重庆芯联申请 LDMOS 器件及其制造方法专利，优化 SAB 工艺窗口
金融界 2025 年 5 月 12 日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种 LDMOS 器件及其制造方法”的专利，公开号 CN119967838A，申请日期为 2025 年 1 月。
ldmos器件
无锡芯卓湖光申请LDMOS器件结构及其制备方法专利，可解决LDMOS器件场板加工工艺步骤繁琐的问题
国家知识产权局信息显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司申请一项名为“一种LDMOS器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN 119789484 A，申请日期为2024年12月。