ldmos器件

无锡芯卓湖光申请LDMOS器件结构及其制备方法专利，可解决LDMOS器件场板加工工艺步骤繁琐的问题

国家知识产权局信息显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司申请一项名为“一种LDMOS器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN 119789484 A，申请日期为2024年12月。