDMOS 器件及其制造方法专利,优化 SAB 工艺窗口
金融界 2025 年 5 月 12 日消息,国家知识产权局信息显示,重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种 LDMOS 器件及其制造方法”的专利,公开号 CN119967838A,申请日期为 2025 年 1 月。
金融界 2025 年 5 月 12 日消息,国家知识产权局信息显示,重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种 LDMOS 器件及其制造方法”的专利,公开号 CN119967838A,申请日期为 2025 年 1 月。
国家知识产权局信息显示,无锡芯卓湖光半导体有限公司申请一项名为“一种LDMOS器件结构及其制备方法”的专利,公开号CN 119789484 A,申请日期为2024年12月。
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